一种气-固反应制备Cu3P的方法

    公开(公告)号:CN114950295A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210099394.5

    申请日:2022-01-27

    Abstract: 本发明提供了一种气‑固反应制备Cu3P的方法,属于半导体材料制备技术领域。本发明采用气‑固反应法,在PH3气体的作用下,与含CuO固体材料直接反应制备Cu3P,能够在低温条件下实现Cu3P的直接合成,条件温和,有利于解决目前Cu3P合成条件高、过程复杂的问题;同时,本发明提供的制备方法操作简单易控制、稳定性强,快速高效,合成安全稳定且制备时间相对较短,材料易得成本低,不受时间和地域的限制,不会产生固体副产物,过程绿色环保,无需复杂设备,合成温度可低于100℃,易于实现工业化规模生产。

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