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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1982401A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200710001563.2
申请日：2003-08-06
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳－碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。
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公开(公告)号：CN1982401B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710001563.2
申请日：2003-08-06
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , C09G1/02
Abstract: 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳-碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。
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公开(公告)号：CN101333418A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810146155.0
申请日：2005-09-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02
Abstract: 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、水、以及由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方聚合而成的聚合物、以及/或者由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方与具有不饱和双键的单体聚合而成的聚合物，优选的是，还含有分散剂或由甲基丙烯酸及其盐类的至少一种与具有不饱和键的单体聚合而得到的聚合物。这样，抛光后的被抛光膜的、由图案密度差所造成的残膜厚差比较小。
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公开(公告)号：CN100377310C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200480003202.6
申请日：2004-01-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α-取代化合物所构成的组中的任一种的N-单取代化合物骨架或N，N-二取代化合物骨架的化合物。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。
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公开(公告)号：CN101029214A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710096425.7
申请日：2003-08-06
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳－碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。
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