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公开(公告)号：CN102576679A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201180003806.0
申请日：2011-07-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/28581 , H01L29/2003 , H01L29/475 , H01L29/66462
Abstract: 本发明提供一种抑制反向漏电流并充分强化栅极和外延基板的肖特基接合的半导体元件。该半导体元件具备：外延基板，在衬底上以使(0001)结晶面与基板面大致平行的方式层叠形成III族氮化物层组；肖特基电极。其中，外延基板具备：沟道层，其由具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1、z1＞0)；组成的第一III族氮化物构成，势垒层，其由具有Inx2Aly2N(x2+y2＝1、x2＞0、y2＞0)的组成的第二III族氮化物构成；接触层，其由具有绝缘性的第三III族氮化物构成且与势垒层相邻。肖特基电极接合在接触层上。进而，在形成栅极后在氮气氛围下进行热处理。
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公开(公告)号：CN102484049A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080035067.9
申请日：2010-06-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/338 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供将单晶硅用作基底基板的品质和特性优异的氮化物外延基板。在(111)单晶硅基板上，以(0001)结晶面大致平行于基板面的方式形成III族氮化物层群而成的外延基板具有：形成于基底基板上且由AlN构成的第一III族氮化物层；形成于第二III族氮化物层上且由InxxAlyyGazzN(xx+yy+zz＝1、0≤xx≤1、0＜yy≤1、0＜zz≤1)构成的第二III族氮化物层；以及在第二III族氮化物层上外延形成的至少一个第三III族氮化物层，而且，第一III族氮化物层为由柱状结晶、粒状结晶或晶畴中的至少一种构成的含多缺陷的层，第一III族氮化物层与第二III族氮化物层之间的界面为三维凹凸面。
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公开(公告)号：CN102005471A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010251920.2
申请日：2010-08-09
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L29/205 , H01L29/778 , H01L21/20
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/201
Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板能够实现欧姆接触特性优良、并具有良好的设备特性的半导体元件。采用的解决手段为在基底基板之上形成由第一III族氮化物构成的沟道层，所述第一III族氮化物至少含有Al和Ga、具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)的组成；在上述沟道层之上形成由第二III族氮化物构成的势垒层，所述第二III族氮化物至少含有In和Al、具有Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的组成，并且所述势垒层的形成方式为：表面附近部的In组成比相对于表面附近部以外的部分的In组成比要大。
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公开(公告)号：CN104246987B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201480000946.6
申请日：2014-03-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/304 , C30B25/20 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/02024 , H01L21/02389 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/30625 , H01L21/324 , H01L21/3245
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物基板的处理方法，根据该处理方法能够得到可形成在层叠III族氮化物层的情况下具有优异特性的电子设备的III族氮化物基板。III族氮化物基板的处理方法包括：对基板表面进行CMP处理的工艺；将CMP处理后的III族氮化物基板在氮气气氛下升温至规定退火温度的工艺；以及将升温至退火温度的III族氮化物基板，在氢气和氮气的第一混合气氛或氢气和氨气的第二混合气氛中保持4分钟以上且8分钟以下的工艺。
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公开(公告)号：CN104246987A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201480000946.6
申请日：2014-03-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/304 , C30B25/20 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/02024 , H01L21/02389 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/30625 , H01L21/324 , H01L21/3245
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物基板的处理方法，根据该处理方法能够得到可形成在层叠III族氮化物层的情况下具有优异特性的电子设备的III族氮化物基板。III族氮化物基板的处理方法包括：对基板表面进行CMP处理的工艺；将CMP处理后的III族氮化物基板在氮气气氛下升温至规定退火温度的工艺；以及将升温至退火温度的III族氮化物基板，在氢气和氮气的第一混合气氛或氢气和氨气的第二混合气氛中保持4分钟以上且8分钟以下的工艺。
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公开(公告)号：CN104126223A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201280069971.0
申请日：2012-12-04
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/66431 , H01L29/7786 , H01L29/155 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种晶格匹配的HEMT元件，其是将二维电子气浓度确保在实用的范围内且反向耐压高的HEMT元件。通过在将AlN模板基板或Si单晶基体材料作为基底的基板等的基底基板上，形成由GaN而成的沟道层，并且在该沟道层上，形成由InxAlyGazN(x+y+z＝1，0≦z≦0.3)组分的III族氮化物而成的势垒层，而且在该势垒层上形成源极电极、漏极电极、及栅极电极，从而制备半导体元件，此时，势垒层的In摩尔分数(x)和Ga摩尔分数(z)和厚度(d)满足规定的范围。
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公开(公告)号：CN102005471B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201010251920.2
申请日：2010-08-09
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L29/205 , H01L29/778 , H01L21/20
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/201
Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板能够实现欧姆接触特性优良、并具有良好的设备特性的半导体元件。采用的解决手段为在基底基板之上形成由第一III族氮化物构成的沟道层，所述第一III族氮化物至少含有Al和Ga、具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)的组成；在上述沟道层之上形成由第二III族氮化物构成的势垒层，所述第二III族氮化物至少含有In和Al、具有Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的组成，并且所述势垒层的形成方式为：表面附近部的In组成比相对于表面附近部以外的部分的In组成比要大。
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公开(公告)号：CN103003931A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180035034.9
申请日：2011-07-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/778 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02104 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/66204 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种恰当抑制从上覆层的元素扩散且特性优异的半导体元件用外延基板。在衬底上以使（0001）结晶面与基板面大致平行的方式层叠形成III族氮化物层群的半导体元件用外延基板，包括：沟道层，其由具有Inx1Aly1Gaz1N组成的第一III族氮化物构成，其中x1＋y1＋z1＝1且z1＞0；势垒层，其由具有Inx2Aly2N组成的第二III族氮化物构成，其中x2＋y2＝1且x2＞0、y2＞0；扩散防止层，其由AlN构成且具有3nm以上的厚度；上覆层，其由具有Inx3Aly3Gaz3N组成的第三III族氮化物构成，其中x3＋y3＋z3＝1且z3＞0。
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公开(公告)号：CN105830237A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480069022.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。
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公开(公告)号：CN103003931B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180035034.9
申请日：2011-07-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/778 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02104 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/66204 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种恰当抑制从上覆层的元素扩散且特性优异的半导体元件用外延基板。在衬底上以使（0001）结晶面与基板面大致平行的方式层叠形成III族氮化物层群的半导体元件用外延基板，包括：沟道层，其由具有Inx1Aly1Gaz1N组成的第一III族氮化物构成，其中x1＋y1＋z1＝1且z1＞0；势垒层，其由具有Inx2Aly2N组成的第二III族氮化物构成，其中x2＋y2＝1且x2＞0、y2＞0；扩散防止层，其由AlN构成且具有3nm以上的厚度；上覆层，其由具有Inx3Aly3Gaz3N组成的第三III族氮化物构成，其中x3＋y3＋z3＝1且z3＞0。
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