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公开(公告)号：CN105229778B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201480025003.9
申请日：2014-05-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L29/1029 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种13族氮化物复合基板以及使用它制作的半导体元件，上述13族氮化物复合基板能够实现即使使用导电性的GaN基板、也适合高频用途的半导体元件。13族氮化物复合基板包括：基材，由GaN形成、呈n型导电性，基底层，形成在基材上、是电阻率为1×106Ωcm以上的13族氮化物层，沟道层，形成在基底层上、是杂质浓度的总和为1×1017/cm3以下的GaN层，势垒层，形成在沟道层上、由组成为AlxInyGa1－x－yN(0≤x≤1、0≤y≤1)的13族氮化物形成。
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公开(公告)号：CN108699728A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780010205.X
申请日：2017-02-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L31/0392 , H01L33/32
Abstract: 在取向多晶第13族元素氮化物自立基板中减小单晶粒子的倾角，另外减小倾角的波动。自立基板包含由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的多晶第13族元素氮化物。自立基板具有上表面和底面。多晶第13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶，以1×1017原子/cm3～1×1020原子/cm3的浓度含有锌。
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公开(公告)号：CN108352306A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680061168.0
申请日：2016-11-01
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B19/02 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/401 , H01L29/66007 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种抑制电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：半绝缘性的自立基板，其含有掺杂有Zn的GaN；缓冲层，其与上述自立基板相邻；沟道层，其与上述缓冲层相邻；以及势垒层，其隔着上述沟道层而设置于上述缓冲层的相反侧，上述缓冲层是含有掺杂有Al的GaN、且抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。
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公开(公告)号：CN102484049B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201080035067.9
申请日：2010-06-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/338 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供将单晶硅用作基底基板的品质和特性优异的氮化物外延基板。在(111)单晶硅基板上，以(0001)结晶面大致平行于基板面的方式形成13族氮化物层群而成的外延基板具有：形成于基底基板上且由AlN构成的第一13族氮化物层；形成于第一13族氮化物层上且由InxxAlyyGazzN(xx+yy+zz＝1、0≤xx≤1、0＜yy≤1、0＜zz≤1)构成的第二13族氮化物层；以及在第二13族氮化物层上外延形成的至少一个第三13族氮化物层，而且，第一13族氮化物层为由柱状结晶、粒状结晶或晶畴中的至少一种构成的含多缺陷的层，第一13族氮化物层与第二13族氮化物层之间的界面为三维凹凸面。
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公开(公告)号：CN103081080A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180040401.4
申请日：2011-08-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种通态电阻低且常闭动作型的半导体元件。半导体元件用外延基板具备：基底基板；沟道层，其至少含有Al和Ga，且由Inx1Aly1Gaz1N（x1+y1+z1＝1）组成的第一III族氮化物构成；势垒层，其至少含有In和Al，且由Inx2Aly2Gaz2N（x2+y2+z2＝1）组成的第二III族氮化物构成。第一III族氮化物的组成在由x1＝0，0≦y1≦0.3决定的范围内，第二III族氮化物的组成在以InN、AlN、GaN为顶点的三维图上，由根据第一III族氮化物的组成决定的、以下各式所表示的直线包围的范围内，势垒层的厚度为3nm以下，并且，在势垒层之上，进而具备有由氮化硅构成且具有3nm以下的厚度的低结晶性绝缘层。
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公开(公告)号：CN102511075A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201080041195.4
申请日：2010-12-02
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/045 , H01L29/205 , H01L29/7787
Abstract: 提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且降低弯曲的外延基板。该外延基板，在(111)单晶Si基板之上以(0001)结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，并具有：缓冲层，交替层叠第一层叠单位和第二层叠单位而成，并且，最上部和最下部都由第一层叠单位构成，结晶层，形成在缓冲层之上；第一层叠单位包括：组分调制层，通过重复交替层叠组分不同的第一单位层和第二单位层而成，从而内部存在压缩应变；第一中间层，加强在组分调制层中存在的压缩应变；第二层叠单位是实质上无应变的第二中间层。
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公开(公告)号：CN108352306B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201680061168.0
申请日：2016-11-01
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种抑制电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：半绝缘性的自立基板，其含有掺杂有Zn的GaN；缓冲层，其与上述自立基板相邻；沟道层，其与上述缓冲层相邻；以及势垒层，其隔着上述沟道层而设置于上述缓冲层的相反侧，上述缓冲层是含有掺杂有Al的GaN、且抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。
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公开(公告)号：CN108779578B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201780011093.X
申请日：2017-02-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L31/0392 , H01L33/32
Abstract: 由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的多晶第13族元素氮化物自立基板中，使自立基板的上表面的蚀坑减少。自立基板12由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成。多晶第13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶，所述自立基板具有上表面和底面，含有锌和钙中的至少一者，自立基板的上表面的均方根粗糙度Rms为3.0nm以下。
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公开(公告)号：CN111052415A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052347.7
申请日：2018-08-06
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，上表面13a的法线T相对于13族元素氮化物结晶的＜0001＞方向而言具有2.0°以下的偏角θ。
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公开(公告)号：CN111052413A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052333.5
申请日：2018-07-31
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种13族元素氮化物结晶层，其包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶，且具有上表面及底面。在利用阴极发光观察上表面时，具有线状的高亮度发光部和与所述高亮度发光部相邻的低亮度发光区域。高亮度发光部包括沿着所述13族元素氮化物结晶的m面延伸的部分。上表面的算术平均粗糙度Ra为0.05nm以上1.0nm以下。
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