-
公开(公告)号：CN104395241B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201380031714.2
申请日：2013-06-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C01G9/02
CPC classification number: C01G9/02 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供能使成形体或者烧结体兼具高取向度和添加物质的高均匀分散性的氧化锌粉末。本发明的氧化锌粉末包括多个氧化锌板状颗粒，具有1～5μm的体积基准D50平均粒径和1～5m2/g的比表面积。另外，氧化锌粉末在基板上二维地单层排列时，(002)面的取向度在40％以上。
-
公开(公告)号：CN105556685A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201580001916.1
申请日：2015-03-23
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , C30B9/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B28/04 , C30B29/38 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成的多晶氮化镓自立基板。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。
-
公开(公告)号：CN104395241A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380031714.2
申请日：2013-06-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C01G9/02
CPC classification number: C01G9/02 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , Y10T428/2982 , C01P2006/16
Abstract: 本发明提供能使成形体或者烧结体兼具高取向度和添加物质的高均匀分散性的氧化锌粉末。本发明的氧化锌粉末包括多个氧化锌板状颗粒，具有1～5μm的体积基准D50平均粒径和1～5m2/g的比表面积。另外，氧化锌粉末在基板上二维地单层排列时，(002)面的取向度在40％以上。
-
公开(公告)号：CN114901875A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080089055.8
申请日：2020-01-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/205 , C30B29/36
Abstract: SiC复合基板(10)具备SiC单晶层(20)和含有稀土的SiC层(30)。含有稀土的SiC层(30)含有稀土元素，该稀土元素的浓度在1×1016原子/cm3以上且1×1019原子/cm3以下的范围内。由于将稀土元素的浓度设定在该范围内，因此能够充分地降低在含有稀土的SiC层(30)上生长的SiC外延层的BPD密度。
-
公开(公告)号：CN114269972A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201980098054.7
申请日：2019-09-02
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/16 , C23C16/40 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种α－Ga2O3系半导体膜，其能够明显地提高器件的成品率。该α－Ga2O3系半导体膜是：以具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构的结晶为主相的圆形的半导体膜。该半导体膜的表面的中心点X以及4个外周点A、B、C及D各自处的偏角的最大值θmax和最小值θmin满足θmax－θmin≤0.30°的关系。偏角定义为：沿着半导体膜的大致法线方向取向的结晶轴相对于半导体膜的膜面的法线的倾斜角度。外周点A、B、C及D以如下方式进行确定：i)将外周点A及外周点C连结的直线和将外周点B及外周点D连结的直线在中心点X处呈直角相交；且ii)外周点A、B、C及D距半导体膜的外缘的各最短距离为半导体膜的半径的1/5。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113574215A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201980081631.1
申请日：2019-09-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/16 , H01L21/365
Abstract: 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层。取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成。取向层包含：含有选自由α－Al2O3、α－Cr2O3、α－Fe2O3、α－Ti2O3、α－V2O3及α－Rh2O3构成的组中的2种以上的固溶体。
-
公开(公告)号：CN113574214A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201980081291.2
申请日：2019-09-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/16 , C30B25/02 , H01L21/365
Abstract: 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板是具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层的基底基板，取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成，取向层包含：选自由α－Cr2O3、α－Fe2O3、α－Ti2O3、α－V2O3及α－Rh2O3构成的组中的材料、或者含有选自由α－Al2O3、α－Cr2O3、α－Fe2O3、α－Ti2O3、α－V2O3及α－Rh2O3构成的组中的2种以上的固溶体，刚玉型结晶结构的(104)晶面的X射线摇摆曲线半值宽度为500arcsec.以下。
-
公开(公告)号：CN111278792A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880055098.7
申请日：2018-10-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/645 , C04B35/111
Abstract: 本发明的取向陶瓷烧结体的制法包括如下工序：(a)制作烧成为取向陶瓷烧结体之前的陶瓷成型体；和(b)用一对脱模片夹持陶瓷成型体并配置于热压烧成炉内，一边利用一对冲头隔着一对脱模片对陶瓷成型体进行加压一边进行热压烧成，从而得到取向陶瓷烧结体。脱模片在以厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜进行夹持后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，脱模片的与不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
-
公开(公告)号：CN105830237B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201480069022.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。
-
公开(公告)号：CN103180490A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051141.0
申请日：2011-10-31
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的晶体制造方法，包含：进行在原料成分单晶化的规定的单晶化温度下，喷射含有该原料成分的原料粉体，在由单晶构成的晶种基板上形成含有原料成分的膜的成膜处理的同时，进行令含原料的膜直接在规定的单晶化温度下结晶化的结晶化处理的成膜结晶化工序。该成膜结晶化工序中，单晶化温度优选在900℃以上。此外，成膜结晶化工序中，原料粉体及晶种基板优选为氮化物或氧化物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.024 seconds)
