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公开(公告)号：CN102771002A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180009862.5
申请日：2011-02-18
Applicant: NEC能源元器件株式会社
IPC: H01M10/058 , H01M2/02 , H01M4/36 , H01M10/0565
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0445 , H01M4/1395 , H01M4/362 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M4/622 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M10/0565 , H01M2300/0085 , Y10T29/4911
Abstract: 本发明提供了使用硅和二氧化硅作为负极活性材料的聚合物二次电池，其在反复进行充放电循环时也显示高的容量保持率。聚合物二次电池，其包括正极、负极、插入在正极与负极之间的隔板和含有聚合物的凝胶电解质，其中负极包括硅和二氧化硅作为负极活性材料，并且，含有聚合物的凝胶电解质存在于由负极活性材料颗粒的细分裂所形成的空隙中。
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公开(公告)号：CN102227835A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200980147746.2
申请日：2009-12-17
Applicant: NEC能源元器件株式会社
IPC: H01M4/485 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/1391 , H01M4/1395 , H01M4/36
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/0461 , H01M4/0471 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/483 , H01M10/052 , H01M2004/027 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: 提供一种非水电解液二次电池用负极，其中当电池构成时，能量密度高，并且即使充电和放电循环重复时充电放电容量的减少小。具有预定直径范围的氧化硅颗粒用作起始材料并被加热至850-1050℃，以将微晶体硅沉淀在颗粒表面。此后，掺杂锂以具有预定高度以及剖面面积范围的多个突出部形成在颗粒表面。突出部的平均高度与含锂氧化硅颗粒的平均直径的比率的范围为2-19％。所获得的含锂氧化硅颗粒被用作负极活性材料，以生产非水电解液二次电池用负极。
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公开(公告)号：CN103563132B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201280025943.9
申请日：2012-04-06
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M4/0459 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/485 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 本发明示例性实施方式的目的是提供一种具有优异循环性能的负极。本发明的示例性实施方式是一种在制造包含硅氧化物作为活性物质的锂二次电池用负极之后才掺杂和脱掺杂锂的方法，其包括在如下电流值范围(A)内并在如下掺杂量范围(B)内掺杂锂；电流值范围(A)：在V-dQ/dV曲线上在1V以下仅出现一个峰的掺杂量变得最大的电流值范围，其中所述V-dQ/dV曲线表示所述负极相对于锂参比电极的电压V与dQ/dV之间的关系，所述dQ/dV是所述负极中的锂脱掺杂量Q的变化量dQ对所述电压V的变化量dV的比例，以及掺杂量范围(B)：在所述V-dQ/dV曲线上在1V以下仅出现一个峰的掺杂量范围。
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公开(公告)号：CN1291511C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN03800804.1
申请日：2003-03-07
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/1315 , H01M4/505 , H01M4/525
Abstract: 本发明提供一种含有由通式(I)所表示的尖晶石型锂锰复合氧化物的二次电池用正极活性物质，Lia(MxMn2-x-y-zYyAz)(O4-wZw) (I)式中，0.5≤x≤1.2，0≤y，0≤z，x+y+z＜2，0≤a≤1.2，0≤w≤1；M至少含Co，也可以再包含从Co以外的Ni、Fe、Cr及Cu组成的群中选取的至少一种；Y是从Li、Be、B、Na、Mg、Al、K及Ca组成的群中选取的至少一种；A是Ti及Si中的至少一种；Z是F及Cl中的至少一种。采用这种二次电池用正极活性物质作为二次电池用正极，就可以抑制随周期而容量降低、在高温下结晶结构劣化的可靠性降低的问题，并且可以实现高工作电压。
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公开(公告)号：CN1698220A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000566.9
申请日：2004-05-26
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M4/133 , H01M4/02 , H01M4/1391 , H01M4/366 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/05 , H01M2004/021
Abstract: 本发明的目标在于延长二次电池的寿命，当二次电池在高温下贮存时抑制电阻的增加，并且抑制在充电/放电循环中电阻的增加。为了实现本发明的目标，使用一种正极活性材料，其包含锰酸锂和镍酸锂。所述的锰酸锂是一种由下式(1)表示的具有尖晶石结构的化合物，或是这样一种化合物，在所述的化合物中存在Mn或O的位置被另一种元素所部分置换。Li1+xMn2－xO4(1)(在上面所述的式(1)中，x满足0.15≤x≤0.24)。
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公开(公告)号：CN1127164C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN00106116.X
申请日：2000-04-25
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M4/505 , H01M4/131 , H01M10/052 , H01M10/0568
Abstract: 一种非水电解质溶液二次电池，其采用锂锰复合氧化物以作为正电极活性材料。这种电池的负电极活性材料能够掺杂和不掺杂锂离子。在这种电池的正电极中含有以下物质之一：从La、Sr、Nd和Sm中所选出的至少一个元素的氧化物；从La、Sr、Nd和Sm中所选出的至少一个元素的碳酸盐；以及从La、Sr、Nd和Sm中所选出的至少一个元素与锰混合在一起的复合氧化物。这种电池使用的电解质溶液含有LiPF6或LiBF4作为其载体盐。
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公开(公告)号：CN103503208B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201280020840.3
申请日：2012-04-27
Applicant: 日本电气株式会社
Abstract: 本发明提供锂二次电池用负极活性物质，所述物质具有活性物质用粘合剂的功能并且能够与锂离子稳定进行可逆反应。另外，本发明提供能量密度提高并且充放电稳定的长寿命锂二次电池，以及其制造方法。所述锂二次电池用负极活性物质是由式(1)(其中，R1和R2独立地表示烷基、烷氧基、酰基、苯基或苯氧基)表示的聚酰亚胺。
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公开(公告)号：CN102694208B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210082394.0
申请日：2012-03-26
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01M10/0585 , H01M4/13
CPC classification number: H01M2/02 , H01M2/0212 , H01M2/12 , H01M2/1235 , H01M2/1247 , H01M2/1252 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y10T29/49112
Abstract: 二次电池。根据本示例性实施例的二次电池是包括叠层电极体和外壳的二次电池，该叠层电极体设有至少一对正电极和负电极，该外壳容纳叠层电极体，其中外壳包括一个或更多个凹进部，该一个或更多个凹进部在对应于叠层电极体的最外层的电极表面的外边缘的边界的内部，在面对电极表面的表面上，并且其中，当具有边界的内部面积的一半面积的带形外周区域被设置在边界的内部时，凹进部中的至少一个凹进部位于外周区域的内部。
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公开(公告)号：CN103563132A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280025943.9
申请日：2012-04-06
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M4/0459 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/485 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 本发明示例性实施方式的目的是提供一种具有优异循环性能的负极。本发明的示例性实施方式是一种在制造包含硅氧化物作为活性物质的锂二次电池用负极之后才掺杂和脱掺杂锂的方法，其包括在如下电流值范围(A)内并在如下掺杂量范围(B)内掺杂锂；电流值范围(A)：在V-dQ/dV曲线上在1V以下仅出现一个峰的掺杂量变得最大的电流值范围，其中所述V-dQ/dV曲线表示所述负极相对于锂参比电极的电压V与dQ/dV之间的关系，所述dQ/dV是所述负极中的锂脱掺杂量Q的变化量dQ对所述电压V的变化量dV的比例，以及掺杂量范围(B)：在所述V-dQ/dV曲线上在1V以下仅出现一个峰的掺杂量范围。
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