公开(公告)号：CN1897307A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610101939.2

申请日：2006-07-11

Applicant: 日本电气株式会社 ,  NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂 ,  是成贵弘 ,  松崎忠弘 ,  田边浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/66757

Abstract: 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。

公开(公告)号：CN1881581A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610084797.3

申请日：2006-05-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田边浩 ,  对田俊二

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/1296 ,  H01L29/78621

Abstract: 在电路设计所要求的阈值相等的多个晶体管中，将初始阈值为所需阈值的可接受范围的下限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值增加的电路位置处，以及将初始阈值为所需阈值的可接受范围的上限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值减小的电路位置处。