半导体马赫-曾德尔型光调制器

    公开(公告)号:CN110573940B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN201880026064.5

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 本发明的半导体MZM具备:第一信号电极和第二信号电极,分别与第一臂波导和第二臂波导并联地形成;多个第一相位调制电极和第二相位调制电极,从第一信号电极和第二信号电极分支,分别沿第一信号电极和第二信号电极离散地设于第一臂波导和第二臂波导上;第一接地电极和第二接地电极,沿第一信号电极和第二信号电极并联地形成;以及多个连接配线,在多个点之间连接第一接地电极和第二接地电极,第一信号电极和第二信号电极被输入/输出差分信号,相邻的所述多个连接配线以在第一信号电极和第二信号电极中传输的信号的波长的1/4以下的间隔进行设置。

    高速光收发装置
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115136516A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202080096761.5

    申请日:2020-02-28

    Abstract: 就包括数字信号处理电路、以及光调制模块和光接收模块的光收发装置而言,采用了一种高速光收发装置,其中,将柔性基板用作所述光调制模块和所述光接收模块的高频接口,在数字信号处理电路的封装基板上设有将高频布线图案与所述柔性基板连接的机构,所述封装基板与所述光调制模块和所述光接收模块通过所述柔性基板连接。

    IQ光调制器
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114365033B

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN201980100217.0

    申请日:2019-09-13

    Abstract: 一种具有嵌套构造的MZ光波导的IQ光调制器,所述嵌套构造的MZ光波导具有I/Q两个信道光调制区域,其中,IQ光调制器的输入光波导的端部和输出光波导的端部位于所述IQ光调制器的芯片的同一端面,所述IQ光调制器具备嵌套构造的MZ光波导的第一光合波器与第二光合波器之间的光波导和输入光波导交叉的光交叉波导,第一光分波器设于所述I信道光调制区域与所述Q信道光调制区域之间,所述第一光分波器内的光传输方向与所述光调制区域内的光传输方向为相反方向。

    半导体光调制器
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116097157A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202080104490.3

    申请日:2020-07-29

    Abstract: 一种半导体光调制器,其特征在于,高频线路,与波导并行布置并且由用于传输高频调制信号的差分线路构成;连接用焊盘,与所述高频线路连续并且沿相同方向形成;以及终端电阻,由用于将来自所述连接用焊盘的所述高频调制信号差分终止的两个长方形的电阻体构成,这三个部分直线状地布置,并在片上终止,在经过所述终端电阻紧后形成差分对的所述高频线路短路。

    IQ光调制器
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110446969B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN201880019312.3

    申请日:2018-03-20

    Abstract: 本发明提供一种能高速、宽波段工作的偏振复用型IQ光调制器。该IQ光调制器的特征在于,具备:作为母件的马赫‑曾德尔型MZM光波导;作为子件的MZM光波导,分别设于构成所述母MZM光波导的两个臂;两个电极线路,沿构成所述子MZM光波导的两个臂分别设置,通过被施加调制信号而对在MZM中传输的光信号进行相位调制;RF引出线路,分别连接于所述两个电极线路,用于输入对所述两个电极线路施加的所述调制信号;第一光分波器,将光分波至所述母MZM光波导的两个臂;第二光分波器,将光分波至所述子MZM光波导的两个臂;以及第一光合波器,对来自所述子MZM光波导的两个臂的光进行合波,所述RF引出线路的条方向、所述第二光分波器的条方向以及所述第一光合波器的条方向与设有所述两个电极线路的所述子MZM光波导的条方向相同,并且,所述第一光分波器的条方向与设有所述两个电极线路的所述子MZM光波导的条方向为正交关系。

    高频线路连接结构
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114631226A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN201980101823.4

    申请日:2019-10-29

    Abstract: 在本发明中,高频线路基板(2‑1)安装于印刷电路板(2‑2)上。印刷电路板(2‑2)设置有第一高频线路。高频线路基板(2‑1)设置有第二高频线路以及连接第一高频线路与第二高频线路的引脚(2‑1‑2a、2‑1‑2b、2‑1‑3a、2‑1‑3b)。在高频线路基板(2‑1)的信号引脚(2‑1‑3a、2‑1‑3b)与第二高频线路之间的邻接区段中,以及在高频线路基板(2‑1)的接地引脚(2‑1‑2a、2‑1‑2b)与第二高频线路之间的邻接区段中,接地引脚(2‑1‑2a、2‑1‑2b)的离印刷电路板(2‑2)的上表面的高度大于信号引脚(2‑1‑3a、2‑1‑3b)的高度。

    半导体Mach-Zehnder光调制器及IQ调制器

    公开(公告)号:CN114365034A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN201980100316.9

    申请日:2019-09-12

    Abstract: 一种半导体Mach‑Zehnder光调制器包括:输入侧引出线(20‑23);相位调制电极线(24‑27);以及电极(32‑35),将通过相位调制电极线(24‑27)传播的调制信号分别施加到波导(16‑19)。半导体Mach‑Zehnder光调制器还包括:导电层,形成在衬底与波导(16‑19)之间;多个第一布线层(70),连接到导电层;以及第二布线层(71),连接电极焊盘(55)和多个第一布线层(70)。

    半导体马赫-曾德尔光调制器

    公开(公告)号:CN113316740A

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202080009448.3

    申请日:2020-01-08

    Abstract: 一个目的是解决由高频线和端接电阻之间的阻抗失配引起的光调制器的高频特性的劣化。半导体马赫‑曾德尔光调制器包括输入侧引出线(20~23)、相位调制电极线(24~27)、输出侧引出线(28~31)、将通过相位调制电极线(24~27)传播的调制信号施加到各个波导(16~19)的电极(32~35),以及接地线(48~50)。此外,在衬底和输出侧引出线(28~31)下方的下层中的介电层之间,沿输出侧引出线(28~31)间断地形成至少一个n型半导体层或p型半导体层。

    高频传输线路以及光电路
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107430293A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201680017807.3

    申请日:2016-03-23

    Abstract: 本发明提供一种高频特性提高的高频传输线路等。高频传输线路具备:第一导体线路;终端电阻,与第一导体线路连接;第二导体线路,与终端电阻连接;以及接地线路,相对于第一导体线路、终端电阻以及第二导体线路,隔开规定的距离对置配置,并且与第二导体线路连接,第一导体线路以及接地线路分别形成为线路宽度朝向终端电阻侧变窄。

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