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公开(公告)号：CN115315759A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022376.0
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , C23C14/20 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , B32B7/023 , B32B7/025 , B32B7/028 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041 , B32B9/04 , H01L31/0224 , H01B1/08 , H01B1/20 , B32B9/00 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08
Abstract: 透明导电层1包含氪原子。X射线衍射的峰的半值宽度在(222)面中为0.31°以下。
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公开(公告)号：CN115315758A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180021801.4
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B9/04 , B32B9/00 , H01L31/0224 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , B32B7/023 , B32B7/025 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备树脂薄膜(11)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)在与厚度方向(D)正交的面内第一方向具有第一压缩残留应力，且在与厚度方向(D)和面内第一方向分别正交的面内第二方向具有比第一压缩残留应力小的第二压缩残留应力。第二压缩残留应力相对于第一压缩残留应力的比率为0.82以下。
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公开(公告)号：CN115298760A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021980.1
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B9/00 , B32B9/04 , H01L31/0224 , H01B1/08 , H01B1/20 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , B32B7/023 , B32B7/025 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透光性导电膜(20)在透光性导电膜(20)的厚度方向(D)的至少一部分包含以小于0.1原子％的含有比例含有氪的区域。本发明的透明导电性薄膜(X)具备透明基材(10)和透光性导电膜(20)，所述透光性导电膜(20)配置在透明基材的厚度方向(D)的一面侧。
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公开(公告)号：CN115298759A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021961.9
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , H01B1/20 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , G02F1/1343 , G06F3/041 , B32B7/023 , B32B7/025 , B32B7/028 , G02F1/1333 , B32B9/04 , H01L31/0224 , B32B9/00 , H01B1/08
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(1)朝着厚度方向的一面侧依次具备透明树脂基材(21)和透明导电层(3)。透明导电层(3)含有氪，透明导电层(3)的霍尔迁移率为20.5cm2/V·s以上。
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公开(公告)号：CN115298758A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021919.7
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B9/00 , B32B9/04 , H01L31/0224 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/023 , B32B7/025 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和非晶质的透光性导电层(20)。透光性导电层(20)含有氪，且具有40×1019cm‑3以上的载流子密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115298757A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021855.0
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B9/00 , B32B9/04 , H01L31/0224 , H01B1/08 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/023 , B32B7/025 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透光性导电膜(20)为非晶质，包含含有氪的导电性氧化物层，且具有4×10‑4Ω·cm以上的电阻率。本发明的透明导电性薄膜(X)具备透明基材(10)和透光性导电膜(20)，所述透光性导电膜(20)位于透明基材(10)的厚度方向(D)的一面侧。
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公开(公告)号：CN115298022A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022465.5
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B32B7/025 , B32B9/00 , B32B9/04 , H01B5/14 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , B32B7/023 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)含有氪。透光性导电层(20)中的压缩残余应力小于490MPa。
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公开(公告)号：CN112912238A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201980068573.9
申请日：2019-11-06
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 透光性薄膜1朝着厚度方向的一侧依次具备透光性基材薄膜2和透光性导电层3。透光性导电层3朝着厚度方向的一侧依次具备第一无机氧化物层4、金属层5和第二无机氧化物层。第二无机氧化物层6朝着厚度方向的一侧依次具有含有铟和锌的第一区域31以及不含锌的第二区域32。第一区域31中的锌的摩尔数小于铟的摩尔数。
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公开(公告)号：CN110637343B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201880030426.8
申请日：2018-04-25
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 带透光性导电层的薄膜具备薄膜基材和透光性导电层。透光性导电层、及将透光性导电层在80℃下加热500小时后的被加热透光性导电层均为非晶质。将透光性导电层的载流子密度设定为Xa×1019(/cm3)、霍尔迁移率设定为Ya(cm2/V·s)，将被加热透光性导电层的载流子密度设定为Xc×1019(/cm3)、霍尔迁移率设定为Yc(cm2/V·s)时，满足下述式(1)和式(2)这两者。0.5≤(Xc/Xa)×(Yc/Ya)≤1.5(1)Yc>Ya(2)。
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