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公开(公告)号：CN115298759A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021961.9
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , H01B1/20 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , G02F1/1343 , G06F3/041 , B32B7/023 , B32B7/025 , B32B7/028 , G02F1/1333 , B32B9/04 , H01L31/0224 , B32B9/00 , H01B1/08
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(1)朝着厚度方向的一面侧依次具备透明树脂基材(21)和透明导电层(3)。透明导电层(3)含有氪，透明导电层(3)的霍尔迁移率为20.5cm2/V·s以上。
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公开(公告)号：CN115298758A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021919.7
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B9/00 , B32B9/04 , H01L31/0224 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/023 , B32B7/025 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和非晶质的透光性导电层(20)。透光性导电层(20)含有氪，且具有40×1019cm‑3以上的载流子密度。
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公开(公告)号：CN109215847A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810722307.0
申请日：2018-06-29
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供实现透明导电层的低电阻特性及结晶化速度的改善的兼顾的透明导电性膜、及具备该透明导电性膜的触控面板。本发明的透明导电性膜具备基材膜和形成于所述基材膜的至少一面侧的透明导电层，所述基材膜以不包含极性基团的聚合物作为主成分，所述透明导电层从所述基材膜侧起，依次具有第一铟－锡复合氧化物膜及第二铟－锡复合氧化物膜，所述第一铟－锡复合氧化物膜中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量大于9重量％且为20重量％以下，所述第二铟－锡复合氧化物膜中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量为7重量％以上且9重量％以下。
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公开(公告)号：CN119986879A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411590468.0
申请日：2024-11-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/08 , G02F1/13357
Abstract: 本发明的反射膜(X)在厚度方向(H)上依次具备基材膜(10)、金属反射层(20)以及固化树脂层(50)。固化树脂层(50)的与金属反射层(20)相反侧的外表面(51)的水接触角为80°以下。外表面(51)相对于聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的动摩擦系数为0.23以下。
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公开(公告)号：CN118843540A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380026616.3
申请日：2023-03-23
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的带导电层的膜(X)在厚度方向(H)上依次具备：作为环烯烃树脂膜基材的膜基材(10)、金属氧化物层(13)以及金属导电层(14)。金属氧化物层(13)和金属导电层(14)包含相同的金属元素。金属氧化物层(13)具有15nm以下的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115298765B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202180022925.4
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B9/00 , H01L31/0224 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/023 , B32B7/025 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和透光性导电层×10‑4Ω·cm的电阻率。透光性导电层(20)具有2 19霍尔迁移率μ(cm/V·s)和载流子密度n×10(cm‑3)，n相对于μ的比率为4以上。(20)。透光性导电层(20)含有氪，且具有小于2.8
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公开(公告)号：CN115335924A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180022337.0
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 碓井圭太
IPC: H01B5/14 , B32B9/00 , B32B9/04 , H01L31/0224 , H01B1/08 , H01B1/20 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , B32B7/023 , B32B7/025 , B32B7/028 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(T)依次具备透明树脂基材(10)和透明导电层(20)。透明导电层(20)在与厚度方向(T)正交的面内方向上具有压缩残留应力最大的第一方向和与该第一方向正交的第二方向。透明导电层(20)的第二方向的第二压缩残留应力相对于第一方向的第一压缩残留应力的比率为0.82以上。
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公开(公告)号：CN115298765A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022925.4
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B9/00 , H01L31/0224 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/023 , B32B7/025 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)含有氪，且具有小于2.8×10‑4Ω·cm的电阻率。透光性导电层(20)具有霍尔迁移率μ(cm2/V·s)和载流子密度n×1019(cm‑3)，n相对于μ的比率为4以上。
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公开(公告)号：CN115298762A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022256.0
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B9/00 , B32B9/04 , H01L31/0224 , H01B1/08 , H01B1/20 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , B32B7/023 , B32B7/025 , B32B7/028 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(T)依次具备透明基材(10)和非晶质的透明导电层(20)。透明导电层(20)含有氪，且具有5.5×10‑4Ω·cm以上的电阻率。
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公开(公告)号：CN114765082A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210040699.9
申请日：2022-01-14
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供带载体薄膜的导电性薄膜转印材料、及带载体薄膜的导电性薄膜转印材料的制造方法。带载体薄膜的导电性薄膜转印材料(1)朝向厚度方向一侧依次具备载体薄膜(20)、临时支撑体(2)、固化树脂层(3)和导电层(4)。临时支撑体(2)与固化树脂层(3)可剥离。临时支撑体(2)与固化树脂层(3)的剥离力比载体薄膜(20)与临时支撑体(2)的剥离力小。
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