公开(公告)号：CN110771273B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201880039281.8

申请日：2018-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山形一斗 ,  待永广宣 ,  武田雄希 ,  上田惠梨 ,  请井博一 ,  宇井丈裕

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  B32B15/08 ,  B32B9/04

Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)、和导电层(30)。电阻层(20)配置于电介质层(10)的一个主面。导电层(30)配置于电介质层(10)的另一主面、具有比电阻层(20)的薄层电阻低的薄层电阻。电阻层(20)包含铟氧化物作为主成分并且具有多晶结构、具有260～500Ω/□的薄层电阻及5×10‑4Ω·cm以上的电阻率。

公开(公告)号：CN117561640A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202280045410.0

申请日：2022-06-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山田恭太郎 ,  武田雄希 ,  拜师基希 ,  古田宪司

IPC: H01M50/431

Abstract: 本发明的非水系电解质二次电池用隔膜包括：多孔质基材；金属层，设置在所述多孔质基材的至少一个面侧；金属氧化物层，设置在所述金属层的两面当中的至少所述金属层的与所述多孔质基材为相反侧的面。

公开(公告)号：CN113873860A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111060570.6

申请日：2018-01-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 请井博一 ,  宇井丈裕 ,  待永广宣 ,  山形一斗 ,  武田雄希

IPC: H05K9/00

Abstract: 电磁波吸收体(1a)具备第1层(10)和导电层(20)。第1层(10)为电介质层或磁性体层。导电层(20)设置在第1层的至少一侧。第1层(10)的杨氏模量与第1层(10)的厚度的乘积为0.1～1000MPa·mm。第1层(10)的相对介电常数为1～10，所述导电层(20)包括支撑体(25)、和与所述支撑体接触的导电性的导电功能层(22)，所述支撑体(25)设置在所述第1层(10)和所述导电功能层(22)之间，以保护所述导电功能层(22)。

公开(公告)号：CN110383964B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201780087923.7

申请日：2017-12-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 待永广宣 ,  请井博一 ,  宇井丈裕 ,  山形一斗 ,  武田雄希

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025

Abstract: 电磁波吸收体(1a)具备：作为电介质层或磁性体层的第一层(10a)、和设置于第一层(10a)的至少单侧的导电层(20a)。将电磁波吸收体(1a)在温度85℃及相对湿度85％的环境中暴露1000小时后，导电层(20a)具有100Ω/□以下的薄层电阻。电磁波吸收体(1a)具有7000MPa·mm4以下的弯曲刚度。

公开(公告)号：CN110809914A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201880039218.4

申请日：2018-01-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 请井博一 ,  宇井丈裕 ,  待永广宣 ,  山形一斗 ,  武田雄希

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025

Abstract: 电磁波吸收体(1a)具备第1层(10)和导电层(20)。第1层(10)为电介质层或磁性体层。导电层(20)设置在第1层的至少一侧。第1层(10)的杨氏模量与第1层(10)的厚度的乘积为0.1～1000MPa·mm。第1层(10)的相对介电常数为1～10。

公开(公告)号：CN110771274A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201880039478.1

申请日：2018-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山形一斗 ,  待永广宣 ,  武田雄希 ,  请井博一 ,  宇井丈裕

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B15/08 ,  B32B33/00

Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)和导电层(30)。电阻层(20)设置在电介质层(10)的一个主表面上。导电层(30)设置在电介质层(10)的另一个主表面上，具有比电阻层(20)的薄层电阻更低的薄层电阻。电阻层(20)是含有氧化锡或氧化钛作为主要成分的层，或者，电阻层(20)是由含有40重量％以上的氧化锡的氧化铟锡形成的层。

公开(公告)号：CN110771273A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201880039281.8

申请日：2018-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山形一斗 ,  待永广宣 ,  武田雄希 ,  上田惠梨 ,  请井博一 ,  宇井丈裕

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  B32B15/08 ,  B32B9/04

Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)、和导电层(30)。电阻层(20)配置于电介质层(10)的一个主面。导电层(30)配置于电介质层(10)的另一主面、具有比电阻层(20)的薄层电阻低的薄层电阻。电阻层(20)包含铟氧化物作为主成分并且具有多晶结构、具有260～500Ω/□的薄层电阻及5×10-4Ω·cm以上的电阻率。