公开(公告)号：CN104488120A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380038021.6

申请日：2013-12-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松田康壮 ,  仲野武史 ,  西井弘行

IPC: H01M8/02 ,  C08J5/22 ,  H01B13/00 ,  H01M8/10 ,  H01B1/06

CPC classification number: H01M8/1065 ,  B29C35/0805 ,  B29C35/0866 ,  B29C2035/085 ,  B29C2035/0877 ,  B29K2023/0683 ,  B29K2105/24 ,  C08J5/22 ,  C08J5/2243 ,  C08J2351/06 ,  H01B1/122 ,  H01M8/1004 ,  H01M8/1023 ,  H01M8/1072 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明的阴离子交换膜的制造方法包括以下工序：对包含烃类聚合物的基体照射放射线，并对照射后的基体进行热处理，由此在基体中包含的烃类聚合物间形成交联结构的工序；对形成有交联结构的基体进一步照射放射线，并在照射后的基体上接枝聚合具有能够引入具有阴离子传导能力的官能团的部位和碳-碳不饱和键的单体，从而形成该单体聚合而得到的接枝链的工序；和在形成的接枝链中的上述部位引入具有阴离子传导能力的官能团的工序。

公开(公告)号：CN104080843A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380006762.6

申请日：2013-01-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松田康壮 ,  江守秀之 ,  长泽德 ,  西井弘行 ,  铃木孝

IPC: C08J5/22 ,  C08J7/18 ,  H01B1/06 ,  H01M8/02 ,  H01M8/10

CPC classification number: H01M8/1039 ,  B01J19/081 ,  C08J5/2287 ,  C08J7/123 ,  H01M8/1023 ,  H01M8/1025 ,  H01M8/1027 ,  H01M8/1032 ,  H01M8/1088 ,  H01M2008/1095 ,  H01M2300/0082 ,  Y02P70/56

Abstract: 用于制造阴离子交换膜的本发明的方法包括：(i)对第一聚合物薄膜照射辐射线的步骤和(ii)通过将含有能够引入具有阴离子传导能力的官能团的部位和碳碳不饱和键的单体接枝聚合到辐射线照射后的第一聚合物薄膜上而形成包含接枝链的第二聚合物薄膜的步骤，然后还包括：(a)通过对第二聚合物薄膜进行包含辐射线照射的处理而将交联结构引入到接枝链中的步骤和(b)将具有阴离子传导能力的官能团引入到所述部位的步骤。