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公开(公告)号：CN119730662A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411811145.X
申请日：2024-12-10
Applicant: 扬州大学扬州碳中和技术创新研究中心
Abstract: 本发明提供了一种大面积纯碘宽带隙钙钛矿太阳电池及其在空气中制备的方法，属于钙钛矿技术领域。该制备方法通过在空穴传输层上制备Cs0.3DMA0.2MA0.5PbI3钙钛矿吸光层或Cs0.4DMA0.2FA0.2MA0.2PbI3钙钛矿吸光层，每一种钙钛矿吸光层的前驱体溶液都是通过两种过程溶液混合配置被后获得，避免直接将所有的物质直接混合后出现不溶物，制备过程中通过无反溶剂工艺实现，有利于在空气中制备大面积高品质纯碘宽带隙钙钛矿薄膜，并具有优异的良品率。此外，纯碘宽带隙钙钛矿太阳电池具有优异的光稳定性，可以从根本上解决混合卤素宽带隙钙钛矿光致相分离问题。
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公开(公告)号：CN222124067U
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202420786122.7
申请日：2024-04-16
Applicant: 扬州大学扬州碳中和技术创新研究中心
IPC: F28D20/02
Abstract: 本实用新型涉及能源储存技术领域，尤其涉及一种熔盐相变储能系统的汽水释热装置，熔盐储能装置通过释热回路将热能传递至汽包组件；在释放熔盐堆中所储存的热能时，汽包组件中的水通过下降管进入上升管，并吸收熔盐堆的热能产生蒸汽导入汽包组件中；利用熔盐的相变特性，实现高效储能和快速释能。上升管与相变储能熔盐盒的外表面相贴合且并列设置有多个，且在相变储能熔盐盒的两侧对称布设，增加了热交换面积，提高了释热效率。通过关闭下降管上的第一阀门和连通管上的第二阀门，切断气泡组建与上升管之间的连通状态，使不需要供汽时不让气泡组件中的水进入上升管，同时打开上集箱管上的放空阀排出上升管中的余汽，降低储能损失。
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公开(公告)号：CN222124068U
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202420786368.4
申请日：2024-04-16
Applicant: 扬州大学扬州碳中和技术创新研究中心
IPC: F28D20/02
Abstract: 本实用新型涉及储能技术领域，尤其涉及一种熔盐相变储能的电加热装置及储能系统，电加热装置，包括：若干排电加热器，若干排电加热器设置于熔盐盒下方，每个电加热器包括：托架，托架设置于熔盐盒底部，托架顶端设置有托槽；芯棒，芯棒设置于托槽内，且长度延伸方向垂直于电加热器的排列方向；电阻丝，电阻丝螺旋绕设于芯棒上，电阻丝通电进行加热。本实用新型中，可以有效地实现对熔盐的加热，从而实现储能体单元的热储能功能。同时，通过排列多个电加热器，通过设置多排的电加热装置，可以实现对整个熔盐堆的加热控制，满足不同场合对热能的需求。
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公开(公告)号：CN119136617A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411235158.7
申请日：2024-09-04
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种制备大面积锡铅钙钛矿太阳能电池的方法。本发明适用于p‑i‑n、n‑i‑p结构钙钛太阳能电池，包括，S1：在衬底上旋涂空穴传输层前驱液，退火得到空穴传输层；S2：在空穴传输层上旋涂钙钛矿吸光层前驱体，得到钙钛矿吸光层湿膜；S3：将钙钛矿吸光层湿膜放置于减压蒸馏装置中，控制真空度下降速率，实现钙钛矿吸光层湿膜的形核控制；S4：将去除溶剂的钙钛矿吸光层湿膜移出，退火得到钙钛矿吸光层；S5：在钙钛矿吸光层上依次制备钝化层、电子传输层、空穴阻挡层和电极层。本申请通过量化固定腔体在不同时刻的真空度，将抽气时间与腔体真空度一一对应，进而明确抽气速率对薄膜成核结晶可控。
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公开(公告)号：CN115810767B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211573300.X
申请日：2022-12-08
IPC: H01M4/90 , H01M4/88 , H01M8/1011
Abstract: 本发明涉及燃料电池技术领域，尤其涉及一种阴极催化剂、制备方法及无膜有氧直接甲醇燃料电池，其中阴极催化剂是Cu和Fe以纳米颗粒的形式被Cu和N掺杂的碳材料包裹形成的CuFe@Cu‑N‑C，有效降低了阴极催化剂的成本，并有效提高ORR的动力学反应速率，同时，本发明还对无膜有氧直接甲醇燃料电池进行结构化设计，有效提高了电池内部的离子和电子传输和提高燃料电池功率，基于该阴极催化剂和无膜有氧直接甲醇燃料电池结构的协同作用下，使得本发明的无膜有氧直接甲醇燃料电池具有良好的稳定性和优异电池性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117542919A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311493740.9
申请日：2023-11-09
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/228
Abstract: 本发明属于晶硅光伏电池新能源领域，尤其涉及一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法，包括如下操作步骤：在抛光样品背面完成非晶硅层或多晶硅层的沉积；在非晶硅层或多晶硅层上沉积一层液态硼源，并使用激光加热烘干局部区域的硼源；对样品进行清洗以去除未固化区域的硼源，剩下的区域作为背接触的P+区；通过印刷的方式对P+区及其外周印扩散隔离材料覆盖；采用高温磷扩实现N+区的掺杂和P+区的硼元素激活，完成全背电极接触晶硅光伏电池的图案化制备。本发明采用硼源+印扩散隔离材料+磷扩的方式将P+区、N+区和Gap区制备在一个平面上，降低了电池金属化时印刷浆料的难度，降低了硅片的碎片率。
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公开(公告)号：CN116344632A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310127943.X
申请日：2023-02-17
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0368 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳能光伏行业领域，尤其涉及一种POLO‑IBC钝化接触电池及其制备方法。钝化接触电池包括基体，基体的正面由内向外依次为AlOx钝化层和SiNx钝化层，背面由内向外依次为SiNx隧穿层，SiOx隧穿层，梯度掺杂III族元素多晶硅形成的p+层，SiNx隧穿层，梯度V族元素掺杂多晶硅形成的n+层，AlOx钝化层，SiNx钝化层，N/P之间的隔离带，p+finger和n+finger。本发明通过制备热稳定性较高的SiNx隧穿层和SiOx隧穿层作为空穴隧穿层，利用梯度V族元素掺杂多晶硅形成的n+层作为电子传输层，制备出了钝化性能较优的掺杂多晶硅层，可有效的改善欧姆接触，提升填充因子；同时引入热稳定性高、价带偏移小的氮化硅形成电子隧穿层，可避免掺杂元素的内扩；提升了电池的开路电压和短路电流。
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公开(公告)号：CN115275308B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210963319.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 扬州大学
IPC: H01M10/04
Abstract: 本发明涉及固态电池领域，尤其涉及一种柔性面型固态电池的一体成型装置，包括第一座体、第二座体和调节装置；第一座体设置有第一凹槽，第二座体设置有第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽的槽底平面平行设置，调节装置对槽底平面之间的距离进行调节；第一座体和第二座体均为透光玻璃结构，第一座体上设置有注液通道，注液通道的出口端偏离第一凹槽所在位置，且位于两座体之间。本发明中提供了一种可对柔性面型固态电池一体成型的装置，改变目前对电极和固态电解质分别固化成型，而后再行组装所带来的界面接触不充分问题，从而有效降低界面阻抗，使得固态电池容量、倍率以及循环寿命均获得一定程度的提高。本发明中还请求保护成型装置的工作方法。
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公开(公告)号：CN115312624A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210958373.4
申请日：2022-08-09
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种背接触太阳能电池的制备方法，本发明中电池结构采用背接触钝化结构，正面无金属区遮光且拥有更少的复合损失。过程中通过制备无掺杂MoOx作为P型区域且和TCO在制作过程中通过掩膜板阻挡，避免其他区域受到影响，从而达到局部沉积目的，省去了专门做掩膜层和清洗过程，全过程仅使用一次激光工艺且无需专门修复，减少了修复激光损伤带来的复杂过程，另外经过碱抛光，不仅实现将P型区域基底保持成抛光面，同时去除激光损伤。从而进一步缩短工艺路线，减少工艺步骤，提升背接触太阳能电池加工效率，并且湿法环节没有用到HNO3，具有一定的环保性，该结构相对简单，可实施性较强。
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公开(公告)号：CN117542919B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311493740.9
申请日：2023-11-09
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/228
Abstract: 本发明属于晶硅光伏电池新能源领域，尤其涉及一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法，包括如下操作步骤：在抛光样品背面完成非晶硅层或多晶硅层的沉积；在非晶硅层或多晶硅层上沉积一层液态硼源，并使用激光加热烘干局部区域的硼源；对样品进行清洗以去除未固化区域的硼源，剩下的区域作为背接触的P+区；通过印刷的方式对P+区及其外周印扩散隔离材料覆盖；采用高温磷扩实现N+区的掺杂和P+区的硼元素激活，完成全背电极接触晶硅光伏电池的图案化制备。本发明采用硼源+印扩散隔离材料+磷扩的方式将P+区、N+区和Gap区制备在一个平面上，降低了电池金属化时印刷浆料的难度，降低了硅片的碎片率。
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