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公开(公告)号：CN107395154A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710521445.8
申请日：2017-06-30
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明涉及一种单片集成声表面波滤波组件，包括硅单晶基片、制作在硅单晶基片顶面压电薄膜区上的声表面波滤波单元、选通滤波单元的多组金属梁及其固定电极、输入信号总电极、输出信号总电极，制作在硅单晶基片背面的控制金属梁的金属梁下拉电极及其下拉信号输入电极、下拉信号输入线，本发明采用片上集成的滤波单元选通互连结构，并采用动态特性与静态特性俱优的微机械式开关作为选通开关元件，结构紧凑、射频损耗小，滤波信道隔离性好。
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公开(公告)号：CN107356997A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710554696.6
申请日：2017-07-10
Applicant: 扬州大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明公开一种多倍频栅条型周期栅阵制备方法，包括如下步骤：(10)基准栅条获取：在基片上通过一次移动周期栅阵光刻掩膜版、二次曝光，剥离，得到基准组栅条；(20)重复栅条获取：在已得到基准组栅条或者已得到基准组栅条和部分重复组栅条的基片上，通过二次移动周期栅阵光刻掩膜版、二次曝光、剥离，得到一组重复组栅条；(30)栅条阵列获取：重复步骤(20)重复栅条获取，制备所需组数的重复组栅条，得到多倍频栅条型周期栅阵。本发明的多倍频栅条型周期栅阵制备方法，工艺技术及设备要求低、制造成本低。
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公开(公告)号：CN107219579A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710554705.1
申请日：2017-07-10
Applicant: 扬州大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明公开一种多倍频沟槽型周期栅阵制备方法，包括如下步骤：(10)基准沟槽获取：在基片上通过一次移动周期栅阵光刻掩膜版、二次曝光、刻蚀，得到基准组沟槽；(20)重复沟槽获取：在已得到基准组沟槽或者已得到基准组沟槽和部分重复组沟槽的基片上，通过二次移动周期栅阵光刻掩膜版、二次曝光、刻蚀，得到一组重复组沟槽；(30)沟槽阵列获取：重复步骤(20)重复沟槽获取，制备所需组数的重复组沟槽，得到多倍频沟槽型周期栅阵。本发明的多倍频沟槽型周期栅阵制备方法，工艺技术及设备要求低、制造成本低。
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公开(公告)号：CN103346753B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310235415.2
申请日：2013-06-14
Applicant: 扬州大学
IPC: H03H9/64
Abstract: 本发明提供一种声表面波器件芯片封装热应变的消减方法，在声表面波器件芯片的压电单晶基片边缘区域与声表面波器件同步制作一组环形结构，所述环形结构采用具有一定热-机械特性的材料制成，与压电单晶基片、封装基座构成一个热-机械特性互补的复合结构。所述环形结构为制作在压电单晶基片表面以上的环形带或嵌入在压电单晶基片表面层内的环形条。所涉及的热应变消减结构简单紧凑，且位于芯片边缘非器件区域，不对器件的几何结构参数产生直接的影响，器件的电学参数也就不会劣化，能保证器件的一致性、符合性和可靠性；所涉及的热应变消减结构的制作方法与常规的声表面波器件加工工艺兼容，易与声表面波器件同步实现。
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公开(公告)号：CN103441746A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310391042.8
申请日：2013-09-02
Applicant: 扬州大学
Abstract: 声表面波滤波器集成封装结构及其封装方法，属于声表面波技术领域。包括声表面波滤波器芯片、匹配调谐电路以及封装外壳，封装外壳由封装底座、封装底座的外引脚、封帽构成，封帽覆盖在封装底座上，其特征是，设有调谐基板，匹配调谐电路制作在调谐基板上，声表面波滤波器芯片粘接在调谐基板上，并通过键合引线与匹配调谐电路电气连接；调谐基板粘接在封装底座上，并通过键合引线与封装底座的外引脚电气连接。本发明将声表面波滤波器芯片和匹配调谐电路集成封装在同一封装体内，简化了声表面波滤波器芯片、匹配调谐电路和应用电路之间的互连结构，具有结构紧凑，损耗小，抗干扰能力强等优点，有助于改善声表面波滤波器应用系统的总体性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103346753A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310235415.2
申请日：2013-06-14
Applicant: 扬州大学
IPC: H03H9/64
Abstract: 本发明提供一种声表面波器件芯片封装热应变的消减方法，在声表面波器件芯片的压电单晶基片边缘区域与声表面波器件同步制作一组环形结构，所述环形结构采用具有一定热-机械特性的材料制成，与压电单晶基片、封装基座构成一个热-机械特性互补的复合结构。所述环形结构为制作在压电单晶基片表面以上的环形带或嵌入在压电单晶基片表面层内的环形条。所涉及的热应变消减结构简单紧凑，且位于芯片边缘非器件区域，不对器件的几何结构参数产生直接的影响，器件的电学参数也就不会劣化，能保证器件的一致性、符合性和可靠性；所涉及的热应变消减结构的制作方法与常规的声表面波器件加工工艺兼容，易与声表面波器件同步实现。
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公开(公告)号：CN101388507B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810122745.X
申请日：2008-06-27
Applicant: 扬州大学
Abstract: 电脑有源音响的智能通断电专用插座，涉及一种电源插座的电路结构技术，包括电脑音频电平信号放大与整流滤波电路、判断有无音频电平信号的比较器电路、继电器驱动电路和通过常开的继电器触点连接在交流输入电压两端的音响工作电源插座；所述判断有无音频电平信号的比较器电路的信号输入端连接在电脑音频电平信号放大与整流滤波电路的输出端，继电器驱动电路连接在判断有无音频电平信号的比较器电路的输出端。本发明通过电脑音频电平信号来自动控制有源音响电源的开关电路，当电脑无音频电平信号输出时，经延时后自动断开有源音箱电源，能够避免故障发生，节约用电。
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公开(公告)号：CN111272162A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010135342.X
申请日：2020-03-02
Applicant: 扬州大学
IPC: G01C19/5663 , G01C19/5656 , B81B3/00 , B81C1/00 , B81B7/02
Abstract: 本发明公开了一种单质量块三轴MEMS陀螺，包括自下而上依次键合的底板、空腔结构层、质量块与悬臂梁结构层和顶板；空腔结构层的底面与底板顶面的底板键合环金硅键合，质量块与悬臂梁结构层中悬臂梁固支边框的底面与空腔结构层顶面的空腔基板键合环金硅键合，各个S形悬臂梁悬置于空腔之上并使质量块悬置于空腔之中，顶板底面的接地引出电极与悬臂梁固支边框顶面的接地电极金金键合，最终形成一个气密封闭结构，采用单一质量块和组合S形悬臂梁结构，交叉耦合小、灵敏度高，总体结构简单、制备工艺简便。
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公开(公告)号：CN107219579B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201710554705.1
申请日：2017-07-10
Applicant: 扬州大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明公开一种多倍频沟槽型周期栅阵制备方法，包括如下步骤：(10)基准沟槽获取：在基片上通过一次移动周期栅阵光刻掩膜版、二次曝光、刻蚀，得到基准组沟槽；(20)重复沟槽获取：在已得到基准组沟槽或者已得到基准组沟槽和部分重复组沟槽的基片上，通过二次移动周期栅阵光刻掩膜版、二次曝光、刻蚀，得到一组重复组沟槽；(30)沟槽阵列获取：重复步骤(20)重复沟槽获取，制备所需组数的重复组沟槽，得到多倍频沟槽型周期栅阵。本发明的多倍频沟槽型周期栅阵制备方法，工艺技术及设备要求低、制造成本低。
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公开(公告)号：CN110360995A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910692028.9
申请日：2019-07-30
Applicant: 扬州大学
IPC: G01C19/5698
Abstract: 本发明涉及一种谐振器型声表面波双轴陀螺，包括基板，固定于基板顶面的4个偏轴双端对声表面波谐振器芯片，制作于基板顶面的1个输入导引电极、8个输出导引电极和若干个接地导引电极，制作于基板底面的1个输入电极、4个输出电极和接地面，贯穿基板的若干个金属过孔以及键合引线；所述4个偏轴双端对声表面波谐振器芯片分别为第一偏轴双端对声表面波谐振器芯片、第二偏轴双端对声表面波谐振器芯片、第三偏轴双端对声表面波谐振器芯片、第四偏轴双端对声表面波谐振器芯片。通过本发明，简化了双轴陀螺的设计、结构和制备工艺。采用复合结构声表面波谐振器作为敏感元件的双轴陀螺，用于感测正交双轴角运动，结构简单，制作方便。
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