-
公开(公告)号:CN114389629A
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202210184167.2
申请日:2022-02-24
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域,具体涉及一种CMOS射频接收机的前端电路,包括:第一无源混频器、第二无源混频器、第一跨阻放大器、第二跨阻放大器。输入的射频信号由端口VRF+和VRF‑双端输入,第一路信号经过第一无源混频器的输入端与输入本振信号LO0/2相乘,得到一个中频的基带差分电流信号,基带差分电流信号经过第一跨阻放大器得到I路的基带电压输出信号VBDI。类似地,第二无源混频器、第二跨阻放大器在差分本振信号LO1/3驱动下,得到Q路的基带电压信号VBDQ。该CMOS集成接收机前端实现了200MHz的基带带宽,且具有60dB/dec的高带外衰减度。