制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法

    公开(公告)号:CN114746978A

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN201980102686.6

    申请日:2019-12-05

    Abstract: 一种制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法,包括:在衬底上形成抗蚀剂的层;选择性地去除抗蚀剂的一部分以在抗蚀剂中形成通道;在通道中形成非晶介电材料层;以及去除抗蚀剂以形成中空壁。该通道具有前表面,该前表面被构造成防止中空壁的相应前表面弯曲。例如,在制造半导体‑超导体混合器件时,中空壁可以用于控制材料的沉积。通过适当地构造通道,可以防止中空壁弯曲,从而允许材料的更精确沉积。还提供了另一种制造中空壁的方法;以及使用中空壁制造器件的方法。

Patent Agency Ranking