公开(公告)号：CN101253621A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200580051451.7

申请日：2005-09-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村亘

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 提供一种能够提高电容器电介质膜的取向性的半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法，包括：在硅衬底(1)上形成绝缘膜(15)的工序；在绝缘膜(15)上形成第一导电膜(21)的工序；在第一导电膜(21)上形成铝结晶层(20)的工序；在铝结晶层(20)上形成含有Pb(ZrxTi1－x)O3(其中，0≤x≤1)的铁电膜(22)的工序；通过对第一导电膜(21)、铁电膜(22)及第二导电膜(23)进行图案成形，形成电容器Q的工序，所述电容器Q是依次层叠下部电极(21a)、电容器电介质膜(22a)及上部电极(23a)而成的。

公开(公告)号：CN100403541C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200510006845.2

申请日：2005-01-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村亘 ,  高井一章

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。在形成底部电极之后，在其上形成第一铁电膜。然后，使第一铁电膜结晶。随后，在第一铁电膜上形成第二铁电膜。接着，在第二铁电膜上形成顶部电极膜，并且使第二铁电膜结晶，使得能够在保持反向极化电荷在较高水平下的同时减少漏电流。