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公开(公告)号：CN103493184A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280020389.5
申请日：2012-04-03
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Inventor： 佐藤三千登
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L29/34 , H01L21/0201 , H01L21/02024
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片，其在研磨时于外周形成有塌边，其特征在于，在前述半导体晶片的中心与外周塌边开始位置之间，前述半导体晶片的厚度方向的位移量是100nm以下，且前述半导体晶片的中心是凸出的形状，前述半导体晶片的外周塌边量是100nm以下，并且，前述外周塌边开始位置，是从前述半导体晶片的外周端往中心侧20mm以上的位置、或比作为ESFQR的测定对象的前述半导体晶片的外周部更靠近中心侧的位置。本发明的目的在于由此提供一种半导体晶片及其制造方法，该半导体晶片在相同的加工条件下，能够同时满足SFQR、ESFQR、ZDD、ROA、GBIR、SBIR等二种以上的平坦度指标。
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