公开(公告)号：CN113474886A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202080016044.7

申请日：2020-08-31

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树 ,  荒木龙 ,  宫田大嗣 ,  吉田崇一

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/544

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。双向二极管部在正面可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。

公开(公告)号：CN109478570A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201880002921.8

申请日：2018-02-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉田崇一 ,  宫田大嗣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: 由于掩模下垂或掩模图案的错位，存在在半导体基板的表面露出的P型区域变为N型区域的情况。本发明提供具有半导体基板的半导体装置。半导体基板包含晶体管区，晶体管区具备漂移区、多个沟槽部、多个发射区和多个接触区、以及积累区，该积累区在深度方向上设置于漂移区与多个发射区之间并具有比漂移区高的第一导电型的掺杂浓度，多个接触区中的在与第一方向平行的方向上位于最外侧的第一最外接触区在第一方向上的长度比多个接触区中的除第一最外接触区以外的一个接触区长，积累区在第一最外接触区的下方终止。