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发明公开
半导体装置有权

公开(公告)号：CN111066145A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201980004103.6

申请日：2019-01-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 仲村秀世 , 堀元人 , 稻叶祐树

IPC: H01L25/07 , H01L23/02 , H01L23/48 , H01L25/18

Abstract: 本发明提供一种降低电感的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备：第一电路基板在(3)，其具有第一电路图案层(3c)；半导体元件(5)，其搭载于第一电路图案层(3c)；第二电路基板(9)，其具有第二电路图案层(9b)；连接销(7)，其连接半导体元件(5)与第二电路图案层(9b)；销状端子(17)，其与第二电路图案层(9b)电连接；密封部件(2)，其树脂密封第一电路基板(3)、半导体元件(5)、第二电路基板(9)以及连接销(7)；以及外部端子(27)，其具有平板部(27s)、以及从平板部(27s)弯曲而向与第二电路基板(9)分离的方向延伸的延伸部(27t)，平板部(27s)与销状端子(17)连接并与第二电路图案层(9b)平行地配置，并且，延伸部(27t)设置在密封部件(2)的短边方向上的宽度的范围内。

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