公开(公告)号：CN107204365B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201710117590.X

申请日：2017-03-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 石井宪一 ,  逸见徳幸

IPC: H01L29/739 ,  H03K17/082 ,  H03K17/567

Abstract: 本发明提供一种在多芯片型点火器中保护控制电路的开关装置以及点火装置。开关装置，具备：引线框架(10)；开关器件(30)，其将下表面与引线框架(10)接触，并将该下表面的集电极与上表面的发射极之间进行开关；以及控制器件(50)，其将下表面与引线框架(10)接触，并具有设置于上表面的控制开关器件(30)的控制电路以及从施加于引线框架(10)的过电压中保护控制电路的耐压结构部。本发明能够通过在控制器件(50)设置耐压结构部来保护控制电路。

公开(公告)号：CN107917031A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710811516.8

申请日：2017-09-11

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 石井宪一

IPC: F02P3/05 ,  F02P3/055

CPC classification number: H03K17/0828 ,  F02P11/00 ,  H01F38/12 ,  H02H7/20 ,  H03K2017/0806 ,  F02P3/0552 ,  F02P3/051

Abstract: 提供一种能够防止由于对流过点火线圈的电流进行控制的IGBT的持续长时间的异常动作而发生的内燃机的点火线圈的性能劣化的、结构简易的内燃机用点火装置。该内燃机用点火装置具备：电流限制电路，其根据流过IGBT的电流来控制IGBT的栅极电压，来限制流过IGBT的电流；波形整形电路，其在该电流限制电路限制电流时将基于IGBT的集电极电压生成的辅助电压加在IGBT的栅极电压上来抑制流过IGBT的电流的振动；以及发热抑制电路，其在电流限制电路限制电流时利用电阻对由波形整形电路生成的辅助电压进行分割来求出中间电压，按照该中间电压使流过所述IGBT的电流增大来抑制IGBT的发热。

公开(公告)号：CN103527381B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310276948.5

申请日：2013-07-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 石井宪一

IPC: F02P3/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: F02P11/00 ,  F02P3/05 ,  F02P3/055 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种单片式点火器，能够实现动作电压的低电压化、高噪声容量化、小型化和低成本化。使MOS晶体管的栅极阈值电压（Vtgh）降低，使电流限制电路、过热检测电路、计时器电路、过电压保护电路和输入滞后电路等的动作电压成为低电压，能够使单片式点火器（100）的动作电压低电压化。使MOS晶体管的有效栅极阈值电压为1V以上，上述MOS晶体管的沟道长度为4μm以下。此外，使MOS晶体管的栅极氧化膜的厚度为5nm以上、不足25nm。

公开(公告)号：CN105991118A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610078505.9

申请日：2016-02-04

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 石井宪一

IPC: H03K17/16 ,  H03K17/567 ,  H03K17/082 ,  H01F27/42 ,  H01F38/12

Abstract: 本发明提供不易受到向输入端子输入的导通信号电压的电压下降、浪涌电压的影响，能够使开关元件可靠地工作，防止点火不良的点火器用半导体装置、点火器系统及点火线圈单元。点火器用半导体装置，作为外部端子，至少具有输入端子(2)、与点火线圈导电连接的输出端子(3)、接地端子(4)、与点火器用半导体装置外部的稳定电源供给布线导电连接的电源端子(1)，上述点火器用半导体装置具备用于控制流过上述点火线圈的电流的开关元件(5)和经由上述电源端子(1)接收电源电力，基于从上述输入端子输入的信号驱动上述开关元件的驱动电路(7)。