公开(公告)号：CN101551625A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200810185871.X

申请日：2008-12-18

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 铃木友子 ,  堤洋介 ,  宫本昌彦

IPC: G03G15/16 ,  G03G15/00

CPC classification number: G03G15/0131 ,  G03G2215/0132 ,  G03G2215/0141 ,  G03G2215/0158 ,  G03G2215/018

Abstract: 本发明公开了一种图像形成装置用带、带张紧装置以及图像形成装置。所述图像形成装置用带包括：带主体；引导部件，其沿着带主体的至少一侧的侧缘而固定到带主体；以及用于位置检测的被检测部分，其设置在引导部件的狭缝中。

公开(公告)号：CN107678255A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710311218.2

申请日：2017-05-05

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 宫本昌彦 ,  春山大辅 ,  桥场成人

IPC: G03G5/147

CPC classification number: G03G5/144 ,  G03G5/043 ,  G03G5/0517 ,  G03G5/102 ,  G03G15/75 ,  G03G21/18 ,  G03G2215/00957 ,  G03G5/14713

Abstract: 本发明公开了一种电子照相感光体、处理盒以及图像形成装置，该电子照相感光体包括：导电基底，其满足条件(A)；底涂层，其满足条件(B)和条件(C)，设置在所述导电基底上，并且含有金属氧化物颗粒；以及感光层，其设置在所述底涂层上。条件(A)：在通过激光显微镜观察所述导电基底的表面存在的凹陷的情况下，最大凹陷的宽度为400μm以下，并且所述凹陷的深度为15μm以下；条件(B)：在对所述底涂层进行科尔-科尔图分析的情况下，复数阻抗分量最大的角频率ωmax为2.0rad至25.0rad；以及条件(C)：通过所述底涂层的所述科尔-科尔图分析获得的体积电阻率为7.0×107Ω至1.0×109Ω。

公开(公告)号：CN107490939A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201611122567.1

申请日：2016-12-08

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 春山大辅 ,  宫本昌彦

IPC: G03G5/10 ,  G03G5/14 ,  G03G5/147

CPC classification number: G03G5/043 ,  G03G5/10 ,  G03G5/102 ,  G03G15/00 ,  G03G5/14 ,  G03G5/147

Abstract: 本发明涉及电子照相感光体、处理盒和图像形成设备。所述电子照相感光体包含：导电性支持体，其中在外周面上不存在(i)开口直径大于400μm的凹部及(ii)开口直径为100μm～400μm且深度与开口直径之比大于0.12的凹部，其中，即使在导电性支持体的外周面上存在开口直径为100μm～400μm且深度与开口直径之比为0.12以下的第一凹部，并且在最外层的外周面上存在反映第一凹部的第二凹部的情况下，第二凹部的深度与开口直径之比不大于0.030。