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公开(公告)号：CN114460507A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111621939.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 宜昌测试技术研究所
IPC: G01R33/032 , G02B27/00
Abstract: 本发明公开了一种低转向差的芯片光泵磁强计的光路及设计方法，所述光路为：激光器VCSEL输出线偏振光；所述线偏振光经过λ/4波片后形成左/右旋圆偏振光；所述左/右旋圆偏振光通过第一MEMS原子气室；然后再经过λ/2波片后形成右/左旋圆偏振光；所述右/左旋圆偏振光通过第二MEMS原子气室；当第一MEMS原子气室和第二MEMS原子气室外部的射频线圈中的射频信号频率与第一MEMS原子气室和第二MEMS原子气室内的工作原子在待测磁场中的拉莫尔进动频率相等时，则发生磁共振，即可得待测磁场的磁共振信号；本发明能够适用于芯片级光泵磁强计，使得一束激光通过MEMS原子气室，能够减小芯片光泵磁强计的体积，并抑制芯片光泵磁强计的转向差。
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