公开(公告)号：CN103583055B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280026079.4

申请日：2012-05-29

Applicant: 奥林巴斯株式会社

Inventor： 松本一哉 ,  唐木和久 ,  长谷川守 ,  若琳胜裕

IPC: H04R19/00 ,  A61B8/12 ,  F04B43/04

CPC classification number: A61B8/4483 ,  A61B8/12 ,  A61B8/445 ,  B06B1/0292 ,  B06B2201/76 ,  H02N1/002 ,  H02N1/08

Abstract: US元件（20）具备硅衬底（11）以及在硅衬底（11）上按顺序层叠的：下部电极层（12），具有多个下部电极部（12A）和多个下部布线部（12B），与被施加驱动信号以及偏置信号的下部电极端子（52）连接；下部绝缘层（13）；形成多个空腔（14）的上部绝缘层（15）；上部电极层（16），具有多个上部电极部（16A）和多个上部布线部（16B）、与用于检测电容信号的、接地电位的上部电极端子（51）连接；以及保护层（17），并且US元件（20）还具备至少在上述下部布线部（12B）的上侧形成的、与接地电位的屏蔽电极端子（53）连接的屏蔽电极部（71）。