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公开(公告)号：CN104203998A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380018654.0
申请日：2013-02-01
Applicant: 大金工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C08F16/12 , C08F4/54 , C08F297/00 , C09D5/00 , C09D171/00 , C09K3/18
CPC classification number: C08F4/54 , C08G65/007 , C08G2650/48 , C09D5/1662 , C09D171/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种兼备优异的拨油性和在通用溶剂(不含氟的有机溶剂)中的高溶解性的含氟共聚物、以及含有该含氟共聚物的拨油性和/或拨水性涂敷剂。本发明提供下述式(1)所示的含氟共聚物，式中，Ra1、Ra2、Ra3、Xa、Xc、Rc、Q、k、n1与说明书的记载相同。
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公开(公告)号：CN112047913A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010909196.1
申请日：2014-10-02
Applicant: 大金工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C07D307/89
Abstract: 本发明的目的在于，能够合成多种在四氟乙烯结构(‑CF2‑CF2‑)的两末端具有有机基团的含氟化合物。本发明提供一种含氟络合化合物，其含有式(1a)：R1‑CF2‑CF2‑M1 (1a)[式中，M1表示选自铜、锌、镍、铁、钴和锡中的金属；且R1表示有机基团。]所示的含氟有机金属化合物以及选自具有吡啶环的化合物和膦中的配体。
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公开(公告)号：CN105936823A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610124361.6
申请日：2016-03-04
Applicant: 大金工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够以低成本、对环境的影响小、通过安全且简便的操作在硅基板等被处理物的表面形成倒金字塔构造的纹理的蚀刻处理用组合物。本发明的解決方法为一种蚀刻处理用组合物，该蚀刻处理用组合物含有含氮芳香族杂环化合物和氟化氢。
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公开(公告)号：CN105683200A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480054514.3
申请日：2014-10-02
Applicant: 大金工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C07F1/08 , C07B37/04 , C07C17/263 , C07C22/08 , C07C37/18 , C07C39/367 , C07C41/30 , C07C43/225 , C07C45/45 , C07C47/55 , C07C49/233 , C07C49/235 , C07C49/84 , C07C67/333 , C07C69/65 , C07C69/76 , C07C209/68 , C07C211/52 , C07C253/30 , C07C255/50 , C07C381/00 , C07D213/26 , C07D307/87 , C07D333/12 , C07F5/02 , C07F7/12 , C07F7/18
Abstract: 本发明的目的在于，能够合成多种在四氟乙烯结构(-CF2-CF2-)的两末端具有有机基团的含氟化合物。本发明提供一种含氟络合化合物，其含有式(1a)：R1-CF2-CF2-M1(1a)[式中，M1表示选自铜、锌、镍、铁、钴和锡中的金属；且R1表示有机基团。]所示的含氟有机金属化合物以及选自具有吡啶环的化合物和膦中的配体。
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公开(公告)号：CN105210205A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480028347.5
申请日：2014-05-16
Applicant: 大金工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: H01L51/46 , C07D209/58 , C08K3/04 , C08L65/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为n型半导体、特别是作为有机薄膜太阳能电池等的光电转换元件用的n型半导体具有优异的性能的材料。本发明提供包含后述定义的纯度为99％以上的式(1)所示的富勒烯衍生物的n型半导体材料，[式中，环A表示C60富勒烯；R1表示氢原子、可以具有1个以上的取代基的烷基或可以具有1个以上的取代基的芳基；且Ar表示可以取代有1个以上的烷基的芳基。]。上述纯度在将关于碳的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值、关于氢的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值和关于氮的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值之中的最大值设为Dmax(％)时，由下式定义：纯度(％)＝100-Dmax(％)，式(1)为：。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105209433A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480028220.3
申请日：2014-05-16
Applicant: 大金工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C07D209/70 , C07D409/04 , C07D417/04 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC classification number: H01L51/0047 , C07D209/70 , C07D409/04 , C07D417/04 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为n型半导体、特别是作为有机薄膜太阳能电池等的光电转换元件用的n型半导体具有优异的性能的材料。本发明涉及式(1)所示的富勒烯衍生物。[式中，R1a和R1b相同或不同，表示氢原子或氟原子，R1c和R1d相同或不同，表示氢原子、氟原子、烷基、烷氧基、酯基或氰基，R2表示(1)可以取代有选自氟原子、烷基、烷氧基、酯基和氰基中的1个以上的取代基的苯基或者(2)可以取代有1～3个甲基的5元杂芳基，且环A表示富勒烯环。其中，R1a、R1b、R1c和R1d为氢原子时，R2为取代有1或2个氟原子的苯基或可以取代有1～3个甲基的5元杂芳基。]式(1)：。
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公开(公告)号：CN103733357A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280039417.8
申请日：2012-08-10
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 大金工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L31/02363 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，包括（1）使含有至少一种具有N-F键的有机化合物的材料与固体材料的表面接触的工序；和（2）对上述固体材料进行加热的工序，由此，能够不使用引起地球变暖的环境负荷高的气体类、或者反应性、毒性高且危险的氟气、氢氟酸，能够安全且简便地进行蚀刻，并且蚀刻速度提高。上述蚀刻方法还可以包括：（3）对固体材料从含有至少一种具有N-F键的有机化合物的材料一侧进行曝光的工序、和／或（4）将含有至少一种具有N-F键的有机化合物的材料与该材料和固体材料之间的残渣一起除去的工序。特别是通过使加热温度达到高温实施光照射，能够形成适合用于太阳能电池用固体材料的表面的陷光和／或防反射加工的倒金字塔形状的凹部。
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公开(公告)号：CN103429559A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280012648.X
申请日：2012-03-08
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 大金工业株式会社
IPC: C07C17/263 , C07C22/08 , C07F5/04 , C07B61/00
CPC classification number: C07C17/26 , C07C17/263 , C07C45/61 , C07C45/68 , C07C67/343 , C07C253/30 , C07F5/025 , C07F5/04 , C07C22/08 , C07C255/50 , C07C47/55 , C07C69/76
Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造方法，其能够由含氟烯烃简便且有效地（高收率、高选择性、低成本）地制造取代有有机基团的含氟烯烃。一种取代有有机基团的含氟烯烃的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在含有选自镍、钯、铂、铑、钌和钴中的过渡金属的有机过渡金属催化剂的存在下，使含氟烯烃与有机硼化合物反应。
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公开(公告)号：CN100421778C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200480023551.4
申请日：2004-06-18
Applicant: 大金工业株式会社
CPC classification number: B01D19/0068 , B01D11/0407 , D06F43/08 , G03F7/3092 , H01L21/31133
Abstract: 本发明涉及一种从含有至少一种表面活性剂的水-二氧化碳体系中回收表面活性剂的方法，其中通过使所述体系与脱水剂相接触，以去除水并回收二氧化碳。另外，本发明涉及一种方法，其特征在于，在循环管道中安装用以选择性地去除目标去除物的装置，所述管道中循环的是含有二氧化碳、与二氧化碳相容的表面活性剂和/或助溶剂以及目标去除物的混合体系；使所述混合体系循环；选择性地去除加入在所述表面活性剂和/或助溶剂中的所述目标去除物。
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公开(公告)号：CN105210205B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201480028347.5
申请日：2014-05-16
Applicant: 大金工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C07D209/58 , H01L51/46 , C08K3/04 , C08L65/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为n型半导体、特别是作为有机薄膜太阳能电池等的光电转换元件用的n型半导体具有优异的性能的材料。本发明提供包含后述定义的纯度为99％以上的式(1)所示的富勒烯衍生物的n型半导体材料，[式中，环A表示C60富勒烯；R1表示氢原子、可以具有1个以上的取代基的烷基或可以具有1个以上的取代基的芳基；且Ar表示可以取代有1个以上的烷基的芳基。]。上述纯度在将关于碳的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值、关于氢的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值和关于氮的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值之中的最大值设为Dmax(％)时，由下式定义：纯度(％)＝100‑Dmax(％)式(1)：
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