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公开(公告)号：CN103155116B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201180046520.0
申请日：2011-09-22
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/24
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67173 , H01L21/6776
Abstract: 本发明的目的在于将含硅物的蚀刻量的控制简化。在前处理工序中，从前处理喷嘴(42)吹出含有第二氧化性反应成分的处理流体，使其与被处理物(9)接触。接着，在蚀刻处理工序中，在利用移动装置(20)以横穿处理空间(39)内的方式使被处理物(9)移动的同时，将含有氟系反应成分和第一氧化性反应成分的处理气体供给至处理空间(39)，使其与被处理物(9)接触。
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公开(公告)号：CN101296549B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200810094984.9
申请日：2004-05-13
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32357 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
Abstract: 本发明公开了一种等离子处理设备，包括：由用于形成等离子化空间的一对电极组成的电极结构；设置成以遮蔽所述电极结构的朝向所述物体的侧面的电接地的传导件；以及介于所述电极结构和所述传导件之间并设置成以使其彼此绝缘的绝缘装置，所述绝缘装置分成包括用于形成连接到所述等离子化空间的下游的处理气体引出路径的表面的第一绝缘部分，以及分离设置在所述第一绝缘部分的所述引出路径侧的相反侧上并彼此分离的第二绝缘部分。
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公开(公告)号：CN102149460A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135309.9
申请日：2009-09-07
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: B01J19/08 , B01D53/22 , H01L21/3065
CPC classification number: B01D53/229 , B01D2257/2027 , B01D2258/0216 , H01L21/32137
Abstract: 在大气压等离子体处理中，抑制氟原料的回收率或回收浓度的波动，以保证处理的稳定性。通过分离部(4)的分离膜(41)将离开大气压等离子体处理部(2)到达废气管线(30)的废气分离成用于回收管线(50)的回收气体和用于释放管线(60)的释放气体。将回收气体用作处理气体的至少一部分。在分离时，根据处理气体的流率调整回收气体、释放气体和废气中的至少两种气体的与分离相关的物理量(优选压力)，使得氟原料的回收率或回收浓度中的一项或两项达到期望值。
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公开(公告)号：CN100433263C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200480018059.8
申请日：2004-06-24
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/455 , H05H1/46
Abstract: 在用于将处理气体通过孔排比如狭缝喷射到有待处理的物体的表面的处理设备中，即使该孔排很短，具有大面积的物体的表面也可以被有效地处理。多个电极板(11，12)被并排地设置于等离子表面处理设备(M)的处理器(1)上。狭缝状的孔排(10a)形成于相邻的电极板之间，并且由并排设置的孔排(10a)组成孔排组(100)。该物体(W)通过移动机构(4)沿着每个狭缝(10a)的延伸方向移动。
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公开(公告)号：CN101296549A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810094984.9
申请日：2004-05-13
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32357 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
Abstract: 本发明涉及等离子处理设备及其制作方法，其中传导元件51相对电极结构30设置在与物体W相对的边上。传导元件51电接地。绝缘装置45插在电极结构30和传导元件51之间。绝缘装置45分为第一绝缘部分41和第二绝缘部分42。第一绝缘部分41形成与电极之间的所述等离子化空间30a的下游相连的引出路径40a，第二绝缘部分42相对第一绝缘部分41被分离设置在与引出路径40a相对的边上，第一和第二绝缘部分41、42可彼此分离，如果第一绝缘部分41被损坏，只简单的对第一绝缘部分41进行更换，而没有必要更换整个绝缘装置45，只有第一绝缘部分41由等离子电阻高于第二绝缘部分42的材料构成，其结果是可大大降低材料成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102498550B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201080041037.9
申请日：2010-08-25
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/24
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32357 , H01J37/32825 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
Abstract: 在防止有机膜的升高和剥离的同时蚀刻含硅膜。将基本上不含氢原子的原料气引入到处于近大气压下的等离子体生成空间23中，以产生蚀刻气体。使蚀刻气体与包括含硅膜92和有机膜93的待处理目标物90接触。可以通过氧化氮(NOx)将含硅膜92氧化。原料气含有7至80体积％的不含氢原子的氟系原料，7至80体积％的氮气(N2)和5至60体积％的氧气(O2)。
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公开(公告)号：CN102834902B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201180015715.9
申请日：2011-03-24
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/32082 , H01J37/32825 , H01L21/6708 , H01L21/6776 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法及装置，沿着压力接近大气压的传送路径(11)连续传送被处理物(9)。在传送路径(11)的上游侧的位置上，从供给喷嘴(21)向被处理物(9)供给蚀刻液，对金属膜(97)进行湿式蚀刻。接着，在传送路径(11)的下游侧的处理空间(19)，使包含氟系反应成分及氧化性反应成分的蚀刻气体接触被处理物(9)的表面，对半导体膜(94)进行干式蚀刻。氟系反应成分是通过大气压等离子生成的。根据被处理物(9)的传送速度，按照被处理物(9)通过处理空间(19)的期间内的蚀刻深度对应于掺入了杂质的膜部分(96)的厚度的方式，设定蚀刻速率。由此，能够使半导体装置的沟道部分等的蚀刻更高效化，从而能够缩短处理时间。
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公开(公告)号：CN102210014B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200980145086.4
申请日：2009-09-16
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32752 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67069
Abstract: 为了防止处理气体从用于处理被处理物表面的处理槽中泄漏，并稳定处理空间中的处理气体的流动。被处理物(9)由输送机(20)通过入口(13)输送到处理槽(10)的内部，并被定位处理空间(19)中。处理气体由供给系统(30)供给至处理空间(19)，并且对被处理物(9)进行表面处理。随后，通过出口(14)将被处理物(9)输送出。处理槽(10)内部的气体由排气系统(40)排出。气体的排出使处理槽(10)外面的气体通过开口(13，14)流入处理槽(10)的内部，使得流入气体的平均流速至少为0.1m/sec，但仍然小于将允许流入气体到达处理空间的速度。
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公开(公告)号：CN103155116A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180046520.0
申请日：2011-09-22
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/24
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67173 , H01L21/6776
Abstract: 本发明的目的在于将含硅物的蚀刻量的控制简化。在前处理工序中，从前处理喷嘴(42)吹出含有第二氧化性反应成分的处理流体，使其与被处理物(9)接触。接着，在蚀刻处理工序中，在利用移动装置(20)以横穿处理空间(39)内的方式使被处理物(9)移动的同时，将含有氟系反应成分和第一氧化性反应成分的处理气体供给至处理空间(39)，使其与被处理物(9)接触。
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公开(公告)号：CN102834902A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180015715.9
申请日：2011-03-24
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/32082 , H01J37/32825 , H01L21/6708 , H01L21/6776 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法及装置，沿着压力接近大气压的传送路径(11)连续传送被处理物(9)。在传送路径(11)的上游侧的位置上，从供给喷嘴(21)向被处理物(9)供给蚀刻液，对金属膜(97)进行湿式蚀刻。接着，在传送路径(11)的下游侧的处理空间(19)，使包含氟系反应成分及氧化性反应成分的蚀刻气体接触被处理物(9)的表面，对半导体膜(94)进行干式蚀刻。氟系反应成分是通过大气压等离子生成的。根据被处理物(9)的传送速度，按照被处理物(9)通过处理空间(19)的期间内的蚀刻深度对应于掺入了杂质的膜部分(96)的厚度的方式，设定蚀刻速率。由此，能够使半导体装置的沟道部分等的蚀刻更高效化，从而能够缩短处理时间。
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