等离子体处理装置
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1144896C

    公开(公告)日:2004-04-07

    申请号:CN00137365.X

    申请日:2000-12-07

    CPC classification number: H01J37/32192 H01J37/3244

    Abstract: 本发明的等离子体处理装置具有向处理室12内放射等离子体的电介质板5和支承该电介质板5的电介质支承部件6A~6D。在电介质支承部件6A~6D上设置向处理室内部12供给反应气体的多个气体导入孔6a。该气体导入孔6a的吹出口朝着基板8的表面开口,且被配置在电介质板5的外周区域上。容器盖1及电介质板支承部件6A~6D施加接地电位,基板8上施加偏电位。从而,可以得到使用均匀的等离子体均匀地处理大面积基板,且成本低的等离子体处理装置。

    等离子体处理装置
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1322007A

    公开(公告)日:2001-11-14

    申请号:CN01120789.2

    申请日:2001-03-21

    CPC classification number: H01J37/32192 C23C16/4401 C23C16/511

    Abstract: 本发明提供一种能够防止异常等离子体的发生、可稳定地实施均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备:处理室(1、2);微波发射构件(5);以及反应气体供给装置(14、15、21、22),反应气体供给装置包含反应气体供给路(15),该供给路具有在微波发射构件的另一壁面和处理室内壁面的一部之间形成的空间,还具备防微波透射构件(16),该防微波透射构件被配置在微波发射构件的另一壁面上的面对反应气体供给路的区域上。

    等离子体处理装置
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1300875A

    公开(公告)日:2001-06-27

    申请号:CN00137365.X

    申请日:2000-12-07

    CPC classification number: H01J37/32192 H01J37/3244

    Abstract: 本发明的等离子体处理装置具有向处理室12内放射等离子体的电介质板5和支承该电介质板5的电介质支承部件6A~6D。在电介质支承部件6A~6D上设置向处理室内部12供给反应气体的多个气体导入孔6a。该气体导入孔6a的吹出口朝着基板8的表面开口,且被配置在电介质板5的外周区域上。容器盖1及电介质板支承部件6A~6D施加接地电位,基板8上施加偏电位。从而,可以得到使用均匀的等离子体均匀地处理大面积基板,且成本低的等离子体处理装置。

    等离子体处理装置
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1165969C

    公开(公告)日:2004-09-08

    申请号:CN01120789.2

    申请日:2001-03-21

    CPC classification number: H01J37/32192 C23C16/4401 C23C16/511

    Abstract: 本发明提供一种能够防止异常等离子体的发生、可稳定地实施均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备:处理室(1、2);微波发射构件(5);以及反应气体供给装置(14、15、21、22),反应气体供给装置包含反应气体供给路(15),该供给路具有在微波发射构件的另一壁面和处理室内壁面的一部之间形成的空间,还具备防微波透射构件(16),该防微波透射构件被配置在微波发射构件的另一壁面上的面对反应气体供给路的区域上。

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