公开(公告)号：CN1767214A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510119232.X

申请日：2005-10-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： A·O·阿丹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/165 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明揭示一种沟槽型MOSFET，在依次将P型的高掺杂漏极部即基板、P型的低掺杂漏极部即外延层、N型的本体部、以及P型的源极扩散部相邻形成的半导体基板上，形成沟槽部。再在与沟槽部绝缘的状态下，形成源极扩散部以覆盖沟槽部，从而能降低沟槽型MOSFET的导通(ON)电阻。

公开(公告)号：CN1649261A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410082054.3

申请日：2004-12-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： A·O·阿丹

IPC: H03H7/01 ,  H03H19/00 ,  H03H11/12

CPC classification number: H03H11/1217 ,  H03H11/1278

Abstract: 减小在半导体集成电路中形成的运算放大器反馈部的电容器电容。本发明的有源滤波器包括在半导体集成电路中形成的运算放大器，在运算放大器的输出端子和反向输入端子或非反向输入端子之间连接的电容元件由多个电容元件(3～5)构成，不需要特别的技术或修改集成电路工艺，而且，不会引起S/N比劣化，也不会引起开关噪声及电力消耗的增大，能够减小运算放大器的反馈部的电容值。