公开(公告)号：CN105684159B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201480058657.1

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  邹柳民 ,  小林正道

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/28 ,  H01L31/0747

Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变大，从而提高元件特性的光电转换装置。光电转换元件(10)具备硅基板(12)、第1非晶态半导体层(20n)、第2非晶态半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。一方的电极(22n)包括第1导电层(26n、26p)和第2导电层(28n、28p)。第1导电层(26n、26p)将第1金属作为主要成分。第2导电层(28n、28p)包含比第1金属更容易被氧化的第2金属，与第1导电层(26n、26p)相接地形成，并且与第1导电层(26n、26p)相比更配置于硅基板(12)的附近。

公开(公告)号：CN108028290A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052868.3

申请日：2016-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 国吉督章 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  原田真臣 ,  酒井敏彦 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0747

Abstract: 本发明提供抑制硼的扩散，并能使转换效率提高的光电转换元件及光电转换模块。光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。

公开(公告)号：CN107667435A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201680028567.7

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/075

Abstract: 光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。

公开(公告)号：CN107532289A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680022950.1

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  神川刚 ,  原田真臣 ,  国吉督章 ,  邹柳民

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/04 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

Abstract: 在基板形成薄膜的成膜方法，具有紧贴工序、外力去除工序及成膜工序。紧贴工序(工序B)将紧贴用部件(31)以接触于基板(30)的一面的方式重叠，在向基板(30)与紧贴用部件(31)重合的方向施加外力的状态下，将基板(30)与紧贴用部件(31)置于真空下。外力去除工序(工序C)在大气压下或真空下将外力去除。成膜工序(工序E)在基板(30)的一面或另一面上形成薄膜。

公开(公告)号：CN105679846B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201510856132.9

申请日：2015-11-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，即使减小n型半导体层上的电极与p型半导体层上的电极的间隔，pn结也不易短路。光电转换装置具备在半导体基板(101)的背面形成的n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)。另外，在n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)中的至少一个半导体层上，形成相间隔地配置的多个电极(103)。在多个电极(103)的表面形成导电部(302)，通过导电部(302)将多个电极(103)电连接。