公开(公告)号：CN111106134A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201910979618.X

申请日：2019-10-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板以及具备其的X射线拍摄面板、以及有源矩阵基板的制造方法。有源矩阵基板(1)具备TFT(13)。TFT(13)具有：栅电极(13a)；半导体层(13b)，其隔着栅极绝缘膜(102)而与栅电极(13a)重叠；源电极(13c)，其配置于半导体层(13b)上；以及漏电极(13d)。源电极(13c)、漏电极(13d)、半导体层(13b)被第一绝缘膜(103)覆盖。栅极绝缘膜(102)在覆盖栅电极(13a)的周缘部的部分具有第一高低差部(1021)。第一绝缘膜(103)在第一高低差部(1021)处，在俯视观察时与未被源电极(13c)和漏电极(13d)覆盖的部分重叠的位置具有第一开口(103b)。

公开(公告)号：CN110800111A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201880042329.0

申请日：2018-06-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/144 ,  H01L29/786

Abstract: 一种具有像素区域的有源矩阵基板，具备：端子部(P2)；保护环(P4)；以及连接部(P3)，其连接端子部(P2)和保护环(P4)。像素区域、端子部(P2)以及保护环(P4)具有：第1金属膜(231)；第1导电层(13s)，其层叠有电阻比第1金属膜(231)的电阻低的第2金属膜(232、233)；第1保护层(103)，其配置成与第1导电层(13s)的至少一部分重叠；以及第2保护层(105)，其配置于第1保护层(103)之上。像素区域具有设置于第1保护层的上层的第2导电层。连接部(P2)具有第1金属膜(231)和配置于第1金属膜(231)之上的第2保护层(105)。端子部(P2)和保护环(P4)中的第1导电层(13s)的连接部侧的端部配置于比第1保护层(103)的连接部侧的端部靠内侧的位置。第2导电层(141)和第2金属膜(232、233)包含能用相同的蚀刻液进行蚀刻的材料。

公开(公告)号：CN110462843A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880022608.0

申请日：2018-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: TFT基板(106)具有电介质基板(1)和在电介质基板上排列的多个天线单位区域(U)。多个天线单位区域各自具有：TFT(10)；贴片电极(15)，其电连接到TFT的漏极电极(7D)；辅助电容电极(7C)，其与漏极电极电连接；第1辅助电容相对电极(3C)，其隔着电介质层(4)与辅助电容电极相对；以及第2辅助电容相对电极(15C)，其位于辅助电容电极的与第1辅助电容相对电极相反的一侧，隔着其它电介质层(11)与辅助电容电极相对。

公开(公告)号：CN110164883A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910112659.9

申请日：2019-02-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种能够抑制由偏压配线的高电阻化引起的检测不良的技术。有源矩阵基板(1)以矩阵状具备的多个检测部。多个检测部的每一个具备：光电转换层(15)、夹着光电转换层(15)的一对的第一电极(14a)及第二电极(14b)、覆盖光电转换层(15)的侧端部的绝缘膜(106)、设置在绝缘膜(106)上且对第二电极(14b)施加偏压的偏压配线(16)、以及设置在绝缘膜(106)上且覆盖偏压配线(16)的表面并包含对酸具有抗性的导电材料的保护膜(17)。第二电极(14b)的至少一部分覆盖保护膜(17)。

公开(公告)号：CN110100311A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201780080214.6

申请日：2017-12-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/336 ,  H01L27/144 ,  H01L29/786 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

Abstract: 提供能提高生产性的X射线摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像。摄像面板(1)在基板(101)上具有有源区域和端子区域。在有源区域中具备：薄膜晶体管；第1绝缘膜，其设置于薄膜晶体管之上；光电转换元件，其设置于第1绝缘膜之上；第2绝缘膜，其分开配置于光电转换元件的上层，具有接触孔；以及导电膜，其经由接触孔与上述光电转换元件连接。光电转换元件包含光电转换层，该光电转换层包含第1半导体层、本征非晶质半导体层以及第2半导体层。端子区域具备：第1导电层(100)，其包括与薄膜晶体管的栅极电极或源极电极相同的材料；端子用第1绝缘膜(103)，其包括与第1绝缘膜相同的材料，在第1导电层(110)的一部分之上分开设置，具有开口；端子用半导体层(1501)，其设置于端子用第1绝缘膜(103)之上，包括与光电转换层的至少一部分半导体层相同的材料；以及第2导电层(1702)，其设置于端子用半导体层(1501)之上，包括与上述导电膜相同的材料，在端子用第1绝缘膜(103)的开口中与第1导电层(100)连接。

公开(公告)号：CN109891598A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780066430.5

申请日：2017-10-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01Q3/36 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板(105)具有：栅极金属层(3)，其包含TFT(10)的栅极电极(3G)和贴片电极(3PE)；栅极绝缘层(4)，其形成于栅极金属层上，具有到达贴片电极的第1开口部(4a)；源极金属层(7)，其形成于栅极绝缘层上，包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极(7D)以及从漏极电极延伸设置的漏极延设部(7de)；层间绝缘层(11)，其形成于源极金属层上，具有在从电介质基板(1)的法线方向观看时与第1开口部重叠的第2开口部(11a)和到达漏极延设部的第3开口部(11b)；以及导电层(19)，其形成于层间绝缘层上，包含贴片漏极连接部(19a)。贴片漏极连接部在第1开口部内与贴片电极接触，在第3开口部内与漏极延设部接触。

公开(公告)号：CN109716526A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780057582.9

申请日：2017-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/20 ,  H01L27/144 ,  H04N5/32 ,  H04N5/374

Abstract: 提供能抑制截止漏电流的X射线的摄像面板及其制造方法。摄像面板具备光电二极管，上述光电二极管包括：下部电极；光电转换层(15)，其设置于下部电极之上；以及上部电极(14b)，其设置在光电转换层(15)之上。光电转换层(15)包括第1非晶质半导体层(151)、本征非晶质半导体层(152)以及第2非晶质半导体层(153)。光电转换层(15)具有至少第2非晶质半导体层(153)的上端部(1531)比本征非晶质半导体层(152)的上端部(1521)更向光电转换层(15)的外侧突出而成的突起部(15a)。

公开(公告)号：CN109478515A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780046128.3

申请日：2017-07-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/13 ,  H01L29/786 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板具有：栅极金属层，其包含TFT(10)的栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)，其形成在栅极金属层上；源极金属层，其形成在栅极绝缘层上，并包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极(7D)以及贴片电极(7PE)。源极金属层包含：第一金属层，其含有Ti、Mo、Ta、W及Nb中的任一种；和第二金属层，其形成在第一金属层上，并含有Cu、Al、Ag及Au中的任一种。源极电极及漏极电极分别包含第一金属层及第二金属层。源极电极的第一金属层(7SL)与漏极电极的第一金属层(7DL)之间在沟道方向上的距离小于源极电极的第二金属层(7SU)与漏极电极的第二金属层(7DU)之间在沟道方向上的距离。

公开(公告)号：CN104024996B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201280064430.9

申请日：2012-12-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044

CPC classification number: G06F3/044 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1362 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04111

Abstract: 本发明能够得到具有能够将配线和端子稳定地连接的端子构造的触摸面板的结构。触摸面板具备：绝缘性的基板(10)；在上述基板(10)上形成的在第一方向延伸的第一电极；在上述基板(10)上形成的在与上述第一方向交叉的第二方向延伸的第二电极；将上述第一电极和上述第二电极相互绝缘的第一绝缘膜(15)；在上述基板(10)上形成的端子部(18)；和将上述第一电极以及上述第二电极与上述端子部(18)电连接的配线(14)。上述端子部(18)包括：与上述配线(14)的下表面接触地形成的第一导电膜(181)；和与上述第一导电膜(181)的上表面接触地形成的第二导电膜(182)，上述第二导电膜(182)与上述配线(14)仅在上述配线(14)的侧面部接触。

公开(公告)号：CN103270476B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180061801.3

申请日：2011-12-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: G06F3/041

CPC classification number: G06F3/041 ,  G02F1/13338 ,  G06F3/044

Abstract: 将触摸区域（T1）内部的导电图案（17）与引出配线（30）电连接的连接导电部（33）包括：在层间绝缘膜（23）的下层与引出配线（30）的引出基端部（30s）重叠地连接的第一连接层（34A）；和与第一连接层（34A）连接并隔着层间绝缘膜（23）跨越周边配线（32）的第二连接层（34B）。