公开(公告)号：CN85201923U

公开(公告)日：1986-03-19

申请号：CN85201923

申请日：1985-05-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 鲍敏杭

IPC: H01L29/00

Abstract: 在硅膜中心部位设置四端单元件力敏器件是利用某些特定形状的硅膜的中心部分的应力变化缓慢的特点进行设计的。此设计可减少器件对工艺中定位偏差的敏感性，特别是提高了在小型化硅膜上制作器件的现实性。

公开(公告)号：CN2382014Y

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN98224984.5

申请日：1998-08-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 鲍敏杭 ,  沈绍群 ,  杨恒

IPC: G01L7/18

Abstract: 一种微压传感器测量标定装置,由两个连通的均横截面容器、带有标尺和刻度转盘的精密丝杆以及支架构成。容器中注有液体,并使其有恰当的液位。其中一个容器开口,由精密丝杆控制其上下移动;另一容器密闭、固定,与被测传感器连接。根据精度要求,选择合适容器横截面、容器上方的空间体积、丝杆精度。测量标定时,只要逐次转动转盘,使开口容器移动到与测试压强相应的高度,记录传感器的响应输出即可。使用本装置操作方便、速度快,精度高、可取代同类的测量标定仪器。

公开(公告)号：CN2069171U

公开(公告)日：1991-01-09

申请号：CN89214652.4

申请日：1989-07-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 赵甘鸣 ,  黄宜平 ,  鲍敏杭

IPC: H01L49/00 ,  G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本实用新型属半导体压力传感器领域。包括硅芯片、安装芯片的底板和管座，引出线等，压阻器件与硅衬底之间有由多孔硅氧化法获得的二氧化硅介质层作为隔离层。该隔离层隔离性能优良，漏电流甚微，两个分离器件间的击穿电压超过200伏，该传感器既保持了单晶硅型压力传感器的高灵敏度特性，又可在高温环境下工作。