公开(公告)号：CN114596903A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210183553.X

申请日：2022-02-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 薛晓勇 ,  姜婧雯 ,  黄晓丽 ,  赵晨阳 ,  方晋北 ,  陈德扬 ,  郭之望

IPC: G11C16/10

Abstract: 本发明公开了一种动态调控的忆阻器编程方法和系统；该方法包括：根据不同应用场景，对忆阻器所存储的数据进行分析和分类，根据数据热度将数据分为热数据、温数据、冷数据，对于冷数据，由进行编程操作时限流需要高电流，对于热数据，限流用较低电流值；为提高存储系统可靠度，设置基准时间，对于存放热数据的忆阻器，如果在基准时间内其数据没有被访问，则将进行重新写入操作。本发明能够保证存储系统的可靠度，同时本发明能极大减少热数据比例高的存储任务的功耗，从而实现低功耗忆阻器编程方法，避免写功耗受制于大量冷数据。

公开(公告)号：CN112420097A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011312361.1

申请日：2020-11-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 薛晓勇 ,  赵晨阳 ,  方晋北 ,  陈德扬 ,  杨何勇 ,  张洵铭

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种单字线的自旋轨道矩磁性随机存储器。本发明存储器的存储单元包括：一个重金属导电层、一个磁阻元件和两个开关元件；磁阻元件有三层，分别是磁化方向固定的磁性材料层、非磁性材料层、磁化方向可变的磁性材料层；第一开关元件用于控制存储单元写入通路的导通或关闭，第二开关元件用于控制存储单元读取通路的导通或关闭；当第一开关元件是NMOS管时，第二开关元件是PMOS管；当第一开关元件是PMOS管时，第二开关元件是NMOS管。本发明的自旋轨道矩磁性随机存储器，利用NMOS管和PMOS管分别控制写入和读取操作，从而将传统方案中的写字线与读字线合并，实现减小面积代价、简化控制逻辑的效果。

公开(公告)号：CN110991629A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911062196.6

申请日：2019-11-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 薛晓勇 ,  杨何勇 ,  赵晨阳 ,  姜婧雯 ,  田丰实 ,  章志元

IPC: G06N3/063 ,  H03H11/46

Abstract: 本发明属于神经元器件技术领域，具体为一种基于忆阻器的神经元电路。本发明的神经元电路包括：积分重置电路、电阻比较电路和脉冲输出电路；积分重置电路以外部电路的电流作为输入，通过忆阻器的复位或置位操作来实现对输入电流的积分，并以忆阻器实时阻值的监测电压作为输出；电阻比较电路接收实时监测电压，将其与参考电阻的电压信号进行比较，并将电阻比较结果输出给脉冲输出电路；当实时监测电压越过阈值，脉冲输出电路向外部电路输出神经脉冲信号，同时把反馈信号发送给积分重置电路，使积分重置电路的忆阻器阻值重置。本发明具有集成后面积代价低，且实时性好、误操作率低的特点。

公开(公告)号：CN110750300A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910881699.X

申请日：2019-09-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 薛晓勇 ,  李飞强 ,  梁成豪 ,  姜婧雯 ,  田丰实 ,  章志元 ,  王陈泽岱 ,  杨何勇 ,  赵晨阳

IPC: G06F9/30

Abstract: 本发明属于处理器技术领域，具体一种基于忆阻器存储器内处理的混合计算装置。本发明的混合计算装置包括通用处理核、指令存储器、基于忆阻器的具有存储器内处理的数据存储器、输入设备和输出设备；通用处理核包括基本计算机控制器和基本计算机运算器；指令存储器为一个用于存放程序指令的常规存储器；基于忆阻器的具有存储器内处理的数据存储器为一个能够实现特定逻辑功能的数据存储器；输入输出设备为系统所需的输入和输出设备。本发明的混合计算装置重新设计了系统数据通路和控制逻辑，可在存储器阵列或存储器阵列附近中处理一些数据，显著减少通过总线传输的数据，从而降低功耗并提高性能。