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公开(公告)号:CN103560172A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201310542462.1
申请日:2013-11-05
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/182 , C23C14/352
Abstract: 本发明公开了属于多晶硅薄膜太阳电池技术领域的一种制备高导电率多晶硅薄膜的方法。该方法在异质衬底上,利用磁控溅射同时溅射多晶硅和石墨,制备出掺杂有一定碳的多晶硅薄膜。从而可以改善多晶硅薄膜的导电性。本发明的方法操作简单,便于控制,通过控制沉积薄膜的时间、衬底温度、溅射功率、气体流量、溅射气压等来控制多晶硅中碳含量的改变,从而控制改变多晶硅薄膜的导电性。
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公开(公告)号:CN103715289B
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201310718065.5
申请日:2013-12-23
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明属于太阳能高倍聚光镜领域,针对传统Fresnel透镜中存在的聚焦光斑不均匀,在300~1800nm宽光谱范围内的聚光效果不理想的问题,提出了一种宽光谱均匀焦平面Fresnel透镜的设计方法。具体步骤为:根据GaInP/GaInAs/Ge三结聚光电池的光谱响应特性曲线得到各子电池光谱响应的中心波段,再从等齿宽且轴对称的透镜中心锯齿旁的第一个锯齿开始,每三个相邻的锯齿为一组,依次取波长,共计k组,然后由各单齿的设计波长,结合透镜材料的折射率色散数据和平面Fresnel透镜的设计公式,从而得到各单齿的具体结构。本发明有效降低透镜色散影响,有利于实现300~1800nm宽光谱范围内均匀聚光。
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