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公开(公告)号：CN109545869A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811241798.3
申请日：2018-10-24
Applicant: 四川大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/0725 , H01L31/073 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于一种利用光生伏打效应，将光能直接转变为电能的半导体器件，属于新型薄膜太阳电池的结构设计和制备之技术领域。传统的碲化镉太阳电池使用玻璃作为衬底，易损坏且不适合一些特殊场合；电池的短路电流密度接近极限。其电池组件单面有电池，背面的光无法穿透金属电极被电池利用。要制备有更高的短路电流密度太阳电池，一个可行的新结构是在金属薄片两面同时制备太阳电池，实现双面均可吸收利用太阳光。本发明全面考虑了半导体材料的性质，提出了双面三端子的柔性碲化镉太阳电池的结构。本发明在金属薄片两侧的碲化镉太阳电池可以同时完成制备工艺，这样可以快速制备出具备更高短路电流密度的柔性碲化镉太阳电池。
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公开(公告)号：CN102931275A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210417678.0
申请日：2012-10-29
Applicant: 四川大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种具有超晶格结构的新型薄膜太阳电池属于新型薄膜太阳电池的结构设计和制备之技术领域。随着第三代太阳电池概念的提出和薄膜太阳电池研究的发展，基于多带隙半导体太阳电池模型，半导体超晶格薄膜在太阳电池领域的应用备受关注。本发明为了提高薄膜太阳电池的效率，设计出对应于第三代太阳电池概念的单带差超晶格薄膜结构，该结构的关键之处，是采用两个单层薄膜夹住超晶格纳米薄膜，形成三明治结构；并首次提出了使用脉冲激光沉积技术来制备这种新型薄膜太阳电池的技术方法。这种单带差超晶格薄膜太阳电池的设计和制备为开发新型高效率的太阳电池提供了一个方向。
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公开(公告)号：CN116479246A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210036733.5
申请日：2022-01-13
Applicant: 四川大学 , 中国东方电气集团有限公司
Abstract: 本发明专利提供了一种提取镉的氯化蒸馏装置，能够将含镉化合物废物进行良好地回收提纯。提取镉的氯化蒸馏装置的反应釜为圆柱形中空，其外侧有冷却紫铜盘管，上端取料装置包括测量显示反应釜区域温度的顶部测温点，给反应釜抽真空的抽真空口和通气排气的气口以及冷却水供给与排放的冷却水进出口，上部还留有冷却水夹套；加热部分包括反应釜两侧的低温区以及反应釜底部可由升降台控制高度的高温区；保温区包括加热区域外围以及反应釜中部冷却紫铜盘管两侧；反应釜上部两侧为真空部分。本发明专利采用多功能一体化设计和区域控温技术，有效实现镉的有效提纯，且具有结构简单、技术难点低、安装运输方便等优点。
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公开(公告)号：CN115433999A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202111063259.7
申请日：2021-09-10
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种生长全无机非铅钙钛矿单晶的方法，包括将两种前驱体溶液混合，加热搅拌直至混合溶液中有固体物质产生；将籽晶杆插入装有混合溶液的容器中，在一定温度下加热直至有小晶粒在籽晶杆上生成，取出籽晶杆，选取合适的小晶粒作为籽晶，粘接在籽晶杆底面中心位置；将粘接了籽晶的籽晶杆插入装有混合溶液的容器中，在一定温度下对容器进行加热直至单晶生长到所需尺寸。本发明利用两种前驱体及产物在溶剂中的溶解度差异，通过固定溶液上下部的温度及浓度梯度，使得溶质持续从溶液下部向溶液上部输运，实现高质量单晶的连续生长；同时利用溶质在特定溶剂中溶解度较低的特性，有效降低了单晶生长过程的原料损耗，提高了单晶产率。
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公开(公告)号：CN108183144B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201711442471.8
申请日：2017-12-27
Applicant: 四川大学
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0296 , H01L31/18 , B23K26/362 , B23K26/402 , B23K26/60
Abstract: 本发明为一种提高碲化镉薄膜太阳电池测试准确性的激光刻划技术，公开了一种精准定义碲化镉薄膜太阳电池面积的方法，属于化合物半导体薄膜太阳电池的结构设计技术领域。通过用脉冲Nd:YAG激光对具有完整器件结构的CdTe薄膜太阳电池进行激光刻划，可消除金属电极边缘残余吸收层材料CdTe的存在引起入射光的横向收集导致电流虚高，同时刻消除边缘残余碲化镉对器件串联电阻并联电阻造成的影响，从而提供一种经济可行的精准定义碲化镉薄膜太阳电池面积从而得到更为可信的电池效率曲线之方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109755348A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910027475.2
申请日：2019-01-11
Applicant: 四川大学 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于低倍聚光碲化镉薄膜太阳电池组件的方法，属于化合物半导体薄膜太阳电池的结构设计技术领域。通过用脉冲Nd:YAG激光对具有完整器件结构的CdTe薄膜太阳电池进行激光刻划，得到面积可调的单元电池，通过用低温银浆结合金属焊接的方式引出金属背电极，用焊带将各子电池按照符合不同聚光比聚光器所需间隔进行串联集成，从而形成专用于低倍聚光组件的碲化镉薄膜太阳电池组件。
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公开(公告)号：CN104064617B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410260474.X
申请日：2014-06-13
Applicant: 四川大学
IPC: H01L31/073 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/543
Abstract: 具有碲钼多层复合薄膜的碲化镉太阳电池，属于新能源材料与器件领域。这种太阳电池采用一种碲钼多层复合薄膜作为碲化镉太阳电池的无铜过渡层。一方面，由于过渡层具有碲的析出相，因此在碲化镉退火后，无需采用湿法工艺获得富碲层。如果采用干法工艺，也无需单独沉积一碲层。另一方面，过渡层具有碲化钼的主相，作为p型半导体，与碲化镉价带不连续很小，可起到很好的过渡作用，实现碲化镉与金属电极间的欧姆接触。采用上述结构的太阳电池，避免了化学腐蚀，实现了低电阻接触，可有效提高太阳电池的性能和改善器件的长效稳定性。
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公开(公告)号：CN103730540A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410009620.1
申请日：2014-01-09
Applicant: 四川大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1852 , C23C14/0617 , C23C14/28 , H01L31/022441
Abstract: 本发明属于新型薄膜太阳电池的结构设计和制备之技术领域。常温下，AlSb的带隙为1.62eV，很适合作为薄膜太阳电池的吸收层，其理论转换效率高达28%以上。Al和Sb的自然资源丰富，在生产和使用过程中无毒。因此，AlSb基太阳电池具有良好的应用前景。然而，当AlSb薄膜直接暴露在空气中时，非常容易自潮解。故迄今为止，尚未见报道有光电转换效率的AlSb薄膜太阳电池。本发明旨在使用248nmKrF气体脉冲激光轰击计算机控制转靶的多种化合物材料及电极材料靶材，在衬底上依次沉积多层无组分偏析的晶态薄膜，当生成AlSb薄膜后随即覆盖上背接触层，遂即隔断了自潮解发生，最后沉积上背电极，制备完成AlSb基薄膜太阳电池。
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公开(公告)号：CN115433999B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111063259.7
申请日：2021-09-10
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种生长全无机非铅钙钛矿单晶的方法，包括将两种前驱体溶液混合，加热搅拌直至混合溶液中有固体物质产生；将籽晶杆插入装有混合溶液的容器中，在一定温度下加热直至有小晶粒在籽晶杆上生成，取出籽晶杆，选取合适的小晶粒作为籽晶，粘接在籽晶杆底面中心位置；将粘接了籽晶的籽晶杆插入装有混合溶液的容器中，在一定温度下对容器进行加热直至单晶生长到所需尺寸。本发明利用两种前驱体及产物在溶剂中的溶解度差异，通过固定溶液上下部的温度及浓度梯度，使得溶质持续从溶液下部向溶液上部输运，实现高质量单晶的连续生长；同时利用溶质在特定溶剂中溶解度较低的特性，有效降低了单晶生长过程的原料损耗，提高了单晶产率。
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公开(公告)号：CN115431624A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110618930.3
申请日：2021-06-03
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种热压法制备多层介电薄膜的方法，包括以下步骤：首先对填充的纳米钛酸钡（BaTiO3,BT）颗粒进行表面功能化，提高无机材料与有机材料的兼容性；将包覆的纳米BT颗粒均匀分散在N‑N二甲基甲酰胺（DMF）溶液中，并与聚偏氟乙烯（PVDF）配制成前驱体溶液，通过溶液铸膜法制备单层膜；将单层膜叠加热压制备多层膜，从而减小薄膜内部的缺陷，提高薄膜结构的致密性。与其他技术比，本发明解决了薄膜的均匀性差、介电常数离散度大的问题，且工艺简单，易于规模化生产，制备的薄膜具有优良的介电性能及均匀性，可应用在柔性电子领域。
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