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公开(公告)号：CN104749665B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510164384.5
申请日：2015-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明提供了一种基于介质材料的平面透镜单元、平面透镜及制备方法，单元包括高折射率介质材料组成的天线、二氧化硅填充层、银镜和二氧化硅基底。平面透镜包括以中心对称分布的平面透镜单元，平面透镜单元的天线在x轴上呈周期分布，在y轴上以y=0为对称中心对称分布。制备方法为：第一步是在二氧化硅基底上覆盖一层银膜，然后在银膜表面上继续用电子束蒸镀覆盖填充层二氧化硅和硅膜；第二步是在硅膜上旋涂光刻胶，然后用电子束曝光技术完成光刻胶的刻蚀和显影；第三步是采用反应离子束刻蚀技术实现对硅膜的刻蚀；第四步是经过剥离过程得到最终的纳米硅天线。该结构可以提高一个数量级的聚焦效率，因此具有很高的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN103592703A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310574700.7
申请日：2013-11-15
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明提供低损耗平面超透镜，平面超透镜是由交替出现的深色和浅色的多层膜组成，层数在20层到30层之间，深色部分是增益层，浅色部分是金属材料层，增益层材料厚度都为Wg，金属层厚度都为Wm；最顶层为金属层，最底层为增益层。低损耗平面超透镜的制作方法，步骤1.在平整的紫外透明基底上利用真空热蒸镀的办法蒸镀上厚度为Wg的增益层；步骤2.在步骤1得到的增益层的基础上，利用电子束蒸镀的办法镀上厚度为Wm的金属层；步骤3.在步骤2得到的平面膜的上面交替镀上周期性的增益层和金属层多层膜；步骤4.最后在表面上再镀上厚度为Wg的增益层作为保护层。这种超透镜的分辨率很高，重量很轻和厚度很薄，并且由于是一个平面结构，很容易集成和利用。
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公开(公告)号：CN106094199B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610652441.9
申请日：2016-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明提供了一种片上光功率分束器的设计方法，其包括以下步骤：确定器件的功能和器件的耦合区域；对耦合区域在X轴、Y轴的平面上进行网格划分成立方块，每个立方块有两种可能的状态：硅材料、空气；将所有的立方块都设定为硅材料，随机选择一个立方块，并转换该立方块的状态，计算出转换前后各输出端总能量以及不同输出端的分光比，如果转换后的输出端总能量提高且不同输出端的分光比更接近于目标分光比，那么保持这个立方块的状态；否则，这个立方块的状态翻转为原来的状态；随机选择下一个立方块，重复上述过程，直至得到满足确定的功能。本发明的方法可在任意半导体材料上实现任意分光比、多输出的自动化设计，方法简单，降低了设计周期。
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公开(公告)号：CN106219600B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201610536736.X
申请日：2016-07-08
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L51/46 , C01G23/00 , C01B32/184 , H01L51/54
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于光电技术材料领域，具体涉及一种利用二维材料抑制钙钛矿俄歇复合的方法，包括：首先化学方法合成钙钛矿微米级棒状结构；然后通过湿法转移，在玻璃基底上转移石墨烯，钙钛矿下面加上一层二维材料石墨烯，对于石墨烯的拉曼光谱，G峰和2D峰的峰值均大于0.8×10k a.u.。为能在半导体激光器领域降低俄歇复合、增大激光的输出效率上的应用打下了基础，为在提高太阳能电池的效率、OLED等光电领域的应用提供了思路。
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公开(公告)号：CN108535881A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810362414.7
申请日：2018-04-20
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G02B27/28
Abstract: 本发明提供了一种具有超表面的钙钛矿天线，包括从上至下层叠设置的钙钛矿层、金膜和基底。本发明还提供了一种具有超表面的钙钛矿天线的制备方法。本发明的有益效果是：利用金膜设计了在反射模式下工作的钙钛矿天线为基的超表面调控光束，钙钛矿天线在可见光范围内折射率高，能够在较小的厚度下实现在-π~π的范围内调控光的相位，并进一步应用于异常反射，异常反射的效率较高，并且，钙钛矿天线便于制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106298414B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201610659049.7
申请日：2016-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01J37/317 , H01L21/266
Abstract: 本发明提供了一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法，所述钙钛矿为单晶钙钛矿微结构，所述单晶钙钛矿微结构含有第一卤素离子；对所述单晶钙钛矿微结构，采用第二卤素用离子注入方法进行离子注入，将第一卤素离子进行部分取代；其中，所述第二卤素不同于第一卤素。采用本发明的技术方案，制备简单，采用离子注入的方法可以选择性地调谐光致发光和调谐一个卤化铅钙钛矿器件上的不同位置的激射行为，实验的操作以及验证比较容易，方法简单、可行，应用前景广阔，为微纳光电领域和光子器件领域的发展提供新思路。
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公开(公告)号：CN105092556A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510417395.X
申请日：2015-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明提供了一种G-SERS基底的制备方法及癌细胞检测方法，G-SERS基底的制备方法步骤1：金纳米结构的制备：步骤2：制备石墨烯-金纳米结构基底；步骤3：银纳米结构-石墨烯-金纳米结构器件的制备。癌细胞检测方法，利用表面增强拉曼的原理设计并开发出一种简单、通用、快捷、成本低的方法实现了对癌细胞的检测。尺寸小：该方法制备的微纳结构器件尺寸可以小到微米。测试效率高：利用金属微纳结构对表面拉曼进行增强，增加入射光与物质的作用几率，能够使癌细胞的结构信息更为灵敏的表达出来，提高了检测和诊断的效率。不需要对癌细胞进行预处理和标记：克服了现有技术需要提前对癌细胞进行标记的困难，同时提高了检测诊断的准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN104749665A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510164384.5
申请日：2015-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G02B3/00
CPC classification number: G02B3/00
Abstract: 本发明提供了一种基于介质材料的平面透镜单元、平面透镜及制备方法，单元包括高折射率介质材料组成的天线、二氧化硅填充层、银镜和二氧化硅基底。平面透镜包括以中心对称分布的平面透镜单元，平面透镜单元的天线在x轴上呈周期分布，在y轴上以y=0为对称中心对称分布。制备方法为：第一步是在二氧化硅基底上覆盖一层银膜，然后在银膜表面上继续用电子束蒸镀覆盖填充层二氧化硅和硅膜；第二步是在硅膜上旋涂光刻胶，然后用电子束曝光技术完成光刻胶的刻蚀和显影；第三步是采用反应离子束刻蚀技术实现对硅膜的刻蚀；第四步是经过剥离过程得到最终的纳米硅天线。该结构可以提高一个数量级的聚焦效率，因此具有很高的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN104090321A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410318204.X
申请日：2014-07-04
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G02B5/20
Abstract: 本发明提供了一种基于硅的中红外区磁谐振超材料结构，其包括两部分，一部分是基板，另一部分是硅立方块，所述基板为玻璃基板，所述硅立方块周期性分布在所述玻璃基板上，硅立方块的边长为L，L的取值范围是在1微米至5微米之间，硅立方块的间距为W，W的取值范围是在1微米至5微米之间。还提供了上述的基于硅的中红外区磁谐振超材料结构的制备方法，采用光刻的方法获得上述结构。本发明有效减少电导损耗，实现集中在中红外波段的应用，如过滤器、偏振器、光谱发射器等的设计，特提出以下基于硅的中红外区磁谐振超材料结构以及相应的制备方案，真正实现低损耗、极化不敏感、可以三维扩展、低成本的磁谐振超材料。
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公开(公告)号：CN108538858A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810362411.3
申请日：2018-04-20
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种半导体的显示方法，主要由半导体制成的超表面的结构颜色与半导体在受激辐射下产生的本征颜色混合产生，通过调控入射白光以及激发的强度改变两种颜色的混合比，进而产生不同的颜色。本发明还提供了一种半导体的制备方法。本发明的有益效果是：利用超表面的结构颜色与半导体本身发光的本征颜色调色的交错机制之间的协同作用，使得其能够在室内环境下以大约纳秒级的转换时间在大范围内进行颜色调整，实现了原位控制。
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