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公开(公告)号:CN101723650A
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200910073134.5
申请日:2009-11-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/48 , C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 一种氧化物陶瓷/BaxSr1-xSO4陶瓷复合材料及其制备方法,它涉及一种氧化物陶瓷复合材料及其制备方法。本发明解决了现有氧化物陶瓷材料在室温至760℃广域温度下摩擦系数大,760℃高温下磨损率大,及现有制备工艺烧结温度高的问题。本发明的陶瓷复合材料由氧化物陶瓷相和BaxSr1-xSO4相组成。本发明方法是:球磨湿混,烘干,过筛;细粉体装入石墨模具,冷压处理;放电等离子烧结即得氧化物陶瓷/BaxSr1-xSO4复合材料。本发明的陶瓷复合材料室温至760℃广域温度下摩擦系数均小于0.3,760℃高温下磨损率在10-6mm3/N·m数量级,本发明的制备工艺烧结温度低。
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公开(公告)号:CN107602096A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201711011639.X
申请日:2017-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B41/80
Abstract: 一种高能氧乙炔火焰束流改性氧化铝基陶瓷大尺寸构件表面局部纳米共晶强韧化的方法,它涉及一种改性氧化铝基陶瓷大尺寸构件表面局部纳米共晶强韧化的方法。本发明是为了解决目前高熔点氧化铝基共晶陶瓷难以制备大尺寸构件的技术问题。本发明:一、氧化铝基共晶陶瓷粉体分步复合制备;二、脉冲放电等离子体烧结致密化;三、高能氧乙炔火焰束流表面纳米共晶强韧化处理。利用本发明方法在大尺寸氧化铝基复相陶瓷表面实现高能氧乙炔火焰束流局部纳米共晶强韧化,获得微观组织尺度在5nm-100nm、厚度在100μm~2000μm内调控的纳米共晶强韧化层,本复合技术达到兼顾共晶陶瓷高温特性和大尺寸复相陶瓷成型性能的目的。
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公开(公告)号:CN104692431B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201510130655.5
申请日:2015-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种亚微米级晶体结构与粒径可控的球形α-Al2O3/t-ZrO2复相粉体的制备方法,涉及一种无机非金属粉体材料的制备方法。本发明是要解决现有方法制备氧化铝/氧化锆复相粉体的工艺方法复杂,粉体成份与物相分布不均,在不加活性添加剂的条件下粉体分散性差,且无法得到生长形貌为亚微米级球形的α-Al2O3/t-ZrO2复相粉体的技术问题。方法为:一、制备混合溶液A;二、制备混合溶液B;三、制备Al3+/Zr4+离子分布均匀的混合溶液C;四、制备乳白色前驱体溶液D;五、制备前驱粉体;六、制备亚微米级晶体结构与粒径可控的球形α-Al2O3/t-ZrO2复相粉体。本发明应用于无机非金属粉体材料的制备领域。
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公开(公告)号:CN103496743B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201310475691.6
申请日:2013-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G37/14
Abstract: 一种微米级晶体生长形貌可控的球形铬酸锶粉体的制备方法,涉及一种无机非金属粉体材料的制备方法。本发明是要解决现有方法制备铬酸锶粉体的工艺方法复杂,在不加活性添加剂的条件下生长形貌多为线状或棒状,无法得到生长形貌为微米级球形的铬酸锶粉体的技术问题。本发明的方法为:一、配制铬酸钠溶液;二、制备混合溶液A;三、制备混合溶液B;四、制备微米级晶体生长形貌可控的球形铬酸锶粉体。本发明只需在室温下进行,条件温和易控,成本低,制备方法简单,易大量生产;且制备的铬酸锶陶瓷粉体,颗粒形貌大小可控,性能良好并能实现大规模批量生产。本发明应用于无机非金属粉体材料的制备领域。
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公开(公告)号:CN103482703A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201310470191.3
申请日:2013-10-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种形貌粒径可控的钼酸钡微纳米粉体的制备方法,本发明涉及一种无机功能材料的制备,特别涉及一种形貌粒径可控的钼酸钡微纳米粉体的制备方法。本发明为解决现有方法制备过程中易产生团聚以及制得的BaMoO4粉体粒径大、粒径分布不均匀以及形貌不易控制的问题,方法:一、将硝酸钡和柠檬酸钠配置成混合溶液A;二、将钼酸钠配置成溶液B;三、将步骤二的溶液B在搅拌条件下倒入步骤一的混合溶液A中,调节溶液pH值,化学反应至溶液变为乳白色时进行水热反应,得到白色固液混合物;四、将步骤三得到的白色固液混合物离心、洗涤、烘干,得到钼酸钡微纳米粉体。所得粉体呈球形,粒径约500nm,小且均匀,应用于无机非金属粉体材料的制备。
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公开(公告)号:CN102815928B
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201210307621.5
申请日:2012-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 稀土离子掺杂六铝酸盐高发射率材料的制备方法,它涉及高发射率材料的制备方法。它为了解决现有镍基高温合金表面防护涂层难以同时满足高发射率、抗热震和抗氧化的多功能要求的问题。产品的化学式为La1-xLnxMgAl11O19,其中Ln=Nd、Sm或Dy,0≤x≤1。方法:一、原料处理;二、依照化学式,按化学计量比称取处理后的原料,球磨后得混合物;三、混合物烘干、过筛后冷压成型再冷等静压并保压,得坯体;四、坯体经烧结后即完成。本发明制备方法工艺简单、成本低以及适合于大批量生产;所得产品有利于应用于高超声速飞行器上外蒙皮的热防护涂层材料,可以同时满足高发射率、抗热震和抗氧化的多功能要求。
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公开(公告)号:CN102815928A
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN201210307621.5
申请日:2012-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 稀土离子掺杂六铝酸盐高发射率材料及其制备方法,它涉及高发射率材料及其制备方法。它为了解决现有镍基高温合金表面防护涂层难以同时满足高发射率、抗热震和抗氧化的多功能要求的问题。产品的化学式为La1-xLnxMgAl11019,其中Ln=Nd、Sm或Dy,0≤x≤1。方法:一、原料处理;二、依照化学式,按化学计量比称取处理后的原料,球磨后得混合物;三、混合物烘干、过筛后冷压成型再冷等静压并保压,得坯体;四、坯体经烧结后即完成。本发明制备方法工艺简单、成本低以及适合于大批量生产;所得产品有利于应用于高超声速飞行器上外蒙皮的热防护涂层材料,可以同时满足高发射率、抗热震和抗氧化的多功能要求。
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公开(公告)号:CN101234897A
公开(公告)日:2008-08-06
申请号:CN200810064053.4
申请日:2008-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/622 , C01G25/00 , C01G33/00 , C04B35/495 , C04B35/50
Abstract: 多组元氧化锆基热障氧化物陶瓷材料的制备方法,它涉及一种氧化锆基热障氧化物陶瓷材料的制备方法。它解决了现有氧化锆基热障氧化物陶瓷抗烧结性差、热导率较高、热膨胀系数较低及制备方法工艺复杂、成本高的问题。其方法:一、将含Ln3+的溶液和含Zr4+的溶液混合后加表面活性剂搅拌,得混合溶液;二、向混合溶液中滴加沉淀剂,得沉淀物;三、沉淀物离心洗涤;四、离心洗涤后的沉淀物经烘干、球磨、煅烧后得多组元氧化锆基热障氧化物纳米粉体;五、将多组元氧化锆基热障氧化物纳米粉体冷等静压成形,得坯体;六、烧结坯体,得多组元氧化锆基热障氧化物陶瓷材料。本发明制备工艺简单、成本低,产品的抗烧结性好、热导率低、热膨胀系数高。
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公开(公告)号:CN115198157A
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN202210792474.9
申请日:2022-07-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种晶粒生长诱导无压烧结超细晶Ti(C,N)基金属陶瓷致密化的方法,它涉及一种金属陶瓷致密化的方法。本发明的目的是解决无压烧结制备超细晶Ti(C,N)基金属陶瓷致密化困难和借助气压烧结增加制造成本的问题。方法:一、按重量份数称取50份~60份Ti(C,N)、10份~30份WC、5份~10份TaC、1份~5份VC、10份~20份金属黏结相、0.5份~3份炭黑和1份~4份聚乙烯醇;二、球磨混合;三、干燥制粒;四、模压成型;五、烧结。本发明制备的致密化的超细晶Ti(C,N)基金属陶瓷的致密度为96.67%~99%。本发明可获得一种超细晶Ti(C,N)基金属陶瓷。
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公开(公告)号:CN105294085B
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201510890832.X
申请日:2015-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/119 , C04B35/653
Abstract: 一种脉冲放电等离子体辅助熔凝处理制备氧化铝基二元共晶自生复合陶瓷的方法,涉及一种制备氧化铝基共晶自生复合陶瓷的方法。本发明是为了解决现有氧化铝基共晶自生复合陶瓷的制备方法难以制备大尺寸形状复杂共晶陶瓷、共晶陶瓷组织粗大各向异性以及生产效率低的技术问题。本发明:一、预热处理原料;二、机械合金化;三、冷压成型;四、脉冲放电等离子体辅助熔凝。本发明应用于制备氧化铝基共晶自生复合陶瓷。
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