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公开(公告)号：CN114171667B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111469874.8
申请日：2021-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备方法，本发明涉及一种SnTe基热电材料表面阻挡层的制备方法。本发明要解决现有SnTe基热电材料尚无结合强度高、接触电阻低且高温稳定的阻挡层的问题。方法：一、制备热电材料粉末；二、制备Fe‑Mn混合粉；三、将Fe‑Mn混合粉铺在热电材料粉末上并压紧，烧结。本发明用于SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备。
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公开(公告)号：CN112038473B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010941103.3
申请日：2020-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种全温域高性能的n型Mg‑Sb基热电材料及其制备方法，本发明涉及一种n型热电材料及其制备方法。本发明要解决现有n型Mg3Sb2基热电材料无法兼顾室温和高温同时获得高性能，且力学性能不佳的问题。全温域高性能的n型Mg‑Sb基热电材料的化学通式为BxMg3.2‑xSb1.99‑yBiyTe0.01；方法：一、称取；二、球磨；三、烧结。本发明用于全温域高性能的n型Mg‑Sb基热电材料及其制备。
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公开(公告)号：CN112038473A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010941103.3
申请日：2020-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种全温域高性能的n型Mg-Sb基热电材料及其制备方法，本发明涉及一种n型热电材料及其制备方法。本发明要解决现有n型Mg3Sb2基热电材料无法兼顾室温和高温同时获得高性能，且力学性能不佳的问题。全温域高性能的n型Mg-Sb基热电材料的化学通式为BxMg3.2-xSb1.99-yBiyTe0.01；方法：一、称取；二、球磨；三、烧结。本发明用于全温域高性能的n型Mg-Sb基热电材料及其制备。
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公开(公告)号：CN110253432B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910543259.3
申请日：2019-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种磨制脆性热电材料长方体试样的夹具及其使用方法，本发明涉及一种磨制长方体试样的夹具及其使用方法。解决现有测量电阻率的热电材料长方体，难以保证各面的平整度及面与面互相垂直的问题。夹具包括圆环部件、圆柱部件、侧面夹具及端面夹具；方法：长条试样粘于圆柱部件端面，套入圆环部件内部，在砂纸上前后推动，得到具有两个平行面的试样；将其放置于侧面夹具的试样侧面夹槽中，套入圆环部件内部，在砂纸上前后推动，然后再粘于圆柱部件端面，套入圆环部件内部，在砂纸上前后推动，得到具有四个垂直面的试样；将其放置于端面夹具的试样端面夹槽中，套入圆环部件内部，在砂纸上前后推动。本发明用于磨制脆性热电材料长方体试样。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118119256A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410272622.3
申请日：2024-03-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , C22C1/04 , B22F3/02 , B22F3/10 , H10N10/851 , H10N10/853 , H10N10/85
Abstract: 一种方钴矿基热电材料高结合强度低接触电阻良好润湿性的阻挡层制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有方钴矿基热电材料阻挡层与焊料的润湿性较差，需额外引入连接层Ni，从而引入额外的界面电阻问题。方法：一、制备方钴矿基n型块体材料及方钴矿基p型块体材料；二、制备Ni‑Cr混合粉；三、制备表面设有阻挡层的方钴矿基热电材料。本发明用于方钴矿基热电材料高结合强度低接触电阻良好润湿性的阻挡层制备。
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公开(公告)号：CN116963572A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310591707.3
申请日：2023-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/80 , H10N10/852
Abstract: 一种碲化铋基热电材料低接触电阻高结合强度高热稳定性的阻挡层制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有碲化铋基热电材料阻挡层无法同时实现200℃以上长期热稳定且高强低阻的问题。方法：一、制备Ti/碲化铋p型/Ti试件；二、制备Ti/碲化铋n型/Ti试件；三、制备碲化铋发电器件。本发明用于碲化铋基热电材料低接触电阻高结合强度高热稳定性的阻挡层制备。
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公开(公告)号：CN115915896B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310063279.7
申请日：2023-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/853 , H10N10/817 , H10N10/82 , H10N10/01 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有MgAgSb使用的阻挡层为Ag，而在富Ag环境中MgAgSb中容易生成Ag3Sb，导致MgAgSb/Mg3Bi2器件无法实现长期稳定性的问题。方法：一、制备MgCuSb纳米粉末；二、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99纳米粉末；三、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99‑Mg3.2Bi1.5Sb0.5热电发电器件。本发明用于基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备。
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公开(公告)号：CN115915896A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310063279.7
申请日：2023-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/853 , H10N10/817 , H10N10/82 , H10N10/01 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有MgAgSb使用的阻挡层为Ag，而在富Ag环境中MgAgSb中容易生成Ag3Sb，导致MgAgSb/Mg3Bi2器件无法实现长期稳定性的问题。方法：一、制备MgCuSb纳米粉末；二、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99纳米粉末；三、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99‑Mg3.2Bi1.5Sb0.5热电发电器件。本发明用于基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备。
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公开(公告)号：CN109585639A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811473803.3
申请日：2018-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高输出功率密度和能量转换效率的SnTe热电材料的制备方法，它涉及SnTe热电材料的制备方法。本发明要解决现有热电材料输出功率密度和能量转换效率不能同时提高的问题。制备方法：一、按照化学通式为(SnTe)2.94(In2Te3)0.02-(Cu2Te)3x的化学计量比称取Sn粉、Te粉、In粉和Cu粉；二、将混合物置于高温马弗炉中，在高温度下保温，然后降温并保温，最后随炉冷，得到铸锭；三、将铸锭研磨并置于石墨模具中，在一定温度及压力下烧结，得到In-Cu共掺杂SnTe热电材料。本发明适用于高输出功率密度和能量转换效率的SnTe热电材料的制备。
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