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公开(公告)号:CN102503411A
公开(公告)日:2012-06-20
申请号:CN201110347307.5
申请日:2011-11-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/626
Abstract: 一种以水为介质通过稀土气相扩渗制备BaTiO3导电陶瓷粉的方法,它涉及无机纳米功能材料的合成方法。本发明解决了传统稀土扩渗方法存在成本高且环境不友好的技术缺陷。本发明使用水代替醇类或酰胺类有机溶剂作为扩渗介质,降低成本防止环境污染的同时提高了产品的纯度与改性的重复性。其具体方法为:先待扩渗炉升温至设定温度750℃~900℃后,向炉内滴入蒸馏水以排除炉内的空气,而后将BaTiO3陶瓷粉置于扩渗炉内,最后向炉内滴入含稀土元素的扩渗液,即可得到BaTiO3导电陶瓷粉。本发明所制得的产品室温电阻率可达到10-2Ω•m,粉体粒径为120~300nm。
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公开(公告)号:CN1583666A
公开(公告)日:2005-02-23
申请号:CN200410043615.9
申请日:2004-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 稀土气相扩渗制备钛酸盐导电粉末的方法,它涉及一种用于制备稀土钛酸盐导电粉末的工艺。本发明按照下述步骤进行:a.将渗碳炉预热,并向炉内滴入酰胺类试剂;b.把稀土氧化物溶于浓硝酸中,加热至氧化物完全溶解,冷却后用酰胺类试剂调节浓度,配制成稀土离子的质量摩尔浓度为0.01~0.04的渗剂;c.将钛酸盐粉体迅速放入渗碳炉中,向炉内滴入配好配的含稀土的渗剂,于860℃~950℃的温度下扩渗3~6h,得到钛酸盐系导电粉末。本发明具有电阻率显著降低、抗氧化、抗腐蚀、抗辐射、耐高温、长寿命和成本低的优点。
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公开(公告)号:CN1377854A
公开(公告)日:2002-11-06
申请号:CN01112512.8
申请日:2001-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出一种用于合成稀土陶瓷材料的工艺方法,该方法将稀土渗剂扩渗到陶瓷材料的表界面乃至体相。有利于稀土与陶瓷组元的相互作用,从而使陶瓷材料的压电性能,机电耦合性能高温抗氧化性、强度和韧性等综合性能得到显著改善。本发明在功能陶瓷和工程陶瓷材料领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN118326404A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410485805.3
申请日:2024-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23G1/18
Abstract: 本发明公开了一种高效低泡环保型固体缓蚀金属清洗剂及其制备方法,所述清洗剂由碳酸氢钠、缓蚀剂、表面活性剂、助剂制成,其中:表面活性剂为嵌段式聚醚,助剂为羧甲基纤维素和硫酸钠,缓蚀剂为二乙醇胺硼酸酯和有机酰氨基酸;碳酸氢钠的含量为40~44wt%;嵌段式聚醚的含量为1~3wt%,羧甲基纤维素的含量为19~24wt%,硫酸钠的含量为1~3wt%,二乙醇胺硼酸酯的含量为21~31wt%,有机酰氨基酸的含量为8~12wt%。本发明的固体清洗剂集高效、低泡、缓蚀、稳定、安全于一体,便于运输,缓蚀效果良好,操作简便,使用安全,适用于机械、石油化工、仪器、汽车、配件等的工业清洗。
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公开(公告)号:CN117867649A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202410111972.1
申请日:2024-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 水平梯度结晶法提纯硒锗镓钡多晶料并生长高透过率晶体的方法,它涉及硒锗镓钡多晶料提纯及单晶体生长方法。它是要解决现有方法合成的BaGa2GeSe6多晶体纯度低,进而影响单晶体的透过率的技术问题。本方法:先按BaGa2GeSe6的化学计量比称取Ba源、Ga源、Ge源和Se源置于坩埚中,再放入石英管中,抽真空并熔融密封;放在水平管式炉中通过反应阶段、均质化阶段和梯度结晶阶段进行多晶合成;然后捣碎在垂直布里奇曼单晶生长炉中生长BGGSe单晶。本发明生长出单晶的透过率在0.6~17μm宽范围内大于55%。可用于非线性光学变频技术领域。
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公开(公告)号:CN117867637A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202410111971.7
申请日:2024-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用倾斜单温区合成炉一步制备单晶生长用高纯硒锗镓钡多晶料的方法,它涉及单晶生长用多晶料的制备方法。它是要解决现有合成BGGSe多晶料的方法制备的BGGSe多晶料纯度低,进而影响生长的单晶品质的技术问题。本方法:一、在惰性气氛的手套箱中按化学计量比称取的Ba源、Ga源、Ge源和Se源及过量的Ba源和Ge源;再称取提供压力气体氛围的物质;将原料分组放在圆筒状坩埚和石英管中,再将圆筒状坩埚放在石英管中,抽真空再注入惰性气体后密封;放在倾斜单温区管式炉中分步反应,得到高纯硒锗镓钡多晶料BaGa2GeSe6,其晶胞结构参数与相关理论值一致,各元素均符合化学计量比,纯度高,可用于单晶生长。
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公开(公告)号:CN103194166A
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201310161819.1
申请日:2013-05-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09J163/10 , C09J9/02 , C09J11/06 , C08G59/17
Abstract: 光热二重固化导电胶及其制备方法,涉及一种导电胶及其制备方法。为了解决复合型导电胶单独采用热固化的方式固化温度高,固化时间长,单纯采用光固化,固化不完全,导致批量生产受限制的问题,本发明的光热二重固化导电胶由不同酯化率的环氧丙烯酸酯预聚物、稀释剂、热引发剂、硅烷偶联剂、光引发剂、热固化剂、促进剂和导电粉制成。本发明采用光热二重固化的技术,同时使用光引发剂、热引发剂和热固化剂,利用紫外光的照射引发导电胶体系中的光引发剂,同时利用紫外光照射产生的热量和紫外交联反应产生的热量引发导电胶体系内的热引发剂,引发热聚合反应,达到深层固化的理想效果。本发明具有高效、快速、工艺方法简单且对环境无污染的特点。
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公开(公告)号:CN102976273A
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201210533116.2
申请日:2012-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B13/02
Abstract: 一种快速产生氧气的装置及方法,它涉及一种产生氧气的装置及方法,具体涉及一种快速产生氧气的装置及方法。本发明为了解决现有固体氧气发生器结构复杂,所需试剂多、成本高,自动氧气发生器中过氧化氢易发生分解,不易控制,且对人体有危害的问题。本发明包括容器、出氧管、引发管、分子筛和制氧反应物,制氧反应物放置在容器内,分子筛设置在容器的开口处,分子筛与容器形成反应腔体,引发管的下端插入制氧反应物中,引发管的上端穿过分子筛外露在反应腔体外,出氧管的下端穿过分子筛插装在反应腔体内,且出氧管的下端位于制氧反应物的上方,制氧反应物由超氧化钠、明矾和二氧化硅组成。本发明用于制氧。
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公开(公告)号:CN1583667A
公开(公告)日:2005-02-23
申请号:CN200410043616.3
申请日:2004-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/48 , C04B35/49 , C04B35/624
Abstract: 以无机锆为锆源制备锆钛酸钡溶胶的方法,它涉及无机材料的制备工艺。本发明的钛酸钡陶溶胶是这样实现的:a.将硝酸氧锆溶入去离子水中,待硝酸氧锆完全溶解后再加入柠檬酸,将柠檬酸锆溶于己二醇中得到柠檬酸锆的己二醇溶液;b.将乙酸钡溶入乙酸中配成乙酸钡的乙酸溶液;c.将钛酸四丁酯溶于己二醇中配成钛酸四丁酯的己二醇溶液;d.将乙酸钡的乙酸溶液与钛酸四丁酯的己二醇溶液混合均匀;e.把去水的柠檬酸锆的己二醇溶液移入乙酸钡与钛酸四丁酯的混合体系中;f.将上述混合液搅拌得到锆钛酸钡(BZT)溶胶。本发明具有成本低、纯度高、节约能源、无污染的优点。
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公开(公告)号:CN111909438B
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN201910384535.6
申请日:2019-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor: 郝素娥
Abstract: 本发明公开了一种基于麦饭石/EVA复合材料的多功能香片及其制备方法,涉及日用香片及其制备技术,具体为:香片包括EVA、改性麦饭石、表面活性剂、香精,制备方法为:取香精,加入表面活性剂搅拌均匀,加入改性麦饭石和EVA,振荡反应,干燥后进行热压处理,得到基于麦饭石/EVA复合材料的多功能香片。所得香片具有形状可调控、多功能化、释香效果好、可吸附污染物、阻燃、工艺简单、成本低廉等优点。
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