采用漫反射积分腔作为光声池测量痕量气体浓度的方法及装置

    公开(公告)号:CN105300889B

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201510762225.5

    申请日:2015-11-10

    Abstract: 采用漫反射积分腔作为光声池测量痕量气体浓度的方法及装置,属于光声光谱技术和漫反射积分腔应用技术领域。本发明是为了解决光声光谱技术在对气体进行检测时,传统光声池光能的利用率较低的问题。本发明所述的采用漫反射积分腔作为光声池测量痕量气体浓度的方法及装置,在继承传统光声光谱技术优势的基础上,将生产工艺简单、价格低廉的高漫反射长方腔应用于光声光谱痕量气体探测中,通过延长光程,从而提高了气体测量的灵敏度,提高了光能的利用率,进而降低了气体浓度测量系统的成本,并具有响应速度快、稳定性好、维护简单、可实时监测等优点。本发明可对低浓度气体进行实时监测。

    利用铥离子上转换紫光进行抗白光LED光源干扰的测温方法

    公开(公告)号:CN108426651A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810091515.5

    申请日:2018-01-30

    Abstract: 利用铥离子上转换紫光进行抗白光LED光源干扰的测温方法,本发明涉及一种利用铥离子上转换紫光进行抗白光LED光源干扰的测温方法。本发明的目的是为了解决现有测温技术会受到常见的白光LED光源的干扰的问题,方法为:激发源发出的激发光对Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4进行激发,监测不同温度下中心波长位于290nm和345nm的两个荧光带,进行积分,并作出函数关系,将样品放置于待测环境,得到两个荧光带的强度比值,代入到函数中即得温度值。本发明能够进行抗白光LED光源干扰的温度测量,从而得出更加精准的结果。本发明应用于稀土荧光测温领域。

    一种上转换荧光强度比测温技术的修正方法

    公开(公告)号:CN105300563A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510810135.9

    申请日:2015-11-19

    Abstract: 一种上转换荧光强度比测温技术的修正方法,本发明涉及一种上转换荧光强度比测温技术的修正方法。本发明是要解决现有测温技术测温结果不准确的问题,方法为:激发源发出的激发光经过凸透镜汇聚照射到感温材料上,感温材料所发射的上转换荧光通过凸透镜汇聚入射到光谱仪中,光谱仪连接存储示波器和计算机进行数据处理,给出修正曲线,即完成。本发明的修正方法消除了荧光强度比与玻尔兹曼分布律的偏差,在保持了荧光强度比方法抗干扰能力强、稳定性好、灵敏度高的优点的同时,提高了其测温的准确度。本发明应用于稀土荧光测温领域。

    基于单色连续激光测量固体中稀土离子辐射性质的方法

    公开(公告)号:CN102262080B

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201110102562.3

    申请日:2011-04-22

    Abstract: 基于单色连续激光测量固体中稀土离子辐射性质的方法,涉及一种测量固体中稀土离子辐射性质的方法,它解决了现有的测量稀土离子的辐射性质的方法复杂、以及由于激发稀土离子的效率低导致测量精度低的问题。其方法:激光器发出的连续激光入射先后经一号偏振棱镜、电光调制器、二号偏振棱镜、一号透镜后会聚至待测稀土样品,激发待测稀土样品产生荧光,荧光经二号透镜会聚至光谱仪,获得分光光束;采用光电探测器探测分光光束,获得探测结果,建立探测结果的衰减曲线;对所述探测结果的衰减曲线进行拟合,获得稀土离子辐射寿命。本发明适用于固体中稀土离子辐射性质的测量。

    基于单色连续激光测量固体中稀土离子辐射性质的方法

    公开(公告)号:CN102262080A

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN201110102562.3

    申请日:2011-04-22

    Abstract: 基于单色连续激光测量固体中稀土离子辐射性质的方法,涉及一种测量固体中稀土离子辐射性质的方法,它解决了现有的测量稀土离子的辐射性质的方法复杂、以及由于激发稀土离子的效率低导致测量精度低的问题。其方法:激光器发出的连续激光入射先后经一号偏振棱镜、电光调制器、二号偏振棱镜、一号透镜后会聚至待测稀土样品,激发待测稀土样品产生荧光,荧光经二号透镜会聚至光谱仪,获得分光光束;采用光电探测器探测分光光束,获得探测结果,建立探测结果的衰减曲线;对所述探测结果的衰减曲线进行拟合,获得稀土离子辐射寿命。本发明适用于固体中稀土离子辐射性质的测量。

    一种提高荧光强度比技术测温精度的方法

    公开(公告)号:CN108489632B

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201810241003.2

    申请日:2018-03-22

    Abstract: 一种提高荧光强度比技术测温精度的方法,本发明涉及一种提高荧光强度比技术测温精度的方法。本发明的目的是为了解决目前常用的荧光强度比技术测温精度较低的问题,具体的内容包括:(1)选取稀土离子热耦合能级对;(2)利用分段拟合的方法对这两个荧光带的强度比值进行标定,再利用玻尔兹曼热统计分布理论对荧光强度比值和温度之间的关系进行拟合,每个温度区间均得到一个拟合函数;(3)根据适合的拟合函数计算待测温度值。本发明利用分段拟合的思想能够将测温精度提高至少一个数量级。本发明能够切实解决荧光强度比技术中传统的整体拟合方法测温精度较低的弊端,显著提高荧光强度比技术的测温精度,本发明应用于稀土荧光测温领域。

    一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法

    公开(公告)号:CN108168730B

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201810241597.7

    申请日:2018-03-22

    Abstract: 一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法,本发明涉及一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法。本发明的目的是为了解决利用传统的荧光强度比测温技术难以实现在较高的温度区间内实现高精度的温度测量的问题,方法:(1)制备测温样品;(2)在低温度区间利用传统的Er3+的2H11/2‑4I15/2和4S3/2‑4I15/2荧光带进行测温,在高温区间利用Er3+的4S3/2‑4I15/2和Tm3+的3F3‑3H6跃迁所产生的荧光带进行测温;本发明利用双发光中心策略能够切实提高荧光强度比技术在较高温度区间内的测温灵敏度,本发明应用于稀土荧光测温领域。

    基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法

    公开(公告)号:CN108061608B

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201810091505.1

    申请日:2018-01-30

    Abstract: 基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法,本发明涉及一种基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法。本发明的目的是为了解决现有测温技术会受到常见的白光二极管干扰的问题,方法为:激发源发出的激发光对Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4进行激发,监测不同温度下中心波长位于362nm和345nm的两个荧光带,进行积分,并作出函数关系,将样品放置于待测环境,得到两个荧光带的强度比值,代入到函数中即得温度值。本发明能够进行抗白光二极管干扰的温度测量,从而得出更加精准的结果。本发明应用于稀土荧光测温领域。

    一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法

    公开(公告)号:CN108168730A

    公开(公告)日:2018-06-15

    申请号:CN201810241597.7

    申请日:2018-03-22

    Abstract: 一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法,本发明涉及一种利用双发光中心策略提高荧光强度比技术在高温区间测温灵敏度的方法。本发明的目的是为了解决利用传统的荧光强度比测温技术难以实现在较高的温度区间内实现高精度的温度测量的问题,方法:(1)制备测温样品;(2)在低温度区间利用传统的Er3+的2H11/2‑4I15/2和4S3/2‑4I15/2荧光带进行测温,在高温区间利用Er3+的4S3/2‑4I15/2和Tm3+的3F3‑3H6跃迁所产生的荧光带进行测温;本发明利用双发光中心策略能够切实提高荧光强度比技术在较高温度区间内的测温灵敏度,本发明应用于稀土荧光测温领域。

    基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法

    公开(公告)号:CN108061608A

    公开(公告)日:2018-05-22

    申请号:CN201810091505.1

    申请日:2018-01-30

    CPC classification number: G01K11/006

    Abstract: 基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法,本发明涉及一种基于铥离子紫外上转换荧光的抗白光二极管干扰的测温方法。本发明的目的是为了解决现有测温技术会受到常见的白光二极管干扰的问题,方法为:激发源发出的激发光对Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4进行激发,监测不同温度下中心波长位于362nm和345nm的两个荧光带,进行积分,并作出函数关系,将样品放置于待测环境,得到两个荧光带的强度比值,代入到函数中即得温度值。本发明能够进行抗白光二极管干扰的温度测量,从而得出更加精准的结果。本发明应用于稀土荧光测温领域。

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