公开(公告)号：CN111863606B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202010735237.X

申请日：2020-07-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  杨剑群 ,  李鹏伟 ,  董善亮

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L23/552 ,  H01L29/735

Abstract: 本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；向所述外延层内注入碳离子，以在所述外延层底部形成碳离子注入层；在所述外延层顶部两侧形成基区，并向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过碳离子注入层可形成有效的抗辐射隔离区，并形成碳氧/碳碳络合物及碳化硅结构层等，有助于提升晶体管抗辐射能力。同时，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度梯度的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，减少基区损伤区域，提升晶体管的抗辐射能力，同时又能够保证晶体管本身的性能。

公开(公告)号：CN109557442B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201811404082.0

申请日：2018-11-23

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  中国空间技术研究院 ,  锦州七七七微电子有限责任公司

Inventor： 李鹏伟 ,  李兴冀 ,  罗志勇 ,  杨剑群 ,  吕贺 ,  万鹏飞

IPC: G01R31/00 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明提供了一种线性电路辐射缺陷提取方法，其包括：步骤100，对线性电路进行分析，确定待分离的分立器件；步骤200，对待分离的所述分立器件进行切割分离；步骤300，测试分离后的所述分立器件电性能，进行筛选；步骤400，从筛选后的所述分立器件中引出电极；步骤500，通过引出的所述电极对所述分立器件进行缺陷测试。本发明所述的线性电路辐射缺陷提取方法，通过切割筛选的方式，对线性电路中的分立器件进行分离，并引出电极，从而可以对线性电路中的分立器件独立地进行缺陷测试，从而丰富现有的低剂量率增强效应的研究，达到更好的研究效果。

公开(公告)号：CN111855706A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010735719.5

申请日：2020-07-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  杨剑群 ,  李鹏伟 ,  吕钢

IPC: G01N23/02

Abstract: 本发明提供了一种半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法，包括以下步骤：S100、制备低阻单晶样品；S200、对低阻单晶样品的背面进行高浓度掺杂得到掺杂样品；S300、在掺杂样品的正面刻蚀沟槽；S400、对开槽的样品进行钝化，在样品的正面、背面和沟槽内形成介质层；S500、刻蚀样品背面的介质层，制备背面电极并形成欧姆接触；S600、刻蚀样品正面的介质层形成刻蚀区，制备正面电极并形成肖特基接触，制得测试样品；S700、对测试样品进行辐射诱导位移缺陷表征。本发明的检测方法通过制备出合适的半导体材料测试样品，有利于达到高效、高灵敏度位移缺陷检测与判定的目的，实现了半导体材料和器件中的辐射诱导位移缺陷快速、高效、准确检测。

公开(公告)号：CN103872105B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410135478.5

申请日：2014-04-04

Applicant: 石家庄天林石无二电子有限公司 ,  哈尔滨工业大学 ,  中国空间技术研究院

Inventor： 刘广桥 ,  李兴冀 ,  赵玉玲 ,  刘艳秋 ,  段庆禄 ,  杨剑群 ,  孙毅 ,  刘超铭 ,  李鹏伟 ,  宋桂芬 ,  何世禹

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 一种抗辐照加固双极型晶体管的制备方法，属于电子技术领域。它是为了解决现有双极型晶体管抗辐照能力低的问题。一种抗辐照加固双极型晶体管，发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度；上述晶体管的制备方法，在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；在基区的表面扩散一层硼；掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；在氧化时，保证干氧的厚度在1nm至10nm之间，湿氧的厚度在200nm至1μm之间。本发明适用于商业化抗辐照双极型晶体管的应用及生产。

公开(公告)号：CN103872105A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410135478.5

申请日：2014-04-04

Applicant: 石家庄天林石无二电子有限公司 ,  哈尔滨工业大学 ,  中国空间技术研究院

Inventor： 刘广桥 ,  李兴冀 ,  赵玉玲 ,  刘艳秋 ,  段庆禄 ,  杨剑群 ,  孙毅 ,  刘超铭 ,  李鹏伟 ,  宋桂芬 ,  何世禹

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/73 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/66234

Abstract: 一种抗辐照加固双极型晶体管及该晶体管的制备方法，属于电子技术领域。它是为了解决现有双极型晶体管抗辐照能力低的问题。一种抗辐照加固双极型晶体管，发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度；上述晶体管的制备方法，在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；在基区的表面扩散一层硼；掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；在氧化时，保证干氧的厚度在1nm至10nm之间，湿氧的厚度在200nm至1μm之间。本发明适用于商业化抗辐照双极型晶体管的应用及生产。