一种应用Si-Zr高温钎料钎焊碳纤维增强碳基复合材料的方法

    公开(公告)号:CN110026634A

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201910392640.4

    申请日:2019-05-13

    Abstract: 一种应用Si-Zr高温钎料钎焊碳纤维增强碳基复合材料(Cf/C)的方法,涉及一种应用高温钎料钎焊碳纤维增强碳基复合材料的方法。本发明是要解决目前Cf/C复合材料钎焊接头的使用温度低、高温力学性能差的技术问题。本发明:一、制备Si-Zr钎料;二、制备钎料片;三、钎焊Cf/C复合材料。本发明采用Si-Zr高温钎料在1400℃~1480℃实现了碳纤维增强碳基复合材料的钎焊连接,解决了Cf/C复合材料钎焊接头高温力学性能差的问题,并且避免了施加大压力的连接方法无法连接复杂Cf/C复合材料构件以及大压力对Cf/C复合材料容易造成损伤的问题,开拓了Cf/C复合材料在航空航天、核电等高温领域的应用。

    一种电子束焊-钎焊复合焊接方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119387934A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411718522.5

    申请日:2024-11-28

    Abstract: 本发明提供了一种电子束焊‑钎焊复合焊接方法,涉及焊接技术领域,本发明对盖板与底板的对接面的上部区域进行电子束焊接,实现锁底结构对接面的上部区域的焊接,并利用所述电子束焊接过程中产生的热量将熔点较低(180‑350℃)的钎料熔化,熔化后的钎料润湿、填充在对接间隙的底部,从而实现对盖板与底板的对接面的下部区域的钎焊,以确保焊接样品的密封性;由于电子束焊接过程中使用的电子束能量较小,而且电子束与锁底台阶之间间隔有钎料,因而不存在锁底台阶熔透的风险,有效避免了焊缝出现表面下塌、背面飞溅等问题。

    一种利用反应润湿制备超疏水涂层的方法

    公开(公告)号:CN114850785B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202210389730.X

    申请日:2022-04-14

    Abstract: 一种利用反应润湿制备超疏水涂层的方法,涉及一种制备超疏水涂层的方法。本发明是要解决现有的超疏水表面制备过程复杂、适用范围小、机械稳定性差的技术问题。本发明采用含活性元素Ti的AgCuTi合金渗入多孔的阳极氧化铝模板中,熔融的AgCuTi对于金属氧化物有较好的润湿填缝能力,而且阳极氧化铝模板易于被后续的碱溶液去除;然后采用水热方式可以有效去除受热后的阳极氧化铝模板,另一方面,在水热过程中有利于纳米结构的生长,因此最终可以获得具有多级粗糙度的复杂微观结构,在修饰之后即可在基体上获得超疏水涂层。本发明方法,操作简单有效,获得的超疏水涂层长期稳定性优异,机械稳定性好,具有很好的应用前景。

    一种电场辅助碳化硅陶瓷氧化的低温连接方法

    公开(公告)号:CN115611651A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211362609.4

    申请日:2022-11-02

    Abstract: 一种电场辅助碳化硅陶瓷氧化的低温连接方法,它涉及一种碳化硅陶瓷的连接方法。本发明要解决现有常用陶瓷连接方法存在连接温度高、接头性能差及效率较低的问题。方法:一、将碳化硅陶瓷进行预处理;二、将待连接件置于连接炉上下压头中间,且待连接件上下表面均设置与外接电源相连接的电极;三、将连接炉升温至连接温度,在升高电压直至碳化硅陶瓷导通,然后调节电流保温。本发明用于电场辅助碳化硅陶瓷氧化的低温连接。

    采用Ag-Cr复合钎料钎焊碳材料与镍基合金的方法

    公开(公告)号:CN113070543B

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202110554619.7

    申请日:2021-05-20

    Abstract: 采用Ag‑Cr复合钎料钎焊碳材料与镍基合金的方法,本发明属于异种材料连接领域,它是克服碳材料难以润湿,与镍基合金形成接头残余应力大、使用温度低以及耐氧化性能差等不足的问题。钎焊方法:一、将Ag粉和Cr球磨混合,压制成钎料箔片;二、打磨、清洗待焊碳材料母材与镍基合金母材;三、装配待焊试件;四、将步骤三得到的待焊试件放置于真空钎焊炉中,控制钎焊温度为965~1100℃进行钎焊,将待焊件冷却至室温,完成碳材料与镍基合金的钎焊方法。本发明在Ag基体中加入Cr,Ag基体具有良好的塑形,Cr活性元素可以与碳材料母材发生强烈的化学反应,形成均匀而连续的反应层,实现碳材料的界面润湿与紧密连接。

    一种利用模板热压纳米银颗粒制备银纳米阵列的方法

    公开(公告)号:CN114045483A

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN202111355133.7

    申请日:2021-11-16

    Abstract: 一种利用模板热压纳米银颗粒制备银纳米阵列的方法,涉及一种利用模板法制备银纳米阵列的方法。本发明是要解决模板辅助制备银纳米阵列制备需要外加电场或较高温度和较大压力的问题。本发明通过将纳米银颗粒辅助加压烧结,使纳米银颗粒进入到具有纳米孔的氧化铝模板中,同时在纳米颗粒之间实现连接,去除模板后,即可得到银纳米阵列。本发明操作简单有效,将基体、纳米银颗粒和多孔氧化铝模板叠放后加热烧结,去除模板后即可得到银纳米阵列。本发明提出一种利用模板热压纳米银颗粒制备银纳米阵列的方法,操作简单有效,具有很好的应用前景。

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