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公开(公告)号：CN115169109A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210782096.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/15 , G06F113/28
Abstract: 本发明提供一种针对动态变化结构进行辐射屏蔽防护的模拟方法，包括：结合航天器的实际运行状态，获取航天器几何结构的动态变化规律和材料属性；进行动态几何建模，构建得到任意时刻与航天器几何结构相对应的结构模型，并赋予所述结构模型与航天器相应的材料属性；基于蒙特卡罗方法，在不同辐照参数条件下，对任意时刻航天器几何结构受到的辐照效应进行计算，表征对航天器几何结构内器件受到的辐射屏蔽防护；分析航天器内电子元器件受到的辐射屏蔽防护随时间的变化规律。本发明通过对动态变化的航天器几何结构进行辐照效应分析，能大幅度的提升对实际运行状态航天器几何结构受到辐射屏蔽防护的模拟精度，为航天器结构和材料优化提供依据。
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公开(公告)号：CN115169101A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210759699.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于层状结构计算吸收剂量深度分布谱的方法，属于航天器空间环境分析技术领域。方法包括：S1、测量试件的几何结构参数，所述几何结构参数包括总厚度H；S2、根据所述总厚度H，利用插值方法将试件划分为n层，计算深度分布，所述n为大于1的整数；S3、计算步骤S2中每层吸收剂量；S4、依据步骤S2中计算得到的所述深度分布数值和步骤S3中计算得到的每层所述吸收剂量数值，构建吸收剂量深度分布谱。本发明利用插值方法，将简化的平板结构细致分层，之后计算各层平行平板的吸收剂量，构建吸收剂量随深度分布谱，有利于通过简化结构提高计算效率，不仅能够大幅度降低试验成本，还可以大幅度提高模拟效率。
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公开(公告)号：CN111864070A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735693.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种二维材料异质结及其性能分析方法，以及所述异质结在半导体和光电能量转化方面的用途。所述二维材料异质结包括：包括Janus二维材料的第一二维材料；以及包括硅烯的第二二维材料；第一二维材料和第二二维材料纵向堆叠。本发明提供的异质结不仅可以利用不同材料自身的卓越性能，而且可以克服单一二维材料的缺陷，通过Janus二维材料与硅烯的相互作用，打开硅烯的带隙，使得二维材料的能量谱分布相对于构成其的两种组分的各自单独的性质发生明显改变。异质结的性能分析方法基于含时密度泛函理论和随机相位近似进行电子能量损失谱谱分析，步骤简单、易于操作，为基于打开带隙为目的的异质结设计提供快速的分析途径和有力支持。
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公开(公告)号：CN111863608A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735726.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L23/552 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁的大功率晶体管及其制备方法。所述大功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；对所述外延层进行氧化处理和光刻处理，形成注入窗口；通过所述注入窗口对所述外延层进行多次重金属离子注入，且后一次注入所述重金属离子形成的离子注入区位于前一次注入所述重金属离子形成的离子注入区的上方。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升晶体管的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证晶体管本身的高性能指标。另外，本发明与常规的晶体管的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN111751698A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010735733.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种电子器件氧化层中固定正电荷陷阱的检测方法，包括以下步骤：选择P型半导体材料制备成衬底；在衬底上制备N型外延层；在外延层上形成P+源区、P+漏区和N+阱区；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成P+源极、P+漏极和栅极；将源极和漏极接地，栅氧电场保持负偏置，阱区正偏置，衬底正偏置；将源极、漏极、阱区和衬底接地，栅氧电场保持正偏置；栅氧电场交替进行正偏置和负偏置，正偏置和负偏置的交替时间和交替次数相同，在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获正电荷的状态，达到电子器件氧化层中固定正电荷陷阱检测与判定的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115186465B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210768685.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/15 , G06F113/28
Abstract: 本发明提供了一种计算单机内部深度‑剂量曲线的方法，属于空间环境分析技术领域。方法包括：S1、计算输入的深度‑剂量曲线，选取所要分析的空心的单机壳体；S2、进行射线跟踪分析，获取每一个扇形区域的屏蔽深度值；S3、将每一个扇形区域的屏蔽深度值与输入的深度‑剂量曲线的屏蔽深度值进行加和，之后依据加和的屏蔽深度值计算出对应的剂量值，以输入的深度‑剂量曲线的屏蔽深度值和依据加和的屏蔽深度值计算得到的剂量值构建输出的深度‑剂量曲线；S4、根据每一个扇形区域的权重对输出的深度‑剂量曲线进行累加，构建单机内部的深度‑剂量曲线。本发明实现了高效、精确地将外部环境的深度‑剂量曲线转化为单机壳体的深度‑剂量曲线。
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公开(公告)号：CN115906447A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211404864.0
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种晶体管界面态模型的优化方法、计算设备及存储介质。本方法包括：构建晶体管界面态模型；若缺陷类型为受主型缺陷；根据受主型电离概率模型计算出被电离的受主型界面态缺陷浓度；将受主型界面态缺陷浓度加入到泊松方程中得到受主型泊松方程；利用受主型泊松方程替代泊松方程，得到受主型晶体管界面态优化模型；若缺陷类型为施主型缺陷；根据施主型电离概率模型计算出被电离的施主型界面态缺陷浓度；将施主型界面态缺陷浓度加入到泊松方程中得到施主型泊松方程；利用施主型泊松方程替代泊松方程，得到施主型晶体管界面态优化模型。本方案的有益效果是：优化了晶体管界面态模型，利用本优化模型得到的基极电流仿真结果更准确。
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公开(公告)号：CN115712045A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211407657.0
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的试验方法，方法包括：采用不同能量的氦离子分别对多个第一双极晶体管进行预辐照，获得多个预辐照后的第一双极晶体管；采用60Co‑γ射线对各个预辐照后的第一双极晶体管和第二双极晶体管进行辐照，获得第一损伤双极晶体管和第二损伤双极晶体管；确定各个第一损伤双极晶体管和第二损伤双极晶体管的电流增益倒数，确定电流增益倒数与氦离子能量之间的对应关系；根据不同能量的氦离子的入射深度和电流增益倒数与氦离子能量之间的对应关系，确定双极晶体管氧化层中不同深度处电离‑位移协同效应之间的关系。本发明实现了晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的研究。
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公开(公告)号：CN115600434A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211410928.8
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学(CN)
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , G06F111/10
Abstract: 本发明提出了一种单粒子烧毁模拟方法，包括：获取预设的粒子入射的碰撞电离系数、晶格温度、电场强度和电流密度参数；根据所述碰撞电离系数和所述晶格温度确定碰撞电离参数；根据所述碰撞电离参数和所述电场强度确定电子电离参数和空穴电离参数；根据所述电子电离参数、所述空穴电离参数、所述电流密度参数和预设电子‑空穴对局域生成率模型模拟电子‑空穴对局域生成率。本发明的有益效果：通过模拟单粒子入射时的电子‑空穴对生成率，实现了在模拟仿真器件发生单粒子效应时产生的碰撞电离，进而仿真由于单个高能粒子入射到半导体器件发生单粒子烧毁。
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公开(公告)号：CN111751698B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010735733.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种电子器件氧化层中固定正电荷陷阱的检测方法，包括以下步骤：选择P型半导体材料制备成衬底；在衬底上制备N型外延层；在外延层上形成P+源区、P+漏区和N+阱区；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成P+源极、P+漏极和栅极；将源极和漏极接地，栅氧电场保持负偏置，阱区正偏置，衬底正偏置；将源极、漏极、阱区和衬底接地，栅氧电场保持正偏置；栅氧电场交替进行正偏置和负偏置，正偏置和负偏置的交替时间和交替次数相同，在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获正电荷的状态，达到电子器件氧化层中固定正电荷陷阱检测与判定的目的。
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