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公开(公告)号:CN104212168A
公开(公告)日:2014-12-17
申请号:CN201410399995.3
申请日:2014-08-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C08K9/06 , C08G73/1007 , C08K3/04 , C08K7/06 , C08K7/10 , C08K2201/011 , C08L2201/08 , C08L79/08
Abstract: 本发明公开了一种SiC纳米线改性的CF/PI复合材料的制备方法。所述方法包括提拉法浸渍碳纤维的步骤、硅粉蒸发法制备碳化硅纳米线的步骤以及模压成型法制备碳纤维增强聚酰亚胺(CF/PI)复合材料的步骤。此方法简单,易于操作,成本低。所获得的SiC改性的CF/PI复合材料耐腐蚀和耐热性均良好、力学强度显著提高。在航空航天耐热材料以及结构支撑材料领域的实际应用十分关键。
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公开(公告)号:CN104151582A
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201410341743.5
申请日:2014-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯-聚酰亚胺导电黑膜的制备方法。所述方法包括对可膨胀石墨进行二次膨胀的步骤、制备石墨烯与黑色填料分散液的步骤、获得石墨烯-聚酰胺酸黑色溶液的步骤以及制备石墨烯-聚酰亚胺导电黑膜的步骤。本发明的方法简单,易于操作,成本低。由本发明方法获得的石墨烯-聚酰亚胺导电黑膜表面平整,吸光率高,耐热性好,机械强度佳,可用本发明的方法制成黑色覆盖膜,黑色抗静电薄膜,黑色阻燃性薄膜等,广泛用于LED、挠性印制电路板、军品软塑包装膜、航天飞行器的电磁波屏蔽和耐热材料等领域。
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