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公开(公告)号：CN110344115A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910744593.5
申请日：2019-08-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种pH控制生长大尺寸鸟粪石晶体的方法，它涉及一种鸟粪石晶体的生长方法。本发明的目的是要解决由于鸟粪石成核速率过快，导致鸟粪石晶体生长速率较慢，难以调控晶体生长获得较大尺寸的问题。方法：一、确定pH介稳区；二、配置鸟粪石溶液；三、添加晶种；四、调控pH，得到鸟粪石晶体。优点：获得大尺寸且晶习理想的鸟粪石晶体，结构完整、形貌统一、纯度高。本发明主要用于pH控制生长大尺寸鸟粪石晶体。
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公开(公告)号：CN107675251B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710900796.X
申请日：2017-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高纯硒化镉多晶材料的气相合成方法，它涉及一种硒化镉多晶材料的合成方法。本发明的目的是要解决现有硒化镉合成方法存在反应温度高，耗时长，且生产的硒化镉纯度低的问题。气相合成方法：一、称取单质硒和单质镉；二、气相合成：①、反应区加热；②、冷凝区控温；③、单质硒气化；④、单质镉气化；⑤、气相合成，硒化镉多晶以固态形式沉积，未充分反应的气态单质硒与气态单质镉流至冷凝区并沉积，冷却至室温，得到硒化镉多晶粉体。优点：降低了反应温度，缩短合成时间。提高硒化镉多晶粉体纯度，纯度＞99％。本发明主要用于气相合成高纯硒化镉多晶。
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公开(公告)号：CN107320996B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710763526.9
申请日：2017-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01D9/02
Abstract: 一种多组分混合物膜辅助冷却结晶分离方法，它涉及一种多组分混合物的分离方法。本发明的目的要解决现有多组分混合物的结晶分离过程中，分离不彻底，溶解性相近的物质无法分离的问题。分离方法：一、确定多组分混合物中含有物质的种类及含量；二、确定溶解度；三、确定溶剂的加入量；四、确定饱和状态或过饱和状态物质数量；五、设备组装；六、物料搅拌至溶解；七、启动输送泵；八、放入活化晶种，完成饱和状态或过饱和状态物质分离；九、再次分离多组分混合物。优点：产品收率接近100％。本发明主要用于多组分混合物的分离。
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公开(公告)号：CN115044960A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210393947.8
申请日：2022-04-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种旋转振荡高温炉，它涉及高温炉。它要解决现有的高温炉传热不稳定、产品易结晶出杂相的技术问题，本发明的旋转振荡高温炉包括支撑架、炉膛、坩埚托、中空套管、坩埚、支撑杆、旋转盘、插销、皮带轮、旋转电机、皮带、升降平台、振动杆、振动电机；坩埚托与其下方的中空套管固定在一起，中空套管通过插销与带有皮带轮的支撑杆连接；旋转电机通过皮带可带动支撑杆转动；振动杆底端固定在升降平台上，顶端与坩埚托底部的距离通过升降平台调整，振动电机与振动杆固定连接可将振动传递给坩埚托。该旋转振荡高温炉可避免因烧结炉炉膛传热原因而导致的晶格错位，也可避免因静态烧结导致产生杂相，提高晶体产品的均一性和质量，可用于高温合成领域。
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公开(公告)号：CN110294687A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910675181.0
申请日：2019-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07C231/24 , C07C233/65
Abstract: 一种溶剂调控戊炔草胺晶习的方法，它涉及一种调控戊炔草胺晶习的方法。本发明的目的是要解决现有戊炔草胺的晶习不统一的问题。方法：一、配置饱和溶液；二、升温处理；三、结晶即得到戊炔草胺晶体。优点：通过溶剂调控戊炔草胺晶习的工艺，技术操作简单，产品晶体结构完整、形貌均一、纯度高。本发明主要用于调控戊炔草胺晶习。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108166063B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201711434604.7
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法，它涉及一种硒化镉单晶气相生长方法。本发明目的是要解决现有的生长CdSe晶体的高压布里奇曼法设备复杂，且易发生爆炸，而温梯熔体区熔法与气相提拉法的晶向不可控、光学品质差的问题。一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法：一、制备籽晶片；二、装料得到装料密封石英管；三、晶体生长：①、活化；②、生长；四、后处理，在籽晶片表面得到硒化镉单晶体。优点：中远红外波段的透过率达到65％以上。本发明主要用于硒化镉单晶气相生长。
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公开(公告)号：CN109810053A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910152850.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07D213/82
Abstract: 一种椭球形吡氟草胺晶体的结晶方法，它涉及一种吡氟草胺晶体的结晶方法。本发明的目的是要解决现有吡氟草胺晶体的结晶方法无法得到椭球形吡氟草胺晶体的问题。结晶方法：一、配制溶液；二、温度振荡；三、分阶段熟化，即完成椭球形吡氟草胺晶体的结晶生长，对椭球形吡氟草胺晶体进行回收。有益效果：一、吡氟草胺晶体呈椭球状。二、比表面积为0.110～0.230，溶出释放速率为0.091g/min～0.120g/min。本发明主要用于制备椭球形吡氟草胺晶体。
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公开(公告)号：CN108166063A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711434604.7
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法，它涉及一种硒化镉单晶气相生长方法。本发明目的是要解决现有的生长CdSe晶体的高压布里奇曼法设备复杂，且易发生爆炸，而温梯熔体区熔法与气相提拉法的晶向不可控、光学品质差的问题。一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法：一、制备籽晶片；二、装料得到装料密封石英管；三、晶体生长：①、活化；②、生长；四、后处理，在籽晶片表面得到硒化镉单晶体。优点：中远红外波段的透过率达到65％以上。本发明主要用于硒化镉单晶气相生长。
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公开(公告)号：CN107675251A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710900796.X
申请日：2017-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高纯硒化镉多晶材料的气相合成方法，它涉及一种硒化镉多晶材料的合成方法。本发明的目的是要解决现有硒化镉合成方法存在反应温度高，耗时长，且生产的硒化镉纯度低的问题。气相合成方法：一、称取单质硒和单质镉；二、气相合成：①、反应区加热；②、冷凝区控温；③、单质硒气化；④、单质镉气化；⑤、气相合成，硒化镉多晶以固态形式沉积，未充分反应的气态单质硒与气态单质镉流至冷凝区并沉积，冷却至室温，得到硒化镉多晶粉体。优点：降低了反应温度，缩短合成时间。提高硒化镉多晶粉体纯度，纯度＞99％。本发明主要用于气相合成高纯硒化镉多晶。
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公开(公告)号：CN107320996A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710763526.9
申请日：2017-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01D9/02
CPC classification number: B01D9/005 , B01D9/0031 , B01D9/0036 , B01D9/0059 , B01D9/0063 , B01D2009/0086
Abstract: 一种多组分混合物膜辅助冷却结晶分离方法，它涉及一种多组分混合物的分离方法。本发明的目的要解决现有多组分混合物的结晶分离过程中，分离不彻底，溶解性相近的物质无法分离的问题。分离方法：一、确定多组分混合物中含有物质的种类及含量；二、确定溶解度；三、确定溶剂的加入量；四、确定饱和状态或过饱和状态物质数量；五、设备组装；六、物料搅拌至溶解；七、启动输送泵；八、放入活化晶种，完成饱和状态或过饱和状态物质分离；九、再次分离多组分混合物。优点：产品收率接近100％。本发明主要用于多组分混合物的分离。
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