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公开(公告)号：CN110315159A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910657194.5
申请日：2019-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种硬质合金钢复合刀具的制造方法，涉及一种复合刀具的制造方法。目的是解决硬质合金钢复合刀具制备时接头残余应力高和硬质合金的硬度降低的问题。方法：向硬质合金待焊面上的转移石墨烯，然后在硬质合金待焊面和钢制刀板待焊面中间放置钎料连接板，然后进行钎焊，钎料连接板由数层BNi2钎料箔片、1层网状碳纳米管片和1层Cu箔片叠放构成。本发明在硬质合金待焊面转移石墨烯，在钎焊时能够抑制硬质合金向钎料中的溶解，避免了硬质合金硬度下降。添加具有低膨胀系数的网状碳纳米管解决了硬质合金侧应力大的问题。本发明适用于制备硬质合金钢复合刀具。
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公开(公告)号：CN108581253A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810380996.1
申请日：2018-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K28/02
Abstract: 一种三明治型石墨烯基散热板的封装方法，它涉及一种石墨烯基散热板的封装方法。本发明的目的是要解决现有石墨烯基散热板封装时焊接可靠性难以保证、焊后焊接构件的应力很大、铝合金易熔透的问题。封装方法：一、激光打孔，得到带孔石墨烯；二、表面金属化，得到金属化石墨烯；三、装配与封装，得到三明治型石墨烯基散热板。优点：石墨烯封装后金属化石墨烯与铝板之间的接头室温抗剪强度达到7MPa以上。本发明主要用于石墨烯封装。
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公开(公告)号：CN108555476A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810380347.1
申请日：2018-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钎焊石英纤维增强复合陶瓷与Invar合金的复合钎料及其制备方法和钎焊方法，本发明涉及耐高温复合钎料及其制备方法领域。本发明要解决现有焊接SiO2f/SiO2复合材料与Invar合金时接头残余应力较大及接头在400℃以上力学性能差的技术问题。该复合钎料由Ag-Cu-Ti钎料、纳米TiO2颗粒和纳米TiH2颗粒组成。制备方法：一、混合；二、球磨。钎焊方法：A、预处理；B、复合钎料压片；C、热处理。本发明的钎料在910℃，保温10min条件下钎焊SiO2f/SiO2复合材料与Invar合金，获得的接头室温和400℃高温抗剪强度分别可达22～38MPa和16～20MPa。本发明钎料不仅适用于SiO2f/SiO2复合材料与Invar合金的连接，同时也适用于其他氧化物陶瓷及氧化物陶瓷基复合材料与金属合金的连接。
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公开(公告)号：CN108296586A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810381022.5
申请日：2018-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/008 , C23C16/26 , C23C16/513
Abstract: 一种SiO2-BN复合陶瓷与Invar合金的钎焊方法，它涉及一种提高异种材料钎焊接头力学性能的方法。本发明的目的是要解决现有用AgCuTi钎料直接焊接SiO2-BN复合陶瓷与Invar合金时，由于Invar中的Fe、Ni元素向焊缝中过度溶解并与Ti元素反应生成大面积的脆性化合物带，导致焊接接头塑性变形能力不理想，且剪切强度差的问题。钎焊方法：先利用等离子体增强化学气相沉积方法在Invar合金表面原位垂直生长石墨烯层，然后采用AgCuTi钎料与SiO2-BN复合陶瓷真空钎焊。优点：接头抗剪强度达到23MPa以上。本发明主要用于SiO2-BN复合陶瓷与Invar合金的钎焊。
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公开(公告)号：CN117773263A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410099984.7
申请日：2024-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K3/00 , B23K3/08 , B23K1/20 , B23K1/008 , B23K35/40 , B32B9/04 , B32B15/20 , B32B15/18 , B32B15/04 , B23K103/18 , B23K103/00
Abstract: 一种利用仿生中间层钎焊金属与陶瓷或陶瓷基复合材料的方法，涉及一种钎焊金属与陶瓷或陶瓷基复合材料的方法。本发明为了解决金属与陶瓷或陶瓷基复合材料钎焊接头可靠性差的问题。方法包括待焊件的打磨清洗、陶瓷或陶瓷基复合材料表面改性、“砖‑泥”结构的仿生中间层制备以及真空钎焊连接。本发明提出的仿生中间层连接金属/陶瓷或陶瓷基复合材料方法通过仿生中间层在不同尺度下对裂纹偏转、钝化的韧化机制，有效缓解了金属/陶瓷或陶瓷基复合材料间的残余应力，提高了接头的强度，实现了金属与陶瓷或陶瓷基复合材料的高质量连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117300438A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311397447.2
申请日：2023-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/32 , B23K35/40 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K103/14
Abstract: 一种适用于钛合金钎焊的低溶蚀高强锆基钎料及其制备方法和应用，涉及一种锆基钎料及其制备方法和应用。为了解决现有的钛合金钎焊过程中易产生溶蚀的问题，提供一种适用于钛合金钎焊的低溶蚀高强锆基钎料及其制备方法和应用。本发明钎料由10～20wt.％的Ti，2～8wt.％的Cu，5～15wt.％的Ni，2～8wt.％的Co和余量的Zr组成。制备：称取原料并进行熔炼得到钎料铸锭，通过单辊旋淬法制备成非晶态钎料箔材或通过气雾化法或研磨法制备成粉末并将粉末与粘结剂混合制成膏状钎料。钎焊钛合金方法：将合金待焊表面打磨，将非晶态钎料箔材或膏状钎料置于焊接合金的待焊表面之间得到待焊件进行钎焊。本发明钎料具有优良的力学及低溶蚀性能，与母材润湿性能良好，易于形成性能优良的钎焊接头。
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公开(公告)号：CN115415656B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202211138051.1
申请日：2022-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以Fe‑Cr‑Mo/W为阻隔层的方钴矿热电材料与铜电极的连接方法，涉及一种热电材料与电极的连接方法。为了解决方钴矿与铜电极连接过程中元素扩散以及焊接接头强度低的问题。本发明中阻隔层原料进行熔炼后吸铸到水冷铜模模具中进行快速凝固，创新的采用非平衡凝固原理将Fe‑Cr合金中的大尺寸Mo/W元素固溶度大幅度提高，降低元素扩散，减小了接头残余应力，提高接头强度。采用扩散焊、钎焊、纳米银烧结等方法对方钴矿与铜电极进行连接，操作方便，工艺灵活，可根据实际使用需求选择合适的方法，成本较低。
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公开(公告)号：CN116558291A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310390528.3
申请日：2023-04-12
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国科学院地质与地球物理研究所
IPC: F27B14/06
Abstract: 本发明涉及一种用于星壤挥发分加热提取的磁场增强型感应加热炉，其包括采集器、加热壳组件、环形导磁组件和磁感应线圈。采集器构造有承载星壤的承载腔，承载腔上构造有贯通腔室的通气孔；加热壳组件构造有加热腔，同时还构造有与加热腔贯通的通气管，通气管与气体分析仪连通；环形导磁组件容设于加热腔内，其包括导磁套筒和导磁件；导磁套筒为封闭的结构框，导磁件容设于结构框内并与导磁套筒连接；采集器容设于加热腔内并套设于导磁件的外周；磁感应线圈套设安装于导磁件的外周并与采集器间隔设置；磁感应线圈在通电作用下能够产生磁场，且磁场的磁感线能够被环形导磁组件所约束。通过本感应加热炉对星壤进行加热的加热效率较高。
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公开(公告)号：CN113020736B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110318785.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种方钴矿热电材料与铜电极的钎焊连接方法，涉及钎焊连接技术领域。本发明的目的是要解决现有方钴矿与铜电极钎焊连接过程中方钴矿与铜电极之间易发生元素扩散以及焊接接头强度低的问题。方法：将方钴矿热电材料的待焊面电镀CoMo合金镀层，抛光、超声清洗，得到待焊方钴矿热电材料；将铜电极的待焊面进行打磨和超声清洗、吹干；将SAC305钎料与待焊方钴矿热电材料和待焊铜电极装配，得到待焊连接件，在真空环境下升温至400～500℃并保温1～5min，降至室温，完成方钴矿热电材料与铜电极的钎焊连接。本发明可获得一种方钴矿热电材料与铜电极的钎焊连接方法。
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公开(公告)号：CN113020737A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110319745.4
申请日：2021-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法，涉及钎焊连接技术领域。本发明的目的是要解决现有方钴矿与铜电极的连接界面由于存在严重的元素扩散而降低焊接头的连接强度以及增加界面的接触电阻和接触热阻，进而导致热电器件的转换效率低的问题。方法：将待焊Co箔置于待焊方钴矿热电材料和待焊铜电极之间进行装配，得到待焊连接件，在5×10‑3～10×10‑3Pa的真空环境下升温至600～680℃，并在600～680℃下保温10～60min，然后降温至580～600℃，再降至室温，完成钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极。本发明可获得一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法。
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