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公开(公告)号：CN114658624A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210294826.8
申请日：2022-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种适合大功率高比冲的霍尔推力器磁路结构及设计方法，所述磁屏为U型结构，内永磁铁和外永磁铁分别布置在支架上，外永磁铁的上表面还布置有外磁极B，内永磁铁和外永磁铁轴向充磁，外磁极B的上表面低于放电通道的出口端面，所述方法：根据放电通道内径和外径进行永磁磁路结构设计，在永磁磁路结构上增加软磁磁路结构，将永磁磁路结构与软磁磁路结构在轴向叠加排布，且将软磁磁路结构置于永磁磁路结构底部，软磁磁路结构和永磁磁路结构之间用不导磁的支架隔开，将永磁磁路与软磁磁路产生同向或者反向的磁通量，进而并联工作。本发明以永磁体为主磁源、线圈为辅助磁源的方式，实现了放电通道内部磁场强度及位形的连续实时宽范围可调节。
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公开(公告)号：CN113465494B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110733060.4
申请日：2021-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种霍尔推力器推力矢量偏心计算方法，包含以下步骤：步骤一：采用法拉第探针测量霍尔推力器羽流区离子电流密度；步骤二：分析离子电流密度对推力矢量偏心的贡献；步骤三：建立霍尔推力器羽流区的空间离子电流密度曲面模型；步骤四：采用加权最小二乘法对曲面模型进行计算，得到计算推力矢量偏心的非线性方程组；采用布罗依登秩方法进行求解非线性方程组，并通过迭代方程反复迭代计算，得到推力矢量偏心结果。本发明通过分析与推力器轴线不同夹角处离子电流密度对推力矢量的贡献，计算推力矢量偏心。
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公开(公告)号：CN111638241A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910162312.5
申请日：2019-03-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明是测量霍尔推力器壁面热沉积功率的方法。在霍尔推力器陶瓷壁面外侧钻安装孔(盲孔)，不破坏放电通道；在各个测温点的安装孔位置布置热电偶，热电偶头部探测端固定在安装孔底部，温度测温线的输出端引出至采集系统；将热电偶安装孔用氮化硼粉末重新填充，固定热电偶且有利于热电偶与陶瓷壁面的接触；设备安装完毕后启动霍尔推力器，待霍尔推力器壁面温度达到稳定后，记录不同测温点的稳态温度即可得到壁面热沉积功率。本发明避免了对等离子体参数的直接诊断，从而将霍尔推力器工作过程中等离子体与壁面作用的复杂微观物理过程通过宏观热流呈现出来，对研究霍尔推力器内部等离子体与壁面作用的规律提供一种可行的实验手段。
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公开(公告)号：CN117780586A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410089734.5
申请日：2024-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种宽通道霍尔推力器磁路结构及提高磁场强度的方法，所述磁路结构包含内磁极、内铁芯、底板、磁屏、外导磁罩、外磁极、内线圈、外线圈、下线圈、支架和向内导磁罩；外线圈的下方布置有向内导磁罩和下线圈，向内导磁罩径向垂直外导磁罩设置；多个向内导磁罩和多个下线圈交替布置在外线圈的下方，且最上部的向内导磁罩与外线圈相邻，最下部的下线圈与底板相邻，多个下线圈串联设置，磁屏的底部通过支架固定，支架固定在底板上。本发明保证了霍尔推力器磁场的大范围可调节性以及所需的特征磁场强度，同时大范围提高所能实现的放电通道宽度，利用宽通道、低面容比的特点抑制等离子体壁面损失，提高霍尔推力器的放电比冲。
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公开(公告)号：CN116557248A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310596191.1
申请日：2023-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种后加载磁场的霍尔推力器，它包含内磁极、内铁芯、底板、外磁极、外陶瓷罩、内线圈、外线圈、气体分配器、磁屏、通道绝缘陶瓷、内陶瓷和外陶瓷；磁屏为内外同心环形薄壁件，磁屏与底板分离且二者采用通道绝缘陶瓷隔离，通道绝缘陶瓷置于底板上表面，磁屏置于通道绝缘陶瓷上表面，内陶瓷与外陶瓷分别置于磁屏的内外壁顶部，且三者围成环形放电通道，磁屏内布置有气体分配器，气体分配器具有相通的一级缓冲腔和二级缓冲腔，气体分配器、磁屏内外壁、内陶瓷和外陶瓷合围形成二级缓冲腔，二级缓冲腔与放电通道内部连通。本发明在保证磁场后加载程度不变的前提下有效提高最大磁场强度，同时有利于后加载流场与磁场协同设计的实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115711208B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202211467981.1
申请日：2022-11-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种适合高比冲后加载霍尔推力器的供气结构，它包含分配器底座、一级挡板、供气管、二级挡板和三级挡板；一级挡板密封安装在分配器底座的凹槽内，二级挡板的外底面封装在分配器底座的凹槽的顶部；一级挡板和分配器底座围成第一底部缓冲腔，一级挡板、二级挡板和分配器底座围成第二底部缓冲腔，三级挡板的外底面固定在二级挡板上，三级挡板与二级挡板的侧壁之间形成侧部缓冲腔，二级挡板的内外环壁顶部固定有陶瓷管，阳极、阳极绝缘陶瓷板分别与三级挡板侧壁具有间隙。本发明直接在放电通道的下游供气，可有效提升电离区的气体密度，解决后加载霍尔推力器电离区中性原子密度下降及电离效率降低的问题。
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公开(公告)号：CN112326253B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011174239.2
申请日：2020-10-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01M15/02
Abstract: 一种推力矢量偏心诊断装置，属于电推进技术领域。本发明解决了现有技术中缺少电推力器推力矢量偏心诊断装置的问题。安装基座与真空罐内平台之间固接，电推力器固装在安装基座的中部侧壁，轴向滑台沿电推力器轴向水平滑动设置在安装基座顶部，摆臂水平布置且一端通过旋转平台转动安装在轴向滑台上，悬臂竖直布置且水平滑动安装在摆臂的一端，法拉第探针阵列支架固装在悬臂上且其上法拉第探针阵列的中心与电推力器的中轴线位于同一水平线上。本申请填补了电推力器推力矢量偏心测量装置缺失的空白，利用法拉第探针阵列来诊断羽流空间分布，避免了直接测量推力以及径向分力对测量精度提出的巨大挑战。
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公开(公告)号：CN108457827A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810217200.0
申请日：2018-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种磁聚焦霍尔推力器的旋流出气结构，属于霍尔推力器领域。它解决现有高比冲氪工质霍尔推力器电离特性差的问题。包括顶部导流板、中部导流板、气体分配器底座、安装支柱、导气管、放电通道和阳极；所述的顶部导流板、中部导流板和气体分配器底座，由上自下平行设置，采用激光焊接方式固接组成一级缓冲腔和二级缓冲腔；一级缓冲腔与二级缓冲腔同轴设于放电通道内，所述的顶部导流板通过倾斜孔洞对中性气体进行导流，使其在放电通道内旋转；所述阳极设置在靠近顶部导流板的放电通道内部；导气管和安装支柱焊接于气体分配器底部的两侧。本发明有效提高工质利用率，尤其对氪气工质电离性能提升效果突出。
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公开(公告)号：CN116838558A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310884745.8
申请日：2023-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种宽通道霍尔推力器磁路结构及提高磁场强度的方法，所述磁路结构包含内磁极、内铁芯、底板、磁屏、外导磁罩、外磁极、内线圈、外线圈、下线圈、支架和向内导磁罩；外线圈的下方布置有向内导磁罩和下线圈，向内导磁罩径向垂直外导磁罩设置；多个向内导磁罩和多个下线圈交替布置在外线圈的下方，且最上部的向内导磁罩与外线圈相邻，最下部的下线圈与底板相邻，多个下线圈串联设置，磁屏的底部通过支架固定，支架固定在底板上。本发明保证了霍尔推力器磁场的大范围可调节性以及所需的特征磁场强度，同时大范围提高所能实现的放电通道宽度，利用宽通道、低面容比的特点抑制等离子体壁面损失，提高霍尔推力器的放电比冲。
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