公开(公告)号：CN111725072A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010613147.3

申请日：2020-06-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董鑫 ,  焦腾 ,  张源涛 ,  张宝林 ,  李赜明

IPC: H01L21/365 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

Abstract: 一种电子浓度稳定的高质量氧化镓(β-Ga2O3)薄膜及其制备方法，属于半导体材料及其制备技术领域。依次由经过NH3等离子体钝化处理的c面蓝宝石衬底、Ga2O3低温缓冲层、Si掺杂浓度逐级提高的Ga2O3薄层、Si掺杂的Ga2O3薄膜组成。其中，低温缓冲层、Ga2O3薄层、Ga2O3薄膜均由MOCVD工艺制备而成。本发明能够实现电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜的快速制备，1小时可以获得厚度约为1微米的Ga2O3薄膜。本发明解决了掺杂Ga2O3薄膜电子不稳定的问题，同时提高了薄膜生长速度与Ga2O3薄膜的晶体质量。该发明能够快速制备高质量、高电子浓度稳定性的Ga2O3薄膜，为Ga2O3基器件的制备奠定了坚实的基础。

公开(公告)号：CN111725072B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202010613147.3

申请日：2020-06-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董鑫 ,  焦腾 ,  张源涛 ,  张宝林 ,  李赜明

IPC: H01L21/365 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

Abstract: 一种电子浓度稳定的高质量氧化镓(β‑Ga2O3)薄膜及其制备方法，属于半导体材料及其制备技术领域。依次由经过NH3等离子体钝化处理的c面蓝宝石衬底、Ga2O3低温缓冲层、Si掺杂浓度逐级提高的Ga2O3薄层、Si掺杂的Ga2O3薄膜组成。其中，低温缓冲层、Ga2O3薄层、Ga2O3薄膜均由MOCVD工艺制备而成。本发明能够实现电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜的快速制备，1小时可以获得厚度约为1微米的Ga2O3薄膜。本发明解决了掺杂Ga2O3薄膜电子不稳定的问题，同时提高了薄膜生长速度与Ga2O3薄膜的晶体质量。该发明能够快速制备高质量、高电子浓度稳定性的Ga2O3薄膜，为Ga2O3基器件的制备奠定了坚实的基础。