公开(公告)号：CN106574389B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201580032041.1

申请日：2015-09-04

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 井上大辅 ,  奥野裕子 ,  宇野岳夫 ,  鸟光悟

IPC: C25D7/06 ,  B32B7/02 ,  B32B15/08 ,  H05K1/09

Abstract: 本发明公开了一种铜箔，其在表面形成有多个突起，集肤深度d(m)＝√(1/(σ·μ·π·f))(其中，σ：导电率(S/m)，μ：磁导率(H/m)，f：电信号中所包括的频率(Hz))时，f≥5GHz，将上述突起的高度设为h(μm)，将该突起的h/2高度位置处的宽度设为w(μm)时，h/d≥1的上述突起于每5μm长度的平均个数为1个以上，并且h/d≥1的上述突起中80％以上的上述突起符合w≥0.1μm且w/d

公开(公告)号：CN106574389A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580032041.1

申请日：2015-09-04

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 井上大辅 ,  奥野裕子 ,  宇野岳夫 ,  鸟光悟

IPC: C25D7/06 ,  B32B7/02 ,  B32B15/08 ,  H05K1/09

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B15/08 ,  C25D7/06 ,  H05K1/09

Abstract: 本发明公开了一种铜箔，其在表面形成有多个突起，集肤深度d(m)＝√(1/(σ·μ·π·f))(其中，σ：导电率(S/m)，μ：磁导率(H/m)，f：电信号中所包括的频率(Hz))时，f≥5GHz，将上述突起的高度设为h(μm)，将该突起的h/2高度位置处的宽度设为w(μm)时，h/d≥1的上述突起于每5μm长度的平均个数为1个以上，并且h/d≥1的上述突起中80％以上的上述突起符合w≥0.1μm且w/d