-
公开(公告)号：CN111243808B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010132227.7
申请日：2020-02-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法和应用。该钕铁硼材料包含下述组分：R：28.1‑33.1wt％；Cu：≥0.4wt％；Al：0.08‑0.125wt％；B：0.84‑0.945wt％；Fe：64.6‑70.1wt％；其中：当钕铁硼材料包含Ti时，Ti的含量为0.15‑0.255wt％；当所述钕铁硼材料包含Zr时，Zr的含量为0.19‑0.355wt％；当所述钕铁硼材料包含Nb时，Nb的含量为0.19‑0.51wt％；所述钕铁硼材料中不含有Co；所述钕铁硼材料的晶界相中R6Fe13Cu相的体积分数≥3.5％。该永磁材料磁性能优异，相对磁导率低，磁体性能一致性好。
-
公开(公告)号：CN111009369B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010019452.X
申请日：2020-01-08
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: H01F1/057 , H01F41/02 , B22D11/06 , B22F3/10 , B22F9/02 , C21D6/00 , C21D9/46 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16
Abstract: 本发明公开了一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。该稀土永磁材料包含下述组分：R：26‑33wt％；M：0‑3wt％，但不为0；N：0.2‑1.0wt％；B：0.85‑0.96wt％；余量为Fe；其中：R为稀土元素，所述R中包括Pr和/或Nd；M为Co、Al、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta、W、O、C、N、S和P中的一种或多种；N为Cu和/或Ga。本发明中的稀土永磁材料可通过单合金工艺或双合金工艺制得，能够在不含重稀土的条件下，实现磁体矫顽力的提升，且该工艺方法简单、利于量产。
-
公开(公告)号：CN111243810B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010134545.7
申请日：2020-02-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。该稀土永磁材料包含：R、Ga、Al、Fe和B，还包含Ti、Zr和Nb的一种或多种，以重量百分比计，其含量如下：R的含量为28.5～33.05％；Ga的含量大于0.35％；B的含量为0.84～0.945％；Al的含量小于0.08％；R‑T‑B系永磁材料中不含有Co。本发明稀土永磁材料矫顽力Hcj和Br高，磁体温度稳定性好，性能优异；且其退磁曲线无台阶，相对磁导率低，磁钢均一性好。
-
公开(公告)号：CN111243811B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010134686.9
申请日：2020-02-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法和应用。该钕铁硼材料的原料组合物包括如下质量含量的组分：R：28.5～33.0％；R为至少含有Nd的稀土元素；Cu：0.45～2％但不为0.45％；B：0.84～0.94％；Al：0.05～0.07％；Co：≤2.5％但不为0；Fe：62～70％；N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.15～0.25％；当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.2～0.35％；当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2～0.5％；百分比为各组分质量占原料组合物总质量的质量百分比。本发明的钕铁硼材料磁性能较佳，且同一批次产品的磁性能均一。
-
公开(公告)号：CN111243809B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010132239.X
申请日：2020-02-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法和应用，其包含：R、Cu、Al、Fe和B，还包含Ti、Zr和Nb的一种或多种，以重量百分比计，其含量如下：R的含量为28.5～33.2％；Cu的含量0.393％以上；B的含量为0.84～0.945％；Al的含量小于0.08％；R‑T‑B系永磁材料中不含有Co；R‑T‑B系永磁材料包含R2Fe14B主相、晶界相和富稀土相；其中，晶界相包含R6Fe13Cu；R6Fe13Cu的体积分数为≥3.5％。本发明钕铁硼材料矫顽力Hcj和Br高，磁体温度稳定性好，性能优异；且其退磁曲线无台阶，相对磁导率低，磁钢均一性好。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113066625A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110327100.5
申请日：2021-03-26
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料及其制备方法和应用。该R‑T‑B系永磁材料包括如下质量含量的组分：R，26.5～32.0mas％；R为至少含有Nd的稀土元素；Cu，0.58～0.65mas％；Ga，0.21～0.33mas％；B，≥0.99mas％；Fe，64.0～69.5mas％；N，0.15～1.2mas％；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；百分比为各组分质量占所述R‑T‑B系永磁材料总质量的质量百分比。本发明中R‑T‑B系永磁材料的重稀土元素分布均匀，且磁体性能优异、性能均一。
-
公开(公告)号：CN110957092B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911316028.5
申请日：2019-12-19
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了R‑T‑B系磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该R‑T‑B系磁体材料的原料组合物以质量百分比计，其包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；其中，所述Pr：≥8.85％；Ga：>1.05％；B：0.9～1.2％；Fe：59～69％；百分比是指占所述R‑T‑B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比。本发明的R‑T‑B系磁体材料使用了较高含量的Pr结合较高含量的Ga的配方，使得R‑T‑B系磁体材料在显著提升矫顽力的同时还可维持较高的剩磁。
-
公开(公告)号：CN111627633A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010599672.4
申请日：2020-06-28
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R-T-B系磁性材料，其特征在于，以重量百分比计，其包含下述组分：27.42wt.％～33.00wt.％的R；所述的R为稀土元素，其包含Pr和RH；所述的Pr≥15.00wt.％；所述的RH包含Tb和/或Dy；0.24wt.％～0.80wt.％的Cu；0.19wt.％～0.30wt.％的Zr；0wt.％～1.52wt.％的Al；0.90wt.％～1.03wt.％的B；和，0.04wt.％～0.09wt.％的Ga或0.28wt.％～1.50wt.％的Ga。该磁性材料具有较佳的剩磁、矫顽力、温度系数等。
-
公开(公告)号：CN111326305A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010132220.5
申请日：2020-02-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用。该R-T-B系永磁材料包含：R、Ga、Cu、Al、Fe和B，还包含Ti、Zr和Nb的一种或多种，以重量百分比计，其含量如下：R的含量为28.5～33.03％；Ga的含量为0.35％以上；Cu的含量为0.4％以上；B的含量为0.84～0.945％；Al的含量为小于0.08％；R-T-B系永磁材料中不含有Co。该R-T-B系永磁材料矫顽力Hcj和Br高，磁体温度稳定性好，性能优异；且其退磁曲线无台阶，相对磁导率低，磁钢均一性好。
-
公开(公告)号：CN111243809A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010132239.X
申请日：2020-02-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法和应用，其包含：R、Cu、Al、Fe和B，还包含Ti、Zr和Nb的一种或多种，以重量百分比计，其含量如下：R的含量为28.5～33.2％；Cu的含量0.393％以上；B的含量为0.84～0.945％；Al的含量小于0.08％；R-T-B系永磁材料中不含有Co；R-T-B系永磁材料包含R2Fe14B主相、晶界相和富稀土相；其中，晶界相包含R6Fe13Cu；R6Fe13Cu的体积分数为≥3.5％。本发明钕铁硼材料矫顽力Hcj和Br高，磁体温度稳定性好，性能优异；且其退磁曲线无台阶，相对磁导率低，磁钢均一性好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
71
records
(took 0.058 seconds)
