公开(公告)号：CN1563483A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN200410017471.X

申请日：2004-04-01

Applicant: 南昌大学

Inventor： 江风益 ,  蒲勇

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的双层进气喷头，包括封闭形的外壳体，在外壳体内有上进气腔和下进气腔，在上中层板与底板之间安装有与上进气腔和反应室连通的上出气管，在下中层板与底板之间安装有与下进气腔和反应室连通的下出气管，特征是下出气管的直径大于上出气管的直径，且上出气管放置于下出气管中。本发明还设计有冷却腔。第一路反应气体和第二路反应气体分别由上出气管、下出气管进入反应室，到达衬底表面。因此本发明具有能够将不同反应气体分别送入反应室、使反应气体充分混合均匀、减小预反应、制造成品率高的优点。

公开(公告)号：CN103757606A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201310748891.4

申请日：2013-12-31

Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 ,  南昌大学

Inventor： 蒲勇 ,  徐龙权 ,  丁杰

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种MOCVD气路压差控制系统，包括：主载气管道，主气路管道和旁路管道，特征是：在主气路管道的前端依次安装有主气路管道质量流量控制器和压力传感器，在旁路管道的最后端安装有一个压力控制器，在主气路管道上安装有六个四通切换阀，在旁路管道上安装有六个三通切换阀，每一个四通切换阀与相对应的三通切换阀通过相应的支管连接。这样就能在主气路管道有反应气体进入后，在压力传感器、PLC、压力控制器的共同作用下，旁路管道群殴压力随时跟随主气路管道压力变化，二者始终有一个压差跟随关系。这样反应气体能够顺利切入主气路管道并运送进反应室，非反应气体切入旁路管道准备，从而达到精确控制主气路和旁路之间气体的快速平稳切换。

公开(公告)号：CN212375420U

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202021386815.5

申请日：2020-07-15

Applicant: 南昌大学

Inventor： 方文卿 ,  蒲勇 ,  程海英 ,  陈炳安 ,  赵鹏 ,  杨超普

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16

Abstract: 本实用新型涉及一种新型园桶形对称多片碳化硅外延生长反应管结构，涉及制造碳化硅外延晶片生长设备技术领域，桶式结构能极大地提高碳化硅外延片的产量，且衬底的温度均匀性能自然得到保证；随着衬底尺寸的增大，桶的直径也可增大，加热线圈可做成多片扇形，石墨桶也可由若干扇面拼接而成；每炉更换反应管主体，故外延生长的初始状态恒定，克服当前普遍存在的重复性问题；使用机械手操作，不浪费机时；采用管子套管子结构降低使用成本；设有激光在线膜厚监控及双波长在线测温装置；注重采用气流及水流对称性设计以确保生长参数自然均匀；本实用新型属近耦合体系，膜厚的均匀性易得到保证。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利